会员体验
专利管家（专利管理）
工作空间（专利管理）
风险监控（情报监控）
数据分析（专利分析）
侵权分析（诉讼无效）
联系我们
交流群
官方交流：
QQ群： 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
下载
著录项
PDF全文
热词
    • 1. 发明授权
      US08509016B2 Methods and memory devices for repairing memory cells 有权
    • Methods and memory devices for repairing memory cells
    • 用于修复存储器单元的方法和存储器件
    • US08509016B2
    • 2013-08-13
    • US13420468
    • 2012-03-14
    • Aron Lunde , Seth Eichmeyer , Tim Cowles , Patrick Mullarkey
    • Aron Lunde , Seth Eichmeyer , Tim Cowles , Patrick Mullarkey
    • G11C29/00
    • G11C29/76
    • Methods and memory devices for repairing memory cells are discloses, such as a memory device that includes a main array having a plurality of sections of memory cells. One such main array includes a plurality of sets of input/output lines, each of which may be coupled to a respective plurality of memory cells in each section. One such memory device also includes a redundant section of memory cells, corresponding in number to the number of memory cells in each of the sections of the main array. An addressing circuit may contain a record of, for example, sections that have been determined to be defective. The addressing circuit may receive an address and compare the received address with the record of defective sections. In the event of a match, the addressing circuit may redirect an access to memory cells corresponding to the received address to memory cells in the redundant section.
    • 公开了用于修复存储器单元的方法和存储器件，诸如包括具有多个存储单元部分的主阵列的存储器件。 一个这样的主阵列包括多组输入/输出线，其中每一组可以耦合到每个部分中相应的多个存储器单元。 一个这样的存储器设备还包括存储器单元的冗余部分，其数量对应于主阵列的每个部分中的存储器单元的数量。 寻址电路可以包含例如已被确定为有缺陷的部分的记录。 寻址电路可以接收地址并将接收到的地址与缺陷区段的记录进行比较。 在匹配的情况下，寻址电路可以将访问对应于接收到的地址的存储器单元重定向到冗余部分中的存储器单元。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 3. 发明申请
      US20110051538A1 METHODS AND MEMORY DEVICES FOR REPAIRING MEMORY CELLS 有权
    • METHODS AND MEMORY DEVICES FOR REPAIRING MEMORY CELLS
    • 用于修复记忆细胞的方法和存储器件
    • US20110051538A1
    • 2011-03-03
    • US12547209
    • 2009-08-25
    • Aron Lunde , Seth Eichmeyer , Tim Cowles , Patrick Mullarkey
    • Aron Lunde , Seth Eichmeyer , Tim Cowles , Patrick Mullarkey
    • G11C29/00 , G11C7/06 , G11C8/00
    • G11C29/76
    • Methods and memory devices for repairing memory cells are discloses, such as a memory device that includes a main array having a plurality of sections of memory cells. One such main array includes a plurality of sets of input/output lines, each of which may be coupled to a respective plurality of memory cells in each section. One such memory device also includes a redundant section of memory cells, corresponding in number to the number of memory cells in each of the sections of the main array. An addressing circuit may contain a record of, for example, sections that have been determined to be defective. The addressing circuit may receive an address and compare the received address with the record of defective sections. In the event of a match, the addressing circuit may redirect an access to memory cells corresponding to the received address to memory cells in the redundant section.
    • 公开了用于修复存储器单元的方法和存储器件，例如包括具有多个存储单元部分的主阵列的存储器件。 一个这样的主阵列包括多组输入/输出线，其中每一组可以耦合到每个部分中相应的多个存储器单元。 一个这样的存储器设备还包括存储器单元的冗余部分，其数量对应于主阵列的每个部分中的存储器单元的数量。 寻址电路可以包含例如已被确定为有缺陷的部分的记录。 寻址电路可以接收地址并将接收到的地址与缺陷区段的记录进行比较。 在匹配的情况下，寻址电路可以将访问对应于接收到的地址的存储器单元重定向到冗余部分中的存储器单元。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 5. 发明申请
      US20120176851A1 METHODS AND MEMORY DEVICES FOR REPAIRING MEMORY CELLS 有权
    • METHODS AND MEMORY DEVICES FOR REPAIRING MEMORY CELLS
    • 用于修复记忆细胞的方法和存储器件
    • US20120176851A1
    • 2012-07-12
    • US13420468
    • 2012-03-14
    • Aron Lunde , Seth Eichmeyer , Tim Cowles , Patrick Mullarkey
    • Aron Lunde , Seth Eichmeyer , Tim Cowles , Patrick Mullarkey
    • G11C29/04
    • G11C29/76
    • Methods and memory devices for repairing memory cells are discloses, such as a memory device that includes a main array having a plurality of sections of memory cells. One such main array includes a plurality of sets of input/output lines, each of which may be coupled to a respective plurality of memory cells in each section. One such memory device also includes a redundant section of memory cells, corresponding in number to the number of memory cells in each of the sections of the main array. An addressing circuit may contain a record of, for example, sections that have been determined to be defective. The addressing circuit may receive an address and compare the received address with the record of defective sections. In the event of a match, the addressing circuit may redirect an access to memory cells corresponding to the received address to memory cells in the redundant section.
    • 公开了用于修复存储器单元的方法和存储器件，诸如包括具有多个存储单元部分的主阵列的存储器件。 一个这样的主阵列包括多组输入/输出线，其中每一组可以耦合到每个部分中相应的多个存储器单元。 一个这样的存储器设备还包括存储器单元的冗余部分，其数量对应于主阵列的每个部分中的存储器单元的数量。 寻址电路可以包含例如已被确定为有缺陷的部分的记录。 寻址电路可以接收地址并将接收到的地址与缺陷区段的记录进行比较。 在匹配的情况下，寻址电路可以将访问对应于接收到的地址的存储器单元重定向到冗余部分中的存储器单元。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 6. 发明授权
      US08144534B2 Methods and memory devices for repairing memory cells 有权
    • Methods and memory devices for repairing memory cells
    • 用于修复存储器单元的方法和存储器件
    • US08144534B2
    • 2012-03-27
    • US12547209
    • 2009-08-25
    • Aron Lunde , Seth Eichmeyer , Tim Cowles , Patrick Mullarkey
    • Aron Lunde , Seth Eichmeyer , Tim Cowles , Patrick Mullarkey
    • G11C29/00
    • G11C29/76
    • Methods and memory devices for repairing memory cells are discloses, such as a memory device that includes a main array having a plurality of sections of memory cells. One such main array includes a plurality of sets of input/output lines, each of which may be coupled to a respective plurality of memory cells in each section. One such memory device also includes a redundant section of memory cells, corresponding in number to the number of memory cells in each of the sections of the main array. An addressing circuit may contain a record of, for example, sections that have been determined to be defective. The addressing circuit may receive an address and compare the received address with the record of defective sections. In the event of a match, the addressing circuit may redirect an access to memory cells corresponding to the received address to memory cells in the redundant section.
    • 公开了用于修复存储器单元的方法和存储器件，例如包括具有多个存储单元部分的主阵列的存储器件。 一个这样的主阵列包括多组输入/输出线，其中每一组可以耦合到每个部分中相应的多个存储器单元。 一个这样的存储器设备还包括存储器单元的冗余部分，其数量对应于主阵列的每个部分中的存储器单元的数量。 寻址电路可以包含例如已被确定为有缺陷的部分的记录。 寻址电路可以接收地址并将接收到的地址与缺陷区段的记录进行比较。 在匹配的情况下，寻址电路可以将访问对应于接收到的地址的存储器单元重定向到冗余部分中的存储器单元。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
每页展示10个专利
每页展示10个专利
每页展示20个专利
每页展示50个专利
每页展示100个专利

IPRDB

最新中国发明专利 最新美国发明专利 技术领域 专利库 专利分类库 国际专利分类库

热门服务

会员版试用 API 数据接口 找代理 知嘟嘟专利交易 排行榜 大学排行榜 专利百科

关于我们

平台介绍 战略合作 网站地图

友情链接

知嘟嘟专利交易 国家知识产权局 中国商标网

联系方式


©2019-2023 上海吉码数字技术有限公司 版权所有，并保留所有权利 沪ICP备20016256号-6 沪公网安备31011702005475号