专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

US5387539A Method of manufacturing trench isolation 失效
标题翻译：制造沟槽隔离的方法
公开(公告)号：US5387539A
公开(公告)日：1995-02-07
申请号：US79673
申请日：1993-06-18
申请人： Hong S. Yang , Sung K. Kwon
发明人： Hong S. Yang , Sung K. Kwon
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/762 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/76229
摘要： A method of manufacturing a trench isolation comprising the steps of sequentially forming a first oxide layer a nitride layer and a first photoresist layer, forming a narrow trench and a wide trench, forming a first thermal oxide layer in the side and bottom face of trenches, forming a second oxide layer, depositing a first polysilicon oxide layer filling in the narrow trench by growing the first polysilicon layer growing into a second silicon layer, forming a third oxide layer, coating a second photoresist on the wide trench, and etching a third oxide layer. The present invention can provide a method of manufacturing a trench isolation which can prevent formation of voids in the narrow trench and the difference of height between narrow trench and wide trench, thereby preventing a conducting line short circuit and an increase of parasitic capacitance and a fall of the characteristic of the MOS transistor.
摘要翻译：一种制造沟槽隔离的方法，包括以下步骤：顺序地形成第一氧化物层氮化物层和第一光致抗蚀剂层，形成窄沟槽和宽沟槽，在沟槽的侧面和底面形成第一热氧化物层，形成第二氧化物层，通过生长生长到第二硅层中的第一多晶硅层，形成第三氧化物层，在宽沟槽上涂覆第二光致抗蚀剂，以及蚀刻第三氧化物，沉积填充在窄沟槽中的第一多晶硅氧化物层层。本发明可以提供一种制造沟槽隔离的方法，其可以防止窄沟槽中的空隙形成和窄沟槽与宽沟槽之间的高度差，从而防止导线短路和寄生电容的增加以及下降的MOS晶体管的特性。

2. 发明授权

US5510290A Method for forming a field oxide layer in a semiconductor device which prevents bird beak by nitradation of pad oxide 失效
标题翻译：在半导体器件中形成场氧化物层的方法，其通过衬垫氧化物的硝化来防止鸟嘴
公开(公告)号：US5510290A
公开(公告)日：1996-04-23
申请号：US414109
申请日：1995-03-31
申请人： Sung K. Kwon
发明人： Sung K. Kwon
IPC分类号： H01L21/316 , G03F7/00 , H01L21/32 , H01L21/76 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/32 , H01L21/76202
摘要： A method for forming a field oxide layer in a semiconductor device comprising the steps of: forming a pad oxide layer and a first resistant layer of oxidation, in turn, on a substrate; opening a field region by etching a portion of the said resistant layer of oxidation, whereby a part of the said pad oxide layer remains; forming the pad oxide layer into a nitric oxide layer; forming a second and a third resistant layer of oxidation, in turn, on a resultant structure; forming a spacer layer by applying anisotropic etching to the third resistant layer of oxidation; exposing a portion of the substrate by etching the second resistant layer of oxidation and the pad layer which is formed into the nitride layer; and forming the field oxide layer by oxidizing the substrate.
摘要翻译：一种在半导体器件中形成场氧化物层的方法，包括以下步骤：在衬底上形成衬垫氧化物层和氧化的第一电阻层; 通过蚀刻所述抗氧化层的一部分来打开场区域，由此保留所述衬垫氧化物层的一部分; 将所述衬垫氧化物层形成为一氧化氮层; 在所得结构上形成第二和第三耐氧化层; 通过向第三抗氧化层施加各向异性蚀刻形成间隔层; 通过蚀刻第二抗氧化层和形成氮化物层的焊盘层来暴露衬底的一部分; 以及通过氧化衬底形成场氧化物层。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式