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1. 发明授权

US08557673B1 Manufacturing method for high capacitance capacitor structure 有权
标题翻译：高容量电容器结构的制造方法
公开(公告)号：US08557673B1
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：US13476251
申请日：2012-05-21
申请人： Shin-Bin Huang , Cheng-Yeh Hsu , Chung-Lin Huang
发明人： Shin-Bin Huang , Cheng-Yeh Hsu , Chung-Lin Huang
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L28/91
摘要： A manufacturing method of a capacitor structure is provided, which includes the steps of: on a substrate having a first oxide layer, (a) forming a first suspension layer on the first oxide layer; (b) forming a first shallow trench into the first oxide layer above the substrate; (c) forming a second oxide layer filling the first shallow trench; (d) forming a second suspension layer on the second oxide layer; (e) forming a second shallow trench through the second suspension layer into the second oxide layer above the first suspension layer; (f) forming at least one deep trench on the bottom surface of the second shallow trench through the second and the first oxide layers, (g) forming an electrode layer on the inner surface of the deep trench; and (h) removing the first and second oxide layers through the trench openings in the first and the second suspension layers.
摘要翻译：提供一种电容器结构的制造方法，其包括以下步骤：在具有第一氧化物层的衬底上，（a）在第一氧化物层上形成第一悬浮层; （b）在衬底上方的第一氧化物层中形成第一浅沟槽; （c）形成填充所述第一浅沟槽的第二氧化物层; （d）在第二氧化物层上形成第二悬浮层; （e）通过所述第二悬浮层形成穿过所述第一悬浮层上方的所述第二氧化物层的第二浅沟槽; （f）通过第二和第一氧化物层在第二浅沟槽的底表面上形成至少一个深沟槽，（g）在深沟槽的内表面上形成电极层; 和（h）通过第一和第二悬浮层中的沟槽开口去除第一和第二氧化物层。

2. 发明授权

US07829403B2 Method for fabricating semiconductor device 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US07829403B2
公开(公告)日：2010-11-09
申请号：US12139426
申请日：2008-06-13
申请人： Wen-Hsiang Chen , Cheng-Yeh Hsu
发明人： Wen-Hsiang Chen , Cheng-Yeh Hsu
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/28114 , H01L21/823842
摘要： A method for fabricating a semiconductor device is provided. A first active region and a second active region are defined in a substrate. An electrode covering the first active region and the second active region is formed on the substrate. A first sacrificial layer is formed on the second active layer. A first work function electrode is formed on the first active layer by performing a first doping process to a portion of the electrode. The first sacrificial layer is removed. A second sacrificial layer is formed on the first active layer.
摘要翻译：提供一种制造半导体器件的方法。在衬底中限定第一有源区和第二有源区。在衬底上形成覆盖第一有源区和第二有源区的电极。在第二活性层上形成第一牺牲层。通过对电极的一部分进行第一掺杂工艺，在第一有源层上形成第一功函电极。第一牺牲层被去除。在第一有源层上形成第二牺牲层。

3. 发明申请

US20130252397A1 MANUFACTURING METHOD FOR HIGH CAPACITANCE CAPACITOR STRUCTURE 有权
标题翻译：高容量电容器结构的制造方法
公开(公告)号：US20130252397A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：US13476251
申请日：2012-05-21
申请人： SHIN-BIN HUANG , CHENG-YEH HSU , CHUNG-LIN HUANG
发明人： SHIN-BIN HUANG , CHENG-YEH HSU , CHUNG-LIN HUANG
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L28/91
摘要： A manufacturing method of a capacitor structure is provided, which includes the steps of: on a substrate having a first oxide layer, (a) forming a first suspension layer on the first oxide layer; (b) forming a first shallow trench into the first oxide layer above the substrate; (c) forming a second oxide layer filling the first shallow trench; (d) forming a second suspension layer on the second oxide layer; (e) forming a second shallow trench through the second suspension layer into the second oxide layer above the first suspension layer; (f) forming at least one deep trench on the bottom surface of the second shallow trench through the second and the first oxide layers, (g) forming an electrode layer on the inner surface of the deep trench; and (h) removing the first and second oxide layers through the trench openings in the first and the second suspension layers.
摘要翻译：提供一种电容器结构的制造方法，其包括以下步骤：在具有第一氧化物层的衬底上，（a）在第一氧化物层上形成第一悬浮层; （b）在衬底上方的第一氧化物层中形成第一浅沟槽; （c）形成填充所述第一浅沟槽的第二氧化物层; （d）在第二氧化物层上形成第二悬浮层; （e）通过所述第二悬浮层形成穿过所述第一悬浮层上方的所述第二氧化物层的第二浅沟槽; （f）通过第二和第一氧化物层在第二浅沟槽的底表面上形成至少一个深沟槽，（g）在深沟槽的内表面上形成电极层; 和（h）通过第一和第二悬浮层中的沟槽开口去除第一和第二氧化物层。

4. 发明申请

US20090137090A1 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US20090137090A1
公开(公告)日：2009-05-28
申请号：US12139426
申请日：2008-06-13
申请人： Wen-Hsiang Chen , Cheng-Yeh Hsu
发明人： Wen-Hsiang Chen , Cheng-Yeh Hsu
IPC分类号： H01L21/8236
CPC分类号： H01L21/28114 , H01L21/823842
摘要： A method for fabricating a semiconductor device is provided. A first active region and a second active region are defined in a substrate. An electrode covering the first active region and the second active region is formed on the substrate. A first sacrificial layer is formed on the second active layer. A first work function electrode is formed on the first active layer by performing a first doping process to a portion of the electrode. The first sacrificial layer is removed. A second sacrificial layer is formed on the first active layer.
摘要翻译：提供一种制造半导体器件的方法。在衬底中限定第一有源区和第二有源区。在衬底上形成覆盖第一有源区和第二有源区的电极。在第二活性层上形成第一牺牲层。通过对电极的一部分进行第一掺杂工艺，在第一有源层上形成第一功函电极。第一牺牲层被去除。在第一有源层上形成第二牺牲层。

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