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1. 发明申请

US20150070034A1 CAPACITIVE PARAMETRIC ZERO CROSSING DETECTOR DEVICE, CIRCUIT AND METHOD 有权
标题翻译：电容参数零交叉检测器设备，电路和方法
公开(公告)号：US20150070034A1
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：US14021910
申请日：2013-09-09
申请人： Ching Chu , Ben Choy , Andy Tu
发明人： Ching Chu , Ben Choy , Andy Tu
IPC分类号： G01R27/26
CPC分类号： H03K5/1536 , G01R19/175
摘要： A capacitive parametric zero crossing detection circuit has a nonlinear voltage controlled capacitive device coupled to an input voltage to convert a zero crossing current pulse into zero crossing voltage signal.
摘要翻译：电容参数过零检测电路具有耦合到输入电压的非线性压控电容器件，以将过零电流脉冲转换为过零电压信号。

2. 发明申请

US20130187697A1 MULTI-LEVEL HIGH VOLTAGE PULSER INTEGRATED CIRCUIT USING LOW VOLTAGE MOSFETS 有权
标题翻译：使用低电压MOSFET的多电平高压脉冲集成电路
公开(公告)号：US20130187697A1
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：US13355749
申请日：2012-01-23
申请人： Ben Choy , Ching Chu
发明人： Ben Choy , Ching Chu
IPC分类号： H03K3/00
CPC分类号： H03F3/2173 , B06B1/0215 , B06B2201/76 , G01S7/5202 , H03K17/6872
摘要： A multi-level high-voltage pulse generator integrated circuit has a digital logic-level control interface circuit. A pair of complementary MOSFETs is controlled by the digital control interface circuit. A pair of supply voltage rails is provided, wherein one of the pair of supply voltage rails is connected to each of the pair of complementary MOSFETs. A pair of Zener diodes is provided, wherein one of the pair of Zener diodes is connected to each of the pair of complementary MOSFETs. A pair of resistors is provided, wherein one of the pair of resistors is connected in parallel with each of the pair of Zener diodes. A pair of complementary voltage blocking-MOSFETs having predetermined gate bias voltages is provided, wherein each of the pair complementary voltage blocking-MOSFETs is attached to a corresponding one pair of complementary MOSFETs.
摘要翻译：多级高压脉冲发生器集成电路具有数字逻辑电平控制接口电路。一对互补MOSFET由数字控制接口电路控制。提供一对电源电压轨，其中一对电源电压轨之一连接到该对互补MOSFET中的每一对。提供了一对齐纳二极管，其中一对齐纳二极管中的一个连接到该对互补MOSFET中的每一对。提供一对电阻器，其中一对电阻器中的一个电阻器与该对齐纳二极管中的每一个并联连接。提供了具有预定栅极偏置电压的一对互补电压阻挡MOSFET，其中每对互补电压阻挡MOSFET被附接到相应的一对互补MOSFET。

3. 发明授权

US08542037B2 Multi-level high voltage pulser integrated circuit using low voltage MOSFETs 有权
标题翻译：使用低压MOSFET的多级高压脉冲发生器集成电路
公开(公告)号：US08542037B2
公开(公告)日：2013-09-24
申请号：US13355749
申请日：2012-01-23
申请人： Ben Choy , Ching Chu
发明人： Ben Choy , Ching Chu
IPC分类号： H03K3/00
CPC分类号： H03F3/2173 , B06B1/0215 , B06B2201/76 , G01S7/5202 , H03K17/6872
摘要： A multi-level high-voltage pulse generator integrated circuit has a digital logic-level control interface circuit. A pair of complementary MOSFETs is controlled by the digital control interface circuit. A pair of supply voltage rails is provided, wherein one of the pair of supply voltage rails is connected to each of the pair of complementary MOSFETs. A pair of Zener diodes is provided, wherein one of the pair of Zener diodes is connected to each of the pair of complementary MOSFETs. A pair of resistors is provided, wherein one of the pair of resistors is connected in parallel with each of the pair of Zener diodes. A pair of complementary voltage blocking-MOSFETs having predetermined gate bias voltages is provided, wherein each of the pair complementary voltage blocking-MOSFETs is attached to a corresponding one pair of complementary MOSFETs.
摘要翻译：多级高压脉冲发生器集成电路具有数字逻辑电平控制接口电路。一对互补MOSFET由数字控制接口电路控制。提供一对电源电压轨，其中一对电源电压轨之一连接到该对互补MOSFET中的每一对。提供了一对齐纳二极管，其中一对齐纳二极管中的一个连接到该对互补MOSFET中的每一对。提供一对电阻器，其中一对电阻器中的一个电阻器与该对齐纳二极管中的每一个并联连接。提供了具有预定栅极偏置电压的一对互补电压阻挡MOSFET，其中每对互补电压阻挡MOSFET被附接到相应的一对互补MOSFET。

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