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    • 2. 发明申请
    • Method for reforming color filter array of a CMOS image sensor
    • CMOS图像传感器的滤色器阵列的改造方法
    • US20060126005A1
    • 2006-06-15
    • US11302388
    • 2005-12-14
    • Dong Cha
    • Dong Cha
    • G02F1/13
    • H01L27/14645H01L27/14621H01L27/14627H01L27/14685
    • A method is provided for reforming a color filter array of a CMOS image sensor, wherein the method includes exposing the first cap oxide layer by removing the first micro-lens, the first cap oxide layer by removing the first micro-lens, the first OCM pattern and the first color filter array; removing the exposed first cap oxide layer; forming a second cap oxide layer on an entire surface of the semiconductor substrate; forming a second color filter array on the second cap oxide layer in correspondence with the unit pixel array region; forming a second OCM pattern on the second color filter array; exposing the metal pad by selectively etching the second cap oxide layer; and forming a second micro-lens on the second OCM pattern.
    • 提供一种用于对CMOS图像传感器的滤色器阵列进行重整的方法,其中该方法包括通过移除第一微透镜,通过去除第一微透镜来去除第一帽氧化物层,第一OCM 图案和第一个滤色器阵列; 去除暴露的第一帽氧化物层; 在所述半导体衬底的整个表面上形成第二帽氧化物层; 在所述第二帽氧化物层上形成与所述单位像素阵列区域对应的第二滤色器阵列; 在所述第二滤色器阵列上形成第二OCM图案; 通过选择性地蚀刻第二盖氧化物层来暴露金属焊盘; 以及在所述第二OCM图案上形成第二微透镜。