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1. 发明授权

US06395652B2 Method of manufacturing thin film transistor 有权
标题翻译：制造薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：US06395652B2
公开(公告)日：2002-05-28
申请号：US09736308
申请日：2000-12-15
申请人： Cheol-Se Kim , Dong-Hee Kim , Myeung-Kyu Lee
发明人： Cheol-Se Kim , Dong-Hee Kim , Myeung-Kyu Lee
IPC分类号： H01L2131
CPC分类号： H01L29/66765 , H01L29/78669
摘要： A method of manufacturing a thin film transistor, includes preparing a process chamber having a stage, providing a substrate on the stage of the process chamber, injecting a first mixed gas of NH3, N2 and SiH4 into the process chamber, forming a plasma in the process chamber and forming a silicon nitride film (SiNx) on the substrate, injecting a second mixed gas of H2 and SiH4 into the process chamber while removing the first mixed gas in the plasma state, forming a pure amorphous silicon film (a-Si:H) on the silicon nitride film using the second mixed gas, injecting a third mixed gas of H2, SiH4 and PH3 into the process chamber while removing the second mixed gas in the plasma state, and forming a doped amorphous silicon film (n+ a-Si:H) on the silicon nitride film using the second mixed gas.
摘要翻译：制造薄膜晶体管的方法包括制备具有级的处理室，在处理室的台上提供衬底，将NH 3，N 2和SiH 4的第一混合气体注入到处理室中，在第在衬底上形成氮化硅膜（SiNx），在等离子体状态下除去第一混合气体，将H2和SiH4的第二混合气体注入到处理室中，形成纯非晶硅膜（a-Si： H）在使用第二混合气体的氮化硅膜上，在等离子体状态下除去第二混合气体，将H2，SiH4和PH3的第三混合气体注入到处理室中，形成掺杂的非晶硅膜（n + a- Si：H），使用第二混合气体。

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