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1. 发明授权

US06555485B1 Method for fabricating a gate dielectric layer 有权
标题翻译：栅极电介质层的制造方法
公开(公告)号：US06555485B1
公开(公告)日：2003-04-29
申请号：US10055891
申请日：2002-01-28
申请人： Chuan-Hsi Liu , Hsiu-Shan Lin , Yu-Yin Lin , Tung-Ming Pan , Kuo-Tai Huang
发明人： Chuan-Hsi Liu , Hsiu-Shan Lin , Yu-Yin Lin , Tung-Ming Pan , Kuo-Tai Huang
IPC分类号： H01L2131
CPC分类号： H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L29/51 , H01L29/518
摘要： This invention relates to a method for forming a gate dielectric layer, and, more particularly, to a method for treating a base oxide layer by using a remote plasma nitridation procedure and a thermal annealing treatment in turn to form the gate dielectric layer. The first step of the present invention is to form a base oxide layer on a substrate of a wafer. The base oxide layer can be formed using any kind of method. Then nitrogen ions are introduced into the base oxide layer using the remote plasma nitridation procedure to form a remote plasma nitrided oxide layer. Finally, the wafer is placed in a reaction chamber which comprises oxygen (O2) or nitric monoxide (NO) to treat the remote plasma nitrided oxide layer using the thermal annealing procedure and the gate dielectric layer of the present invention is formed.
摘要翻译：本发明涉及一种用于形成栅极电介质层的方法，更具体地，涉及一种通过使用远程等离子体氮化处理和热退火处理依次形成栅极介电层来处理基底氧化物层的方法。本发明的第一步是在晶片的基片上形成基底氧化物层。基底氧化物层可以使用任何种类的方法形成。然后使用远程等离子体氮化方法将氮离子引入基底氧化物层中以形成远程等离子体氮化氧化物层。最后，将晶片放置在包含氧（O 2）或一氧化氮（NO）的反应室中，以使用热退火程序处理远程等离子体氮化氧化物层，并形成本发明的栅介质层。

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