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1. 发明申请

US20130270118A1 POLYCRYSTALLINE CUPROUS OXIDE NANOWIRE ARRAY PRODUCTION METHOD USING LOW-TEMPERATURE ELECTROCHEMICAL GROWTH 审中-公开
标题翻译：多晶硅氧化亚氮纳米阵列生产方法采用低温电化学生长
公开(公告)号：US20130270118A1
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：US13978416
申请日：2012-01-04
申请人： Bae Ho Park , Sung Oong Kang
发明人： Bae Ho Park , Sung Oong Kang
IPC分类号： C25D1/04 , C25D11/04
CPC分类号： C25D1/04 , C25D1/006 , C25D11/045
摘要： There are provided a monocrystalline copper oxide (I) nanowire array manufacturing method using low-temperature electrochemical growth, and more particularly, to a manufacturing method allowing easy vapor deposition at low temperatures and also a monocrystalline copper oxide (I) nanowire array manufacturing method using low-temperature electrochemical growth which retains characteristics such as large-area growth, high-crystallinity nanowire, uniform radial distribution, easy length, radius adjustment, and the like.A monocrystalline copper oxide (I) nanowire array manufacturing method of the present invention includes a step of manufacturing a nanopore alumina layer (anodized alumina (AAO)) from a high-purity aluminum (Al) sheet by using a two-step anodic oxidation method; and a step of manufacturing a monocrystalline copper oxide (I) nanowire array by using the nanopore alumina layer as a nanopore molding flask by means of a low-temperature electrochemical growth method.
摘要翻译：提供了使用低温电化学生长的单晶氧化铜（I）纳米线阵列制造方法，更具体地，涉及一种允许在低温下容易蒸镀的制造方法，还提供了使用单晶氧化铜（I）纳米线阵列制造方法保持诸如大面积生长，高结晶度纳米线，均匀径向分布，容易长度，半径调节等特性的低温电化学生长。本发明的单晶氧化铜（I）纳米线阵列的制造方法包括通过使用两步阳极氧化法从高纯度铝（Al）片制造纳米孔氧化铝层（阳极化氧化铝（AAO））的工序 ; 以及通过使用纳米孔氧化铝层作为纳米孔型烧瓶的低温电化学生长法制造单晶氧化铜（I）纳米线阵列的步骤。

2. 发明授权

US06444336B1 Thin film dielectric composite materials 失效
标题翻译：薄膜电介质复合材料
公开(公告)号：US06444336B1
公开(公告)日：2002-09-03
申请号：US09747212
申请日：2000-12-21
申请人： Quanxi Jia , Brady J. Gibbons , Alp T. Findikoglu , Bae Ho Park
发明人： Quanxi Jia , Brady J. Gibbons , Alp T. Findikoglu , Bae Ho Park
IPC分类号： B32B900
CPC分类号： C04B35/49 , C04B35/46 , C04B35/465 , C04B35/472 , C04B35/495 , C04B35/497 , C04B35/499 , C04B35/50 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3258 , C04B2235/326 , C04B2235/3272 , C04B2235/3274 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3296 , C04B2235/80 , H01L21/31691
摘要： A dielectric composite material comprising at least two crystal phases of different components with TiO2 as a first component and a material selected from the group consisting of Ba1−xSrxTiO3 where x is from 0.3 to 0.7, Pb1−xCaxTiO3 where x is from 0.4 to 0.7, Sr1−xPbxTiO3 where x is from 0.2 to 0.4, Ba1−xCdxTiO3 where x is from 0.02 to 0.1, BaTi1−xZrxO3 where x is from 0.2 to 0.3, BaTi1−xSnxO3 where x is from 0.15 to 0.3, BaTi1−xHfxO3 where x is from 0.24 to 0.3, Pb1−1.3xLaxTiO3+0.2x where x is from 0.23 to 0.3, (BaTiO3)x(PbFeo0.5Nb0.5O3)1−x where x is from 0.75 to 0.9, (PbTiO3)−(PbCo0.5W0.5O3)1−x where x is from 0.1 to 0.45, (PbTiO3)x(PbMg0.5W0.5O3)1−x where x is from 0.2 to 0.4, and (PbTiO3)x(PbFe0.5Ta0.5O3)1−x where x is from 0 to 0.2, as the second component is described. The dielectric composite material can be formed as a thin film upon suitable substrates.
摘要翻译：一种电介质复合材料，其包含至少两种不同组分的结晶相，其中TiO 2作为第一组分和选自Ba1-xSrxTiO3，其中x为0.3至0.7，Pb1-xCaxTiO3，其中x为0.4至0.7， Sr1-xPbxTiO3，其中x为0.2至0.4，Ba1-xCdxTiO3其中x为0.02至0.1，BaTi1-xZrxO3，其中x为0.2至0.3，BaTi1-xSnxO3，其中x为0.15至0.3，BaTi1-xHfxO3，其中x为从0.24至0.3，Pb1-1.3xLaxTiO3 + 0.2x，其中x为0.23至0.3，（BaTiO3）x（PbFeo0.5Nb0.5O3）1-x，其中x为0.75至0.9，（PbTiO3） - （PbCo0.5W0 （PbTiO3）x（PbMg0.5W0.5O3）1-x，x为0.2〜0.4，（PbTiO3）x（PbFe0.5Ta0.5O3）1-x， x，其中x为0至0.2，因为描述了第二组分。电介质复合材料可以在合适的基底上形成为薄膜。

3. 发明申请

US20090032795A1 Schottky diode and memory device including the same 审中-公开
标题翻译：肖特基二极管和存储器件包括相同的
公开(公告)号：US20090032795A1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：US12071099
申请日：2008-02-15
申请人： Dong-chul Kim , Ran-ju Jung , Sun-ae Seo , Bae-ho Park , Chang-won Lee , Hyun-jong Chung , Jin-soo Kim
发明人： Dong-chul Kim , Ran-ju Jung , Sun-ae Seo , Bae-ho Park , Chang-won Lee , Hyun-jong Chung , Jin-soo Kim
IPC分类号： H01L45/00 , H01L29/24
CPC分类号： H01L29/872 , H01L27/10 , H01L27/1021 , H01L27/24 , H01L29/24 , H01L29/47
摘要： A Schottky diode and a memory device including the same are provided. The Schottky diode includes a first metal layer and an Nb-oxide layer formed on the first metal layer.
摘要翻译：提供肖特基二极管和包括其的存储器件。肖特基二极管包括形成在第一金属层上的第一金属层和Nb氧化物层。

4. 发明授权

US06323512B1 Nonvolatile ferroelectric capacitor and nonvolatile ferroelectric memory 失效
标题翻译：非易失性铁电电容器和非易失性铁电存储器
公开(公告)号：US06323512B1
公开(公告)日：2001-11-27
申请号：US09520691
申请日：2000-03-07
申请人： Tae-Won Noh , Bae-ho Park , Bo-Soo Kang , Sang-Don Bu
发明人： Tae-Won Noh , Bae-ho Park , Bo-Soo Kang , Sang-Don Bu
IPC分类号： H01L2976
CPC分类号： H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L21/31691 , H01L28/40
摘要： A nonvolatile ferroelectric capacitor comprising Bi4−xAxTi3O12 thin film which is obtained by substituting at least some atoms of nonvolatile element A such as La for volatile Bi atoms in Bi4Ti3O2. Nonvolatile element A in perovskite layer of B4−xAxTi3O12 suppress the generation of oxygen vacancies in the perovskite layer, thereby improving fatigue behavior.
摘要翻译：包含Bi4-xAxTi3O12薄膜的非挥发性铁电电容器，其通过将至少一些不挥发性元素A的原子例如La取代为Bi 4 Ti 3 O 2中的挥发性Bi原子而获得。 B4-xAxTi3O12的钙钛矿层中的非挥发性元素A抑制钙钛矿层中氧空位的产生，从而改善疲劳行为。

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