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    • 10. 发明授权
    • Multiple-grid exposure method
    • 多栅曝光法
    • US08530121B2
    • 2013-09-10
    • US13368877
    • 2012-02-08
    • Wen Chuan WangShy-Jay LinPei-Yi LiuJaw-Jung ShinBurn Jeng Lin
    • Wen Chuan WangShy-Jay LinPei-Yi LiuJaw-Jung ShinBurn Jeng Lin
    • G03F9/00G03G5/00
    • G03F7/2022B82Y10/00B82Y40/00G03F7/20G03F7/704H01J37/3026H01J37/3174Y10S430/143
    • A method for fabricating a semiconductor device is disclosed. An exemplary method includes receiving an integrated circuit (IC) layout design including a target pattern on a grid. The method further includes receiving a multiple-grid structure. The multiple-grid structure includes a number of exposure grid segments offset one from the other by an offset amount in a first direction. The method further includes performing a multiple-grid exposure to expose the target pattern on a substrate and thereby form a circuit feature pattern on the substrate. Performing the multiple-grid exposure includes scanning the substrate with the multiple-grid structure in a second direction such that a sub-pixel shift of the exposed target pattern occurs in the first direction, and using a delta time (Δt) such that a sub-pixel shift of the exposed target pattern occurs in the second direction.
    • 公开了一种制造半导体器件的方法。 一种示例性方法包括接收包括网格上的目标图案的集成电路(IC)布局设计。 该方法还包括接收多网格结构。 多栅格结构包括多个曝光网格段,其在第一方向上彼此偏移一个偏移量。 该方法还包括执行多栅格曝光以将衬底上的目标图案曝光,从而在衬底上形成电路特征图案。 执行多栅格曝光包括在第二方向上以多栅格结构扫描衬底,使得暴露的目标图案的子像素偏移在第一方向上发生,并且使用增量时间(Deltat)使得子像素 曝光的目标图案的像素位移在第二方向发生。