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1. 发明授权

US07312182B1 Rare earth metal compounds for use in high critical temperature thin film super-conductors 失效
标题翻译：用于高临界温度薄膜超导体的稀土金属化合物
公开(公告)号：US07312182B1
公开(公告)日：2007-12-25
申请号：US10801166
申请日：2004-03-11
申请人： Arthur Tauber , Robert D. Finnegan , William D. Wilber , Steven C. Tidrow , Donald W. Eckart , William C. Drach
发明人： Arthur Tauber , Robert D. Finnegan , William D. Wilber , Steven C. Tidrow , Donald W. Eckart , William C. Drach
IPC分类号： H01B12/00 , H01F6/00 , H01L39/00
CPC分类号： C01G30/002 , C01P2006/40 , C01P2006/42 , H01L39/225 , H01L39/2458 , H01L39/2461 , H01Q1/364 , Y10S428/93
摘要： Rare earth metal containing compounds of the formula Sr2LuSbO6 and Sr2LaSbO6 have been prepared as high critical temperature thin film superconductor structures, and can be used in other ferroelectrics, pyroelectrics, piezoelectrics, and hybrid device structures.
摘要翻译：已经制备了含有式Sr 2 LuSbO 6和Sr 2 LaSbO 6的含稀土金属的化合物高临界温度薄膜超导体结构，可用于其他铁电，热电，压电和混合器件结构。

2. 发明授权

US06875369B1 Ferroelectric/paraelectric materials, and phase shifter devices, true time delay devices and the like containing same 失效
标题翻译：铁电/顺电材料和移相器装置，真正的时间延迟装置等等
公开(公告)号：US06875369B1
公开(公告)日：2005-04-05
申请号：US10307528
申请日：2002-11-26
申请人： Steven C. Tidrow , Daniel M. Potrepka , Arthur Tauber
发明人： Steven C. Tidrow , Daniel M. Potrepka , Arthur Tauber
IPC分类号： H01P1/18 , C04B35/49
CPC分类号： H01P1/181
摘要： Single-phase, non-cubic and single-phase, cubic ferroelectric/paraelectric lead-based perovskite-structured materials having reasonably low and fairly temperature insensitive dielectric constants (stable dielectric constants over a wide range of operating temperatures of −80° C. to 100° C.), reasonable loss tangents (
摘要翻译：单相，非立方和单相，立方铁电/直流铅基钙钛矿结构材料具有合理低且相当温度不敏感的介电常数（在-80°C至更高的工作温度范围内的稳定的介电常数提供合理的损耗角正切（<〜10 -1），高可调性，并且显着降低居里温度低于以前未掺杂的钙钛矿结构的操作温度范围。本发明的FE / PE材料在钙钛矿结构的Ti部位具有稀释的电荷补偿取代。这种单相结构或其具有富Ti组合物的变体允许脉冲激光沉积薄膜，使靶的结构均匀转移到沉积膜中，这使得能够非常小的，轻便的设备，非常高效，消耗很少的电力。这些铁电/顺电材料可用于移相器装置（例如在手机，天线等中使用），可变真实时间延迟装置，可转向光束，可调谐滤波器，阻抗变压器，可变控制振荡器，天线，无线电，滤波器微波可变电容器，雷达系统，电子战传感器，谐振器，微波横向电磁铁电压控振荡器以及用于合成器和系统的其他RF，微波或毫米波可调谐装置，以及任何提高各类电气和电光器件性能的应用。

3. 发明授权

US06818144B1 Ferroelectric/paraelectric materials, and phase shifter devices, true time delay devices and the like containing same 失效
标题翻译：铁电/顺电材料和移相器装置，真正的时间延迟装置等等
公开(公告)号：US06818144B1
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：US10307532
申请日：2002-11-26
申请人： Steven C. Tidrow , Daniel M. Potrepka , Arthur Tauber
发明人： Steven C. Tidrow , Daniel M. Potrepka , Arthur Tauber
IPC分类号： H01L41187
CPC分类号： C04B35/491 , C04B35/053 , C04B35/4682 , C04B35/472 , C04B35/49 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/761 , H01B1/08 , H01P1/181
摘要： Single-phase, non-cubic and single-phase, cubic ferroelectric/paraelectric materials comprising a charge compensated lead-based perovskite having the general formula ABO3 is provided, which has reasonably low and fairly temperature insensitive dielectric constants over operating temperatures of −80° C. to 100° C., reasonable loss tangents (
摘要翻译：提供了包括具有通式ABO3的电荷补偿的铅基钙钛矿的单相，非立方和单相立方铁电/顺电材料，其在-80°的操作温度下具有相当低的和相当的温度不敏感的介电常数 C.到100℃，合理的损耗切线（<〜10 -1），和高可调性。本发明的FE / PE材料在钙钛矿结构的Ti部位具有稀释的电荷补偿取代。这些铁电/顺电材料可用于移相器装置（例如在手机，天线等中使用），可变真实时间延迟装置，可转向光束，可调谐滤波器，阻抗变压器，可变控制振荡器，天线，无线电，滤波器微波可变电容器，雷达系统，电子战传感器，谐振器，微波横向电磁铁电压控振荡器以及用于合成器和系统的其他RF，微波或毫米波可调谐装置，以及任何提高各类电气和电光器件性能的应用。

4. 发明授权

US06183715B2 Low polarizability of Sb5+ for use in fabrication of low dielectric constant materials 失效
标题翻译： Sb5 +的低极化率用于低介电常数材料的制造
公开(公告)号：US06183715B2
公开(公告)日：2001-02-06
申请号：US09069794
申请日：1998-04-30
申请人： Steven C. Tidrow , Arthur Tauber , William D. Wilber , Robert D. Finnegan
发明人： Steven C. Tidrow , Arthur Tauber , William D. Wilber , Robert D. Finnegan
IPC分类号： C01G3002
CPC分类号： H01P3/08 , C01G30/026 , C01P2002/34 , C01P2002/77
摘要： The microwave properties of numerous perovskite antimonates like A2MeSbO6 where A=Ba or Sr, Me=a rare earth, Y, Sc, Ga, or In and A4MeSb3O12 where A=Ba or Sr and M=Li, Na or K were measured at 10 Ghz and 300 K. Using the microwave properties and lattice parameters of these materials, the Clausius-Mossotti relationship and a nonlinear regression fitting program, the polarizability of Sb5+ was investigated and determined to be 1.18±0.49 A3. This low polarizability and the low loss of antimonates in general indicate that Sb5+ is an excellent candidate for use as a constituent in the fabrication of low dielectric constant, low loss, lattice matching perovskite oxide microwave substrates.
摘要翻译：其中A = Ba或Sr，Me =稀土，Y，Sc，Ga或In和A4MeSb3O12的许多钙钛矿锑酸盐如A2MeSbO6的微波特性，其中A = Ba或Sr和M = Li，Na或K在10 Ghz和300K。使用这些材料的微波特性和晶格参数，克劳修斯 - 莫索蒂关系和非线性回归拟合程序，研究了Sb5 +的极化率，并确定为1.18±0.49 A3。这种低的极化率和低的锑酸盐损失一般表明Sb5 +是制造低介电常数，低损耗，晶格匹配的钙钛矿氧化物微波衬底中的组成成分的极好候选物。

5. 发明授权

US6117572A YBCO epitaxial films deposited on substrate and buffer layer compounds in the system Ca.sub.2 MeSbO.sub.6 where Me=Al, Ga, Sc and In 失效
标题翻译：沉积在衬底上的YBCO外延膜和体系Ca2MeSbO6中的缓冲层化合物，其中Me = Al，Ga，Sc和In
公开(公告)号：US6117572A
公开(公告)日：2000-09-12
申请号：US978364
申请日：1997-11-25
申请人： Steven C. Tidrow , Arthur Tauber , William D. Wilber , Robert D. Finnegan
发明人： Steven C. Tidrow , Arthur Tauber , William D. Wilber , Robert D. Finnegan
IPC分类号： C01G30/02 , C23C14/08 , H01L39/24 , B32B9/00 , C01G15/00
CPC分类号： C23C14/08 , C01G30/026 , H01L39/2458 , H01L39/2461 , C01P2002/34 , C01P2002/77 , C01P2006/10 , C01P2006/40
摘要： Compounds of the general formula Ca.sub.2 MeSbO.sub.6 where Me is a 3+ ion selected from the group consisting of aluminum (Al), scandium (Sc), indium (In), gallium (Ga), or a rare earth metal have been prepared and included as the substrate or barrier dielectric in high critical temperature thin film superconductors, ferroelectrics, pyroelectrics, piezoelectrics, and hybrid device structures.
摘要翻译：其中Me是选自铝（Al），钪（Sc），铟（In），镓（Ga）或稀土金属的3+离子的通式Ca2MeSbO6的化合物已经被制备并包括为高临界温度薄膜超导体中的衬底或阻挡电介质，铁电体，热电，压电体和混合器件结构。

6. 发明授权

US5593742A Fabrication of silicon microclusters and microfilaments 失效
标题翻译：硅微团簇和微丝的制造
公开(公告)号：US5593742A
公开(公告)日：1997-01-14
申请号：US518770
申请日：1995-08-24
申请人： Robert A. Lux , James A. Harvey , Arthur Tauber , Steven C. Tidrow
发明人： Robert A. Lux , James A. Harvey , Arthur Tauber , Steven C. Tidrow
IPC分类号： C23C14/16 , C23C14/28 , C30B23/00 , C23C8/00 , C23C14/30 , H05B7/00
CPC分类号： B82Y10/00 , C23C14/16 , C23C14/28 , C30B23/002 , C30B29/06
摘要： An ablation process by which fused deposits of silicon particles are accuated on a substrate of selected material in accordance with whether microclusters of spherical configurations or microfilaments of cylindrical configurations are to be fabricated. Silicon ablation is accomplished in an inert gas atmosphere with an excimer laser that generates light pulses of which the wavelength and frequency are controlled to fix the energy level thereof. The pressure of the inert gas atmosphere is also controlled in accordance with whether microclusters or microfilaments are to be fabricated.
摘要翻译：根据是否要制造球形结构的微球或圆柱形构造的微丝，消融过程通过其将硅颗粒的熔融沉积物积聚在所选材料的基底上。硅消融在具有准分子激光器的惰性气体气氛中实现，其产生其脉冲和频率被控制以固定其能量水平的光脉冲。惰性气体气氛的压力也是根据是否要制造微团粒或微丝来控制的。

7. 发明授权

US5418215A C-axis oriented high temperature superconductors deposited onto single crystals of gadolinium gallium garnet and method of making the same 失效
标题翻译：沉积在钆镓石榴石的单晶上的C轴取向的高温超导体及其制造方法
公开(公告)号：US5418215A
公开(公告)日：1995-05-23
申请号：US228788
申请日：1994-04-12
申请人： Arthur Tauber , Steven C. Tidrow
发明人： Arthur Tauber , Steven C. Tidrow
IPC分类号： H01L39/24 , B32B9/00
CPC分类号： H01L39/2458 , Y10S428/93 , Y10S505/701
摘要： c-axis oriented microwave quality HTSC films are deposited onto single crystals of gadolinium gallium garnet (GGG) using pulsed laser deposition (PLD) with conditions of 85 mTorr of oxygen partial pressure, a block temperature of 730.degree. C., a substrate surface temperature of 790.degree. C. and a laser fluence of 1 to 2 Joules/cm.sub.2 at the target, a laser repetition rate of 10 Hz and a target to substrate distance of 7 cm and in which the a and b lattice parameters of the GGG exhibit a mismatch of less than 2.5 percent with the a and b lattice parameters of the HTSC.
摘要翻译： c轴定向微波质量HTSC薄膜使用脉冲激光沉积（PLD）沉积到钆镓石榴石（GGG）的单晶上，条件为85mTorr氧分压，阻挡温度为730℃，衬底表面温度 790℃，目标激光注量为1〜2焦耳/平方厘米，激光重复频率为10赫兹，目标与基板间距为7厘米，其中GGG的a和b晶格参数为 HTSC的a和b晶格参数的失配小于2.5％。

8. 发明授权

US4224067A Permanent magnet materials 失效
标题翻译：永磁材料
公开(公告)号：US4224067A
公开(公告)日：1980-09-23
申请号：US33911
申请日：1979-04-27
申请人： Frederick Rothwarf , Robert L. Bergner , Herbert A. Leupold , Arthur Tauber
发明人： Frederick Rothwarf , Robert L. Bergner , Herbert A. Leupold , Arthur Tauber
IPC分类号： C22C19/07 , H01F1/055 , C22C19/00
CPC分类号： C22C19/07 , H01F1/055
摘要： Compounds of the general formula Sm.sub.2-x RE.sub.x Co.sub.17-y Mn.sub.y are provided wherein RE is a rare earth element selected from the group consisting of erbium, dysprosium and gadolinium wherein x has a value greater than zero and less than 0.7 and wherein y has a value less than 2.1. The compounds are suitable for use as permanent magnet material in microwave/millimeter-wave traveling wave tubes (TWT's).
摘要翻译：提供通式Sm2-xRExCo17-yMny的化合物，其中RE是选自铒，镝和钆的稀土元素，其中x具有大于零且小于0.7的值，并且其中y具有小于 2.1。该化合物适用于微波/毫米波行波管（TWT）中的永磁材料。

9. 发明授权

US07192661B1 Rare earth metal compounds for use in high critical temperature thin film super-conducting antennas 失效
标题翻译：用于高临界温度薄膜超导天线的稀土金属化合物
公开(公告)号：US07192661B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：US10785510
申请日：2004-02-17
申请人： Arthur Tauber , Robert D. Finnegan , William D. Wilber , Steven C. Tidrow , Donald W. Eckart , William C. Drach
发明人： Arthur Tauber , Robert D. Finnegan , William D. Wilber , Steven C. Tidrow , Donald W. Eckart , William C. Drach
IPC分类号： B32B9/00 , C01F17/00
CPC分类号： C01G30/002 , C01P2006/40 , C01P2006/42 , H01L39/225 , H01L39/2458 , H01L39/2461 , H01Q1/364 , Y10S428/93
摘要： Rare earth metal containing compounds of the formula Sr2LuSbO6 have been prepared with high critical temperature thin film superconductor structures, and can be fabricated into an antenna, as well as being used in other ferroelectrics, pyroelectrics, piezoelectrics, and hybrid device structures.
摘要翻译：已经用高临界温度的薄膜超导体结构制备了具有式Sr 2 LuSbO 6 N的含稀土金属的化合物，并且可以制成天线，以及用于其他铁电，热电，压电和混合器件结构。

10. 发明授权

US06328942B1 A4MeSb3O12 compounds for growth of epitaxial HTSC/perovskite oxide films for use in HTSC/perovskite oxide devices and microwave device structures 失效
标题翻译：用于生长用于HTSC /钙钛矿氧化物器件和微波器件结构的外延HTSC /钙钛矿氧化物膜的A4MeSb3O12化合物
公开(公告)号：US06328942B1
公开(公告)日：2001-12-11
申请号：US09566783
申请日：2000-05-08
申请人： Arthur Tauber , Steven C. Tidrow , William D. Wilber , Robert D. Finnegan
发明人： Arthur Tauber , Steven C. Tidrow , William D. Wilber , Robert D. Finnegan
IPC分类号： C01F1700
CPC分类号： H01L39/2461
摘要： Compounds of the general formula A4MeSb3O12 wherein A is either barium (Ba) or strontium (Sr) and Me is an alkali metal ion selected from the group consisting of lithium (Li), sodium (Na) and potassium (K) have been prepared and included in high critical temperature thin film superconductors, ferroelectrics, pyroelectrics, piezoelectrics, and hybrid device structures.
摘要翻译：已经制备了其中A为钡（Ba）或锶（Sr）和Me为选自锂（Li），钠（Na）和钾（K））的碱金属离子的通式为A4MeSb3O12的化合物，包括在高临界温度薄膜超导体，铁电体，热电，压电和混合器件结构中。

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