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1. 发明授权

US07834376B2 Power semiconductor switch 有权
标题翻译：功率半导体开关
公开(公告)号：US07834376B2
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：US11368979
申请日：2006-03-06
申请人： Rossano Carta , Laura Bellemo , Giovanni Richieri , Luigi Merlin
发明人： Rossano Carta , Laura Bellemo , Giovanni Richieri , Luigi Merlin
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L21/047 , H01L29/0657 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/8083
摘要： A SiC JFET that includes a plurality of trenches formed in a SiC semiconductor body of one conductivity each trench having a region of another conductivity formed in the bottom and sidewalls thereof.
摘要翻译：一种SiC JFET，其包括形成在一个导电性的SiC半导体主体中的多个沟槽，每个沟槽具有形成在其底部和侧壁中的另一导电区域。

2. 发明授权

US07384826B2 Method of forming ohmic contact to a semiconductor body 有权
标题翻译：与半导体本体形成欧姆接触的方法
公开(公告)号：US07384826B2
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：US11169820
申请日：2005-06-29
申请人： Giovanni Richieri
发明人： Giovanni Richieri
IPC分类号： H01L21/332
CPC分类号： H01L29/417 , G02F2001/0155 , G02F2201/126
摘要： A process for forming an ohmic contact on the back surface of a semiconductor body includes depositing a donor layer on the back surface of the semiconductor body followed by a sintering step to form a shallow intermetallic region capable of forming a low resistance contact with a contact metal.
摘要翻译：在半导体本体的背面上形成欧姆接触的工艺包括在半导体本体的后表面上沉积施主层，随后进行烧结步骤以形成能够与接触金属形成低电阻接触的浅金属间区域。

3. 发明授权

US09472403B2 Power semiconductor switch with plurality of trenches 有权
标题翻译：功率半导体开关具有多个沟槽
公开(公告)号：US09472403B2
公开(公告)日：2016-10-18
申请号：US12946787
申请日：2010-11-15
申请人： Rossano Carta , Laura Bellemo , Giovanni Richieri , Luigi Merlin
发明人： Rossano Carta , Laura Bellemo , Giovanni Richieri , Luigi Merlin
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/04 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/808
CPC分类号： H01L21/047 , H01L29/0657 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/8083
摘要： A SiC JFET that includes a plurality of trenches formed in a SiC semiconductor body of one conductivity each trench having a region of another conductivity formed in the bottom and sidewalls thereof.
摘要翻译：一种SiC JFET，其包括形成在一个导电性的SiC半导体主体中的多个沟槽，每个沟槽具有形成在其底部和侧壁中的另一导电区域。

4. 发明授权

US08368165B2 Silicon carbide Schottky diode 有权
标题翻译：碳化硅肖特基二极管
公开(公告)号：US08368165B2
公开(公告)日：2013-02-05
申请号：US11581536
申请日：2006-10-16
申请人： Giovanni Richieri
发明人： Giovanni Richieri
IPC分类号： H01L29/47
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/1608 , H01L29/47 , H01L2224/05
摘要： A SiC Schottky diode which includes a Schottky barrier formed on a silicon face 4H—SiC body.
摘要翻译：一种SiC肖特基二极管，其包括形成在硅表面4H-SiC体上的肖特基势垒。

5. 发明申请

US20070264809A1 Process for manufacture of trench schottky 有权
标题翻译：沟槽肖特基的制造工艺
公开(公告)号：US20070264809A1
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：US11715225
申请日：2007-03-07
申请人： Giovanni Richieri
发明人： Giovanni Richieri
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L29/47 , H01L29/66143 , H01L29/872 , H01L29/8725
摘要： A trench-type Schottky semiconductor device and a method for fabricating the trench-type Schottky semiconductor device are disclosed. The method includes the steps of forming an epitaxial (EPI) layer atop a silicon substrate, forming a nitride layer atop the EPI layer, patterning a plurality of windows in the nitride layer into an active region and a termination region, forming a plurality of trenches in the active and termination regions such that the plurality of trenches in the termination regions are spaced apart from each other so as to form a plurality of mesas, lining the first type of trenches with a gate oxide layer, and converting the mesas to oxide mesas; and then applying a barrier layer metal to the mesas in the device active area and in the termination trenches.
摘要翻译：公开了一种沟槽型肖特基半导体器件和制造沟槽型肖特基半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：在硅衬底之上形成外延层（EPI）层，在EPI层顶上形成氮化物层，将氮化物层中的多个窗口图形化为有源区和端接区，形成多个沟槽在活性和终止区域中，使得终端区域中的多个沟槽彼此间隔开以形成多个台面，用第一类型的沟槽衬有栅极氧化物层，并将台面转换成氧化物台面 ; 然后将屏障层金属施加到器件有源区域和端接沟槽中的台面。

6. 发明申请

US20060197105A1 Power semiconductor switch 有权
标题翻译：功率半导体开关
公开(公告)号：US20060197105A1
公开(公告)日：2006-09-07
申请号：US11368979
申请日：2006-03-06
申请人： Rossano Carta , Laura Bellemo , Giovanni Richieri , Luigi Merlin
发明人： Rossano Carta , Laura Bellemo , Giovanni Richieri , Luigi Merlin
IPC分类号： H01L29/423
CPC分类号： H01L21/047 , H01L29/0657 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/8083
摘要： A SiC JFET that includes a plurality of trenches formed in a SiC semiconductor body of one conductivity each trench having a region of another conductivity formed in the bottom and sidewalls thereof.
摘要翻译：一种SiC JFET，其包括形成在一个导电性的SiC半导体主体中的多个沟槽，每个沟槽具有形成在其底部和侧壁中的另一导电区域。

7. 发明授权

US09496420B2 Molybdenum barrier metal for SiC Schottky diode and process of manufacture 有权
公开(公告)号：US09496420B2
公开(公告)日：2016-11-15
申请号：US11888452
申请日：2007-07-31
申请人： Giovanni Richieri
发明人： Giovanni Richieri
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/44 , H01L29/872 , H01L29/16 , H01L29/47 , H01L29/66 , H01L29/06
摘要： A method for fabricating a diode is disclosed. In one embodiment, the method includes forming a Schottky contact on an epitaxial layer of silicon carbide (SiC) and annealing the Schottky contact at a temperature in the range of 300° C. to 700° C. The Schottky contact is formed of a layer of molybdenum.

8. 发明申请

US20080230867A1 Method of forming ohmic contact to a semiconductor body 审中-公开
公开(公告)号：US20080230867A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：US12150525
申请日：2008-04-29
申请人： Giovanni Richieri
发明人： Giovanni Richieri
IPC分类号： H01L27/06
CPC分类号： H01L29/417 , G02F2001/0155 , G02F2201/126
摘要： A process for forming an ohmic contact on the back surface of a semiconductor body includes depositing a donor layer on the back surface of the semiconductor body followed by a sintering step to form a shallow intermetallic region capable of forming a low resistance contact with a contact metal.

9. 发明申请

US20070210347A1 Trench MOS Schottky barrier rectifier with high k gate dielectric and reduced mask process for the manufacture thereof 有权
标题翻译：具有高k栅介质的沟槽MOS肖特基势垒整流器和用于其制造的减少掩模工艺
公开(公告)号：US20070210347A1
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：US11710110
申请日：2007-02-23
申请人： Carmelo Sanfilippo , Rossano Carta , Giovanni Richieri , Paolo Mercaldi
发明人： Carmelo Sanfilippo , Rossano Carta , Giovanni Richieri , Paolo Mercaldi
IPC分类号： H01L29/768
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0657 , H01L29/66143 , H01L29/8725
摘要： A trench MOS Schottky barrier device has a metal oxide gate dielectric such as TiSi lining the trench wall to increase the efficiency of the elemental cell and to improve depletion in the mesa during reverse bias. A reduced mask process is used in which a single layer of titanium or other metal is deposited on an underlying gate oxide layer on the trench walls and directly atop the mesa between adjacent trenches. A common thermal treatment causes the Ti to diffuse into the SiO2 gate oxide to form the TiO2 gate and to form the TiSi Schottky barrier on the top surface of the mesa.
摘要翻译：沟槽MOS肖特基势垒器件具有金属氧化物栅极电介质，例如衬在沟槽壁上的TiSi，以提高元件电池的效率，并且在反向偏压期间改善台面的耗尽。使用减小的掩模工艺，其中单层钛或其他金属沉积在沟槽壁上的下游栅极氧化物层上并且直接位于相邻沟槽之间的台面之上。常见的热处理使得Ti扩散到SiO 2 O 2栅极氧化物中以形成TiO 2栅极并且在台面的顶表面上形成TiSi肖特基势垒。

10. 发明申请

US20060003514A1 Method of forming ohmic contact to a semiconductor body 有权
标题翻译：与半导体主体形成欧姆接触的方法
公开(公告)号：US20060003514A1
公开(公告)日：2006-01-05
申请号：US11169820
申请日：2005-06-29
申请人： Giovanni Richieri
发明人： Giovanni Richieri
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L29/417 , G02F2001/0155 , G02F2201/126
摘要： A process for forming an ohmic contact on the back surface of a semiconductor body includes depositing a donor layer on the back surface of the semiconductor body followed by a sintering step to form a shallow intermetallic region capable of forming a low resistance contact with a contact metal.
摘要翻译：在半导体本体的背面上形成欧姆接触的工艺包括在半导体本体的后表面上沉积施主层，随后进行烧结步骤以形成能够与接触金属形成低电阻接触的浅金属间区域。

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