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    • 1. 发明授权
      US07477558B2 Semiconductor memory device, a local precharge circuit and method thereof 有权
    • Semiconductor memory device, a local precharge circuit and method thereof
    • 半导体存储器件，局部预充电电路及其方法
    • US07477558B2
    • 2009-01-13
    • US11523052
    • 2006-09-19
    • Soon-Seob Lee , Dae-Joon Kim , Dong-Ho Hyeon
    • Soon-Seob Lee , Dae-Joon Kim , Dong-Ho Hyeon
    • G11C7/00
    • G11C7/12
    • A semiconductor memory device, a local precharge circuit and a method thereof are provided. The example semiconductor memory device may include a local input/output line connected to a bit line coupled with a memory cell, through a column selection transistor, the local input/output line providing a transmission path on which to transmit a data signal through the bit line to a local sense amplifier and a local precharge circuit configured to adjust a precharge voltage level of the local input/output line based on a status of an active mode and a status of a column selection signal. The active mode may be a period where a word line is enabled. The example local precharge circuit may be included within the example semiconductor memory device.
    • 提供半导体存储器件，局部预充电电路及其方法。 示例性半导体存储器件可以包括通过列选择晶体管连接到与存储器单元耦合的位线的本地输入/输出线，该本地输入/输出线提供在其上通过位发送数据信号的传输路径 线路连接到本地感测放大器和局部预充电电路，其被配置为基于活动模式的状态和列选择信号的状态来调整本地输入/输出线的预充电电压电平。 活动模式可以是启用字线的时段。 示例性局部预充电电路可以包括在示例半导体存储器件内。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 4. 发明申请
      US20070280018A1 Semiconductor memory device, a local precharge circuit and method thereof 有权
    • Semiconductor memory device, a local precharge circuit and method thereof
    • 半导体存储器件，局部预充电电路及其方法
    • US20070280018A1
    • 2007-12-06
    • US11523052
    • 2006-09-19
    • Soon-Seob Lee , Dae-Joon Kim , Dong-Ho Hyeon
    • Soon-Seob Lee , Dae-Joon Kim , Dong-Ho Hyeon
    • G11C7/00 , G11C8/00
    • G11C7/12
    • A semiconductor memory device, a local precharge circuit and a method thereof are provided. The example semiconductor memory device may include a local input/output line connected to a bit line coupled with a memory cell, through a column selection transistor, the local input/output line providing a transmission path on which to transmit a data signal through the bit line to a local sense amplifier and a local precharge circuit configured to adjust a precharge voltage level of the local input/output line based on a status of an active mode and a status of a column selection signal. The example local precharge circuit may be included within the example semiconductor memory device. The example semiconductor memory device including the example local precharge circuit may be capable of adjusting a precharge voltage level of the local input/output line based on a status of an active mode and a status of a column selection signal, the active mode referring to a period where a word line is enabled.
    • 提供半导体存储器件，局部预充电电路及其方法。 示例性半导体存储器件可以包括通过列选择晶体管连接到与存储器单元耦合的位线的本地输入/输出线，该本地输入/输出线提供在其上通过位发送数据信号的传输路径 线路连接到本地感测放大器和局部预充电电路，其被配置为基于活动模式的状态和列选择信号的状态来调整本地输入/输出线的预充电电压电平。 示例性局部预充电电路可以包括在示例半导体存储器件内。 包括示例性局部预充电电路的示例半导体存储器件可以能够基于活动模式的状态和列选择信号的状态来调整本地输入/输出线的预充电电压电平，活动模式参考 启用字线的时间段。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
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