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    • 9. 发明授权
    • Method of making an integrated circuit including singulating a semiconductor wafer
    • 制造包括单片化半导体晶片的集成电路的方法
    • US07674689B2
    • 2010-03-09
    • US11858437
    • 2007-09-20
    • Manfred SchneegansWerner Kroninger
    • Manfred SchneegansWerner Kroninger
    • H01L21/46
    • H01L21/78
    • A method of making an integrated circuit includes providing a semiconductor wafer having a first surface and a second surface opposite the first surface, at least one of the first surface and the second surface including a metallization layer deposited onto the surface. The method additionally includes forming a first trench in the semiconductor wafer extending from one of the first surface and the second surface toward an other of the first surface and the second surface. The method further includes sawing a second trench in the other surface until the second trench communicates with the first trench, thus singulating the integrated circuit from the semiconductor wafer.
    • 制造集成电路的方法包括提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体晶片,第一表面和第二表面中的至少一个包括沉积在表面上的金属化层。 该方法还包括在半导体晶片中形成从第一表面和第二表面中的一个向第一表面和第二表面中的另一个延伸的第一沟槽。 该方法还包括锯切另一表面中的第二沟槽,直到第二沟槽与第一沟槽连通,从而从半导体晶片分离集成电路。