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    • 65. 发明申请
    • Spin tunnel transistor
    • 旋转隧道晶体管
    • US20060220162A1
    • 2006-10-05
    • US11446245
    • 2006-06-05
    • Rie SatoKoichi Mizushima
    • Rie SatoKoichi Mizushima
    • H01L29/82
    • H01L29/66984H01L43/08
    • Some spin tunnel transistors with a larger current transmittance and a higher MR ratio are described. One of the spin tunnel transistor comprises a collector; an emitter; abase formed between the collector and the emitter, including a first ferromagnetic metal layer variable in its magnetization under an external magnetic field; a barrier layer formed between the first ferromagnetic metal layer and one of the collector and the emitter, the other of the collector and the emitter including a semiconductor crystal layer; and a transition metal silicide crystal layer between the semiconductor crystal layer and the base. The transition metal silicide crystal layer may be replaced with a palladium layer, a transition metal nitride layer, or a transition metal carbide layer.
    • 描述了具有较大电流透射率和较高MR比的一些自旋隧道晶体管。 一个自旋隧道晶体管包括集电极; 发射器 在集电极和发射极之间形成,包括在外部磁场下其磁化可变的第一强磁性金属层; 形成在所述第一强磁性金属层与所述集电极和发射极中的一个之间的阻挡层,所述集电极和所述发射极中的另一个包括半导体晶体层; 以及在半导体晶体层和基底之间的过渡金属硅化物晶体层。 过渡金属硅化物晶体层可以用钯层,过渡金属氮化物层或过渡金属碳化物层代替。