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1. 发明授权

US4919521A Electromagnetic device 失效
标题翻译：电磁装置
公开(公告)号：US4919521A
公开(公告)日：1990-04-24
申请号：US203797
申请日：1988-06-02
申请人： Hiroaki Tada , Harunobu Yoshida , Hideo Kawahara , Kunio Miyata
发明人： Hiroaki Tada , Harunobu Yoshida , Hideo Kawahara , Kunio Miyata
IPC分类号： G02F1/17
CPC分类号： G02F1/172
摘要： An electromagnetic device comprising solid matrix layer, wherein micro-capsules containing suspension anisotropic particles are dispersed, and a means for applying electric field or magnetic field to the anisotropic particles. According to the present invention, not only range of transmittance of solar radiation can be much improved, but also a smart window of large scale having nonuniformity of thickness and nonuniformity of density of particles can be realized.
摘要翻译：包括固体基质层的电磁装置，其中分散有悬浮液各向异性颗粒的微胶囊，以及用于向各向异性颗粒施加电场或磁场的装置。根据本发明，不仅可以大幅度提高太阳辐射的透射率范围，而且可以实现厚度不均匀性和颗粒密度不均匀的大规模的智能窗口。

2. 发明授权

US5095196A Security system with imaging function 失效
标题翻译：具有成像功能的安全系统
公开(公告)号：US5095196A
公开(公告)日：1992-03-10
申请号：US456797
申请日：1989-12-28
申请人： Kunio Miyata
发明人： Kunio Miyata
IPC分类号： E05F15/10 , E05B49/00 , G06Q20/00 , G06Q20/40 , G06Q20/42 , G06Q50/00 , G07C9/00 , G07C9/02
CPC分类号： G07C9/02 , G07C9/00079 , G07C9/00103
摘要： A system for examining a passer having an ID card including a photograph and key data for searching registered data of the passer. This system has a data base storing registered data including a video image of the registered ID card owner, a video camera for capturing the passer's figure and a scanner for scanning the photograph of the ID card. The system searches corresponding data, including the video image data, in the data base, using the key data, and displays the found image, passer's image and the scanned photograph image in a display for comparison by an examiner. The system can be combined with a controllable gate system which the examiner can operate based on the results of the examination.
摘要翻译：一种用于检查具有ID卡的路人的系统，所述身份证包括用于搜索路人的登记数据的照片和密钥数据。该系统具有存储登记数据的数据库，该数据库包括登记的ID卡所有者的视频图像，用于捕获路人图像的摄像机和用于扫描ID卡的照片的扫描仪。该系统使用密钥数据在数据库中搜索包括视频图像数据的对应数据，并将显示的图像，路人图像和扫描的照片图像显示在检查器中以供比较。该系统可以与可检查的门系统结合，检查者可以根据检查结果进行操作。

3. 发明授权

US5602418A Nitride based semiconductor device and manufacture thereof 失效
标题翻译：氮化物基半导体器件及其制造
公开(公告)号：US5602418A
公开(公告)日：1997-02-11
申请号：US211322
申请日：1994-09-22
申请人： Hideaki Imai , Kunio Miyata , Tadahiko Hirai
发明人： Hideaki Imai , Kunio Miyata , Tadahiko Hirai
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/203 , H01L31/105 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L27/15 , H01L29/04
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L31/1852 , H01L33/007 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： A nitride semiconductor device is made using a molecular beam epitaxy growth apparatus having a gas source for supplying a compound including gaseous nitrogen, solid body sources for supplying Group III constituents, and sources for supplying n-type and p-type dopants. A gaseous state compound containing nitrogen, and a Group III constituent is supplied to the surface of a substrate, wherein the substrate is at a temperature of 300.degree. to 1000.degree. C. and is under a pressure of less than 10.sup.-5 Torr, to produce a first layer of oriented polycrystalline nitride semiconductor on the substrate at a growth rate of 0.1 to 20 Angstroms/second. Subsequently, a gaseous state compound containing nitrogen and a Group III constituent is supplied to the surface of the first layer of the substrate to produce a single crystal nitride semiconductor layer on the first layer at a growth rate of 0.1 to 10 Angstroms/second. The resultant nitride semiconductor device comprises a substrate, a first layer of an oriented polycrystalline nitride semiconductor of less than 5000 Angstroms thickness and disposed directly on the substrate, an operating layer of a single crystal nitride semiconductor disposed directly on the first layer, and at least two electrical terminals connected at predetermined locations, with at least one terminal being connected to the first layer.
摘要翻译： PCT No.PCT / JP92 / 01016 Sec。 371日期1994年9月22日 102（e）1994年9月22日PCT PCT 1992年8月7日PCT公布。公开号WO94 / 03931 日期1994年2月17日使用分子束外延生长装置制造氮化物半导体器件，所述分子束外延生长装置具有用于供给包含气态氮的化合物的气体源，用于提供III族组分的固体源，以及供给n型和p型掺杂剂将含有氮的气态化合物和III族成分供给到基材的表面，其中基材的温度为300〜1000℃，压力小于10-5乇，至以0.1至20埃/秒的生长速率在衬底上产生定向多晶氮化物半导体的第一层。随后，将含有氮和III族组分的气态化合物供给到衬底的第一层的表面，以0.1至10埃/秒的生长速率在第一层上产生单晶氮化物半导体层。所得到的氮化物半导体器件包括：基板，小于5000埃厚度的定向多晶氮化物半导体的第一层，直接设置在基板上，直接设置在第一层上的单晶氮化物半导体的工作层，至少两个电气端子连接在预定位置，至少一个端子连接到第一层。

4. 发明授权

US5104633A Method for producing high-purity metallic silicon and apparatus therefor 失效
标题翻译：高纯度金属硅的制造方法及其设备
公开(公告)号：US5104633A
公开(公告)日：1992-04-14
申请号：US455313
申请日：1989-12-18
申请人： Yasuhiko Sakaguchi , Fukuo Aratani , Kazuhiro Uchino , Mitsugi Yoshiyagawa , Kunio Miyata , Masato Ishizaki , Tetsuro Kawahara
发明人： Yasuhiko Sakaguchi , Fukuo Aratani , Kazuhiro Uchino , Mitsugi Yoshiyagawa , Kunio Miyata , Masato Ishizaki , Tetsuro Kawahara
IPC分类号： C01B33/02 , C01B33/021 , C01B33/025
CPC分类号： C01B33/021
摘要： A method and apparatus for producing or manufacturing a high purity metallic silicon takes a process for generating silicon monoxide by causing reaction between a silicon dioxide containing material and molten state metallic silicon. The silicon monoxide thus generated is sucked for reduction by means of a reducing agent including a carbon containing material and a silicon containing material.
摘要翻译： PCT No.PCT / JP88 / 00173 Sec。 371日期1989年12月18日 102（e）日期1989年12月18日PCT提交1988年2月19日PCT公布。出版物WO89 / 07578 日本1989年8月24日。用于制造或制造高纯度金属硅的方法和装置通过引起含二氧化硅材料和熔融态金属硅之间的反应而产生一氧化硅的方法。通过包含含碳材料和含硅材料的还原剂将由此产生的一氧化硅吸入还原。

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