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    • 88. 发明授权
    • Electron device having a current channel of dielectric material
    • 具有介电材料的电流通道的电子器件
    • US5291274A
    • 1994-03-01
    • US779004
    • 1991-11-20
    • Hirotaka Tamura
    • Hirotaka Tamura
    • H01L45/00H01L29/06H01L39/22
    • H01L45/00Y10S505/702
    • An electron device comprises a first dielectric layer (103) having a first thickness determined to allow the tunneling of carriers therethrough and a first dielectric constant, a second dielectric layer (104) provided in contact with the first dielectric layer, the second dielectric layer having a second thickness substantially larger than the first thickness and a second dielectric constant that is substantially larger than the first dielectric constant, a first electrode (101) provided on the first dielectric layer for injecting the carriers, and a second electrode (108) provided in contact with the second dielectric layer for controlling a flow of the carriers through the second dielectric layer in response to a control voltage supplied thereto.
    • PCT No.PCT / JP91 / 00372 Sec。 371日期1991年11月20日 102(e)1991年11月20日日期PCT 1991年3月20日PCT PCT。 出版物WO91 / 15033 日期:1991年10月3日。电子器件包括第一介电层(103),其具有确定允许载流子穿透其中的第一厚度和第一介电常数的第一介电层(103),与第一介电层 层,所述第二介电层具有基本上大于所述第一厚度的第二厚度和基本上大于所述第一介电常数的第二介电常数;设置在所述第一介电层上用于注入载流子的第一电极, 第二电极(108),其设置成与第二电介质层接触,用于响应于提供给其的控制电压来控制载流子通过第二介电层的流动。