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1. 发明授权

US07709886B2 Thin film transistor and pixel structure 有权
标题翻译：薄膜晶体管和像素结构
公开(公告)号：US07709886B2
公开(公告)日：2010-05-04
申请号：US11949781
申请日：2007-12-04
申请人： Wei-Hsiang Lo , Hao-Chieh Lee
发明人： Wei-Hsiang Lo , Hao-Chieh Lee
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78642 , H01L27/124 , H01L29/42384
摘要： A fabricating method of a TFT includes first forming a source on a substrate. Then, a first insulation pattern layer is formed to cover parts of the source and the substrate. The first insulation pattern layer has an opening exposing a part of the source. Thereafter, a gate pattern layer is formed on the first insulation pattern layer. Then, the gate pattern layer and a second insulation pattern layer formed thereon surround the opening. Moreover, a second lateral protection wall is formed on an edge of the gate pattern layer in the opening. Afterwards, a channel layer is formed in the opening and covers the second lateral protection wall and the source. Then, a passivation layer with a contact window is formed on the channel layer and the second insulation pattern layer to expose a portion of the channel layer. Thereafter, a drain is formed on the exposed channel layer.
摘要翻译： TFT的制造方法包括首先在基板上形成源极。然后，形成第一绝缘图案层以覆盖源和基板的部分。第一绝缘图案层具有露出源的一部分的开口。此后，在第一绝缘图案层上形成栅极图案层。然后，栅极图案层和形成在其上的第二绝缘图案层围绕开口。此外，在开口中的栅极图案层的边缘上形成第二侧面保护壁。之后，通道层形成在开口中并且覆盖第二横向保护壁和源。然后，在沟道层和第二绝缘图案层上形成具有接触窗的钝化层，以露出沟道层的一部分。此后，在暴露的沟道层上形成漏极。

2. 发明授权

US07923312B2 Fabricating method of thin film transistor 有权
标题翻译：薄膜晶体管的制造方法
公开(公告)号：US07923312B2
公开(公告)日：2011-04-12
申请号：US12700688
申请日：2010-02-04
申请人： Wei-Hsiang Lo , Hao-Chieh Lee
发明人： Wei-Hsiang Lo , Hao-Chieh Lee
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78642 , H01L27/124 , H01L29/42384
摘要： A fabricating method of a TFT includes first forming a source on a substrate. Then, a first insulation pattern layer is formed to cover parts of the source and the substrate. The first insulation pattern layer has an opening exposing a part of the source. Thereafter, a gate pattern layer is formed on the first insulation pattern layer. Then, the gate pattern layer and a second insulation pattern layer formed thereon surround the opening. Moreover, a second lateral protection wall is formed on an edge of the gate pattern layer in the opening. Afterwards, a channel layer is formed in the opening and covers the second lateral protection wall and the source. Then, a passivation layer with a contact window is formed on the channel layer and the second insulation pattern layer to expose a portion of the channel layer. Thereafter, a drain is formed on the exposed channel layer.
摘要翻译： TFT的制造方法包括首先在基板上形成源极。然后，形成第一绝缘图案层以覆盖源和基板的部分。第一绝缘图案层具有露出源的一部分的开口。此后，在第一绝缘图案层上形成栅极图案层。然后，栅极图案层和形成在其上的第二绝缘图案层围绕开口。此外，在开口中的栅极图案层的边缘上形成第二横向保护壁。之后，通道层形成在开口中并且覆盖第二横向保护壁和源。然后，在沟道层和第二绝缘图案层上形成具有接触窗的钝化层，以露出沟道层的一部分。此后，在暴露的沟道层上形成漏极。

3. 发明申请

US20100136753A1 FABRICATING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR 有权
标题翻译：薄膜晶体管的制作方法
公开(公告)号：US20100136753A1
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：US12700688
申请日：2010-02-04
申请人： Wei-Hsiang Lo , Hao-Chieh Lee
发明人： Wei-Hsiang Lo , Hao-Chieh Lee
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78642 , H01L27/124 , H01L29/42384
摘要： A fabricating method of a TFT includes first forming a source on a substrate. Then, a first insulation pattern layer is formed to cover parts of the source and the substrate. The first insulation pattern layer has an opening exposing a part of the source. Thereafter, a gate pattern layer is formed on the first insulation pattern layer. Then, the gate pattern layer and a second insulation pattern layer formed thereon surround the opening. Moreover, a second lateral protection wall is formed on an edge of the gate pattern layer in the opening. Afterwards, a channel layer is formed in the opening and covers the second lateral protection wall and the source. Then, a passivation layer with a contact window is formed on the channel layer and the second insulation pattern layer to expose a portion of the channel layer. Thereafter, a drain is formed on the exposed channel layer.
摘要翻译： TFT的制造方法包括首先在基板上形成源极。然后，形成第一绝缘图案层以覆盖源和基板的部分。第一绝缘图案层具有露出源的一部分的开口。此后，在第一绝缘图案层上形成栅极图案层。然后，栅极图案层和形成在其上的第二绝缘图案层围绕开口。此外，在开口中的栅极图案层的边缘上形成第二横向保护壁。之后，通道层形成在开口中并且覆盖第二横向保护壁和源。然后，在沟道层和第二绝缘图案层上形成具有接触窗的钝化层，以露出沟道层的一部分。此后，在暴露的沟道层上形成漏极。

4. 发明申请

US20080277721A1 THIN FILM TRANSISTOR, PIXEL STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREOF 有权
标题翻译：薄膜晶体管，像素结构及其制作方法
公开(公告)号：US20080277721A1
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：US11949781
申请日：2007-12-04
申请人： Wei-Hsiang Lo , Hao-Chieh Lee
发明人： Wei-Hsiang Lo , Hao-Chieh Lee
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78642 , H01L27/124 , H01L29/42384
摘要： A fabricating method of a TFT includes first forming a source on a substrate. Then, a first insulation pattern layer is formed to cover parts of the source and the substrate. The first insulation pattern layer has an opening exposing a part of the source. Thereafter, a gate pattern layer is formed on the first insulation pattern layer. Then, the gate pattern layer and a second insulation pattern layer formed thereon surround the opening. Moreover, a second lateral protection wall is formed on an edge of the gate pattern layer in the opening. Afterwards, a channel layer is formed in the opening and covers the second lateral protection wall and the source. Then, a passivation layer with a contact window is formed on the channel layer and the second insulation pattern layer to expose a portion of the channel layer. Thereafter, a drain is formed on the exposed channel layer.
摘要翻译： TFT的制造方法包括首先在基板上形成源极。然后，形成第一绝缘图案层以覆盖源和基板的部分。第一绝缘图案层具有露出源的一部分的开口。此后，在第一绝缘图案层上形成栅极图案层。然后，栅极图案层和形成在其上的第二绝缘图案层围绕开口。此外，在开口中的栅极图案层的边缘上形成第二横向保护壁。之后，通道层形成在开口中并且覆盖第二横向保护壁和源。然后，在沟道层和第二绝缘图案层上形成具有接触窗的钝化层，以露出沟道层的一部分。此后，在暴露的沟道层上形成漏极。

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