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    • 1. 发明申请
    • CIRCUIT STRUCTURES AND METHODS WITH BEOL LAYER(S) CONFIGURED TO BLOCK ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE
    • 具有配置为阻塞电磁干扰的波形层的电路结构和方法
    • US20080277773A1
    • 2008-11-13
    • US11747342
    • 2007-05-11
    • Dae Ik KIMJonghae KIMMoon Ju KIMChoongyeun (Chuck) CHO
    • Dae Ik KIMJonghae KIMMoon Ju KIMChoongyeun (Chuck) CHO
    • H01L23/48H01L21/00
    • H01L23/552H01L2924/0002H01L2924/00
    • Back end of line (BEOL) circuit structures and methods are provided for blocking externally-originating or internally-originating electromagnetic interference. One such BEOL circuit structure includes one or more semiconductor substrates supporting one or more integrated circuits, and one or more BEOL layers disposed over the semiconductor substrate(s). At least one BEOL layer includes a conductive pattern defined at least partially by a plurality of elements arrayed in a first direction and a second direction throughout at least a portion thereof. The plurality of elements are sized and positioned in at least one of the first and second directions to block electromagnetic interference of a particular wavelength from passing therethrough. In one implementation, a first conductive pattern of a first BEOL layer polarizes electromagnetic interference, and a second conductive pattern of a second BEOL layer blocks the polarized electromagnetic interference.
    • 提供后端(BEOL)电路结构和方法来阻止外部来源或内部产生的电磁干扰。 一种这样的BEOL电路结构包括支撑一个或多个集成电路的一个或多个半导体衬底以及设置在半导体衬底之上的一个或多个BEOL层。 至少一个BEOL层包括至少部分地由在第一方向和第二方向排列的多个元件至少部分地限定的导电图案。 多个元件的大小和位置在第一和第二方向中的至少一个方向上,以阻止特定波长的电磁干扰通过。 在一个实施方案中,第一BEOL层的第一导电图案使电磁干扰偏振,并且第二BEOL层的第二导电图案阻挡极化的电磁干扰。