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1. 发明申请

US20050250277A1 Method for reclaiming and reusing wafers 有权
标题翻译：回收再利用晶圆的方法
公开(公告)号：US20050250277A1
公开(公告)日：2005-11-10
申请号：US10942690
申请日：2004-09-15
申请人： Jen-Chieh Chang , Shih-Chi Lai , Yi-Fu Chung , Chih-Shin Tsai
发明人： Jen-Chieh Chang , Shih-Chi Lai , Yi-Fu Chung , Chih-Shin Tsai
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/02079
摘要： Embodiments of the present invention provide a method for reclaiming and reusing a wafer. In one embodiment, a method for reclaiming a wafer comprises providing a used, nonproductive wafer having a semiconductor substrate and a polysilicon layer formed on the semiconductor substrate; oxidizing a first part of the polysilicon layer to form a first oxide layer; removing the first oxide layer; and oxidizing a second part of the polysilicon layer to form a second oxide layer on the used wafer which is to be used as a reclaimed wafer. The nonproductive wafer is used to improve the quality of a deposition process of the polysilicon layer on one or more productive wafers.
摘要翻译：本发明的实施例提供了一种用于回收和再利用晶片的方法。在一个实施例中，一种用于回收晶片的方法包括提供使用的非生产性晶片，其具有形成在半导体衬底上的半导体衬底和多晶硅层; 氧化多晶硅层的第一部分以形成第一氧化物层; 去除第一氧化物层; 以及氧化所述多晶硅层的第二部分，以在用作再生晶片的所用晶片上形成第二氧化物层。非生产性晶片用于提高多晶硅层在一个或多个生产性晶片上的沉积工艺的质量。

2. 发明授权

US07375005B2 Method for reclaiming and reusing wafers 有权
标题翻译：回收再利用晶圆的方法
公开(公告)号：US07375005B2
公开(公告)日：2008-05-20
申请号：US10942690
申请日：2004-09-15
申请人： Jen-Chieh Chang , Shih-Chi Lai , Yi-Fu Chung , Chih-Shin Tsai
发明人： Jen-Chieh Chang , Shih-Chi Lai , Yi-Fu Chung , Chih-Shin Tsai
IPC分类号： H01L21/46
CPC分类号： H01L21/02079
摘要： Embodiments of the present invention provide a method for reclaiming and reusing a wafer. In one embodiment, a method for reclaiming a wafer comprises providing a used, nonproductive wafer having a semiconductor substrate and a polysilicon layer formed on the semiconductor substrate; oxidizing a first part of the polysilicon layer to form a first oxide layer; removing the first oxide layer; and oxidizing a second part of the polysilicon layer to form a second oxide layer on the used wafer which is to be used as a reclaimed wafer. The nonproductive wafer is used to improve the quality of a deposition process of the polysilicon layer on one or more productive wafers.
摘要翻译：本发明的实施例提供了一种用于回收和再利用晶片的方法。在一个实施例中，一种用于回收晶片的方法包括提供使用的非生产性晶片，其具有形成在半导体衬底上的半导体衬底和多晶硅层; 氧化多晶硅层的第一部分以形成第一氧化物层; 去除第一氧化物层; 以及氧化所述多晶硅层的第二部分，以在用作再生晶片的所用晶片上形成第二氧化物层。非生产性晶片用于提高多晶硅层在一个或多个生产性晶片上的沉积工艺的质量。

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