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1. 发明申请

US20060211157A1 Novel CMP endpoint detection process 审中-公开
标题翻译：新型CMP端点检测过程
公开(公告)号：US20060211157A1
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：US11082406
申请日：2005-03-17
申请人： Stanley Smith , Christopher Borst
发明人： Stanley Smith , Christopher Borst
IPC分类号： H01L21/4763
CPC分类号： H01L21/7684 , H01L21/3212 , H01L22/26
摘要： The present invention provides a method for polishing a layer of material, a method for manufacturing a damascene interconnect structure, and a method for manufacturing an integrated circuit. The method for polishing a layer of material, among other steps, includes obtaining a substrate (310) having a layer of material (330) located thereover, and polishing the layer of material (330) using a polishing surface (410). The step of polishing the layer of material may include subjecting the layer of material (330) to a first polishing process using a first endpoint detection method, the first polishing process removing a portion of the layer of material, and subjecting remaining portions (420) of the layer of material (330) to a second polishing process using a second different optical endpoint detection method.
摘要翻译：本发明提供了一种用于抛光材料层的方法，一种用于制造镶嵌互连结构的方法和一种用于制造集成电路的方法。除了其他步骤之外，用于抛光材料层的方法包括获得具有位于其上的材料层（330）的衬底（310），并且使用抛光表面（410）抛光材料层（330）。抛光材料层的步骤可以包括使用第一端点检测方法对材料层（330）进行第一抛光工艺，第一抛光工艺移除材料层的一部分，以及对剩余部分（420）进行处理，使用第二种不同的光学终点检测方法将材料层（330）转移到第二抛光工艺。

2. 发明申请

US20060099804A1 Post-polish treatment for inhibiting copper corrosion 有权
标题翻译：后处理以抑制铜腐蚀
公开(公告)号：US20060099804A1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：US10985193
申请日：2004-11-10
申请人： Deepak Ramappa , Mona Eissa , Christopher Borst , Ting Tsui
发明人： Deepak Ramappa , Mona Eissa , Christopher Borst , Ting Tsui
IPC分类号： H01L21/44
CPC分类号： H01L21/76886 , H01L21/7684
摘要： Methods (102) are presented for protecting copper structures (26) from corrosion in the fabrication of semiconductor devices (2), wherein a thin semiconductor or copper-semiconductor alloy corrosion protection layer (30) is formed on an exposed surface (26a) of a copper structure (26) prior to performance of metrology operations (206), so as to inhibit corrosion of the copper structure (26). All or a portion of the corrosion protection layer (30) is then removed (214) in forming an opening in an overlying dielectric (44) in a subsequent interconnect layer.
摘要翻译：在半导体器件（2）的制造中提出了用于保护铜结构（26）免受腐蚀的方法（102），其中在暴露表面（26a）上形成薄的半导体或铜 - 半导体合金腐蚀保护层（30）在执行计量操作（206）之前，铜结构（26），以便抑制铜结构（26）的腐蚀。然后在随后的互连层中在覆盖电介质（44）中形成开口的全部或一部分腐蚀保护层（30）被去除（214）。

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