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51. 发明授权

US5976761A Fractionation of phenol formaldehyde condensate and photoresist compositions produced therefrom 失效
标题翻译：分离苯酚甲醛缩合物和由其制备的光致抗蚀剂组合物
公开(公告)号：US5976761A
公开(公告)日：1999-11-02
申请号：US47571
申请日：1998-03-25
申请人： M. Dalil Rahman , Daniel P. Aubin , Dinesh N. Khanna , Sunit S. Dixit
发明人： M. Dalil Rahman , Daniel P. Aubin , Dinesh N. Khanna , Sunit S. Dixit
IPC分类号： G03F7/004 , C08G8/00 , C08G8/08 , C08L61/06 , G03F7/023 , C08J3/00
CPC分类号： C08G8/08 , G03F7/0236
摘要： A process for producing a water insoluble, aqueous alkali soluble, film forming novolak resin having low metal ions, made by the fractionation of a phenol formaldehyde condensation product, a process for producing a resin a photoresist composition of superior quality containing such novolak resin, and a method for producing a semiconductor device using such photoresist composition.
摘要翻译：通过分解苯酚甲醛缩合产物制备具有低金属离子的水不溶性水溶性成膜酚醛清漆树脂的方法，含有这种酚醛清漆树脂的具有优良品质的光致抗蚀剂组合物的方法，以及使用这种光致抗蚀剂组合物的半导体器件的制造方法。

52. 发明授权

US5693749A Fractionation of phenol formaldehyde condensate and photoresist compositions produced therefrom 失效
标题翻译：分离苯酚甲醛缩合物和由其制备的光致抗蚀剂组合物
公开(公告)号：US5693749A
公开(公告)日：1997-12-02
申请号：US530648
申请日：1995-09-20
申请人： M. Dalil Rahman , Daniel P. Aubin , Dinesh N. Khanna , Sunit S. Dixit
发明人： M. Dalil Rahman , Daniel P. Aubin , Dinesh N. Khanna , Sunit S. Dixit
IPC分类号： G03F7/004 , C08G8/00 , C08G8/08 , C08L61/06 , G03F7/023 , C08J3/00 , G03C7/022
CPC分类号： G03F7/0236 , C08G8/08
摘要： A process for producing a water insoluble, aqueous alkali soluble, film forming novolak resin fraction having a low metal ion content, made by the fractionation of a phenol formaldehyde condensation product, a process for producing a photoresist compositions containing such a novolak resin, and a method for producing a semiconductor device using such a photoresist composition.
摘要翻译：通过分解苯酚甲醛缩合产物制备具有低金属离子含量的水不溶性水溶性成膜酚醛清漆树脂级分的方法，制备含有这种酚醛清漆树脂的光致抗蚀剂组合物的方法和使用这种光致抗蚀剂组合物的半导体器件的制造方法。

53. 发明授权

US5656413A Low metal ion containing 4,4'-[1-[4-[1-(4-Hydroxyphenyl)-1-methylethyl]phenyl]ethylidene]bisphe nol and photoresist compositions therefrom 失效
标题翻译：含有4,4' - [1- [4- [1-（4-羟基苯基）-1-甲基乙基]苯基]亚乙基]双酚的低金属离子及其光致抗蚀剂组合物
公开(公告)号：US5656413A
公开(公告)日：1997-08-12
申请号：US535701
申请日：1995-09-28
申请人： M. Dalil Rahman , Daniel P. Aubin
发明人： M. Dalil Rahman , Daniel P. Aubin
IPC分类号： G03F7/027 , C07C29/76 , C07C37/82 , C07C39/15 , C08G8/08 , C08L61/06 , G03F7/022 , G03C5/56 , C02F1/42 , H01L21/312
CPC分类号： C08G8/08 , C07C39/15 , G03F7/0226 , Y10S438/948
摘要： The present invention provides methods for producing TPPA having low level of metal ions, utilizing treated ion exchange resins. A method is also provided for producing photoresist composition having a very low level of metal ions from such TPPA for producing semiconductor devices using such photoresist compositions.
摘要翻译：本发明提供了利用处理的离子交换树脂制备具有低水平金属离子的TPPA的方法。还提供了一种用于制备具有非常低水平的金属离子的光致抗蚀剂组合物的方法，所述光致抗蚀剂组合物具有来自这种TPPA的非常低水平的金属离子，用于使用这种光致抗蚀剂组合物

54. 发明授权

US5286606A Process for producing a developer having a low metal ion level 失效
标题翻译：具有低金属离子水平的显影剂的制造方法
公开(公告)号：US5286606A
公开(公告)日：1994-02-15
申请号：US996925
申请日：1992-12-29
申请人： M. Dalil Rahman , Dana L. Durham
发明人： M. Dalil Rahman , Dana L. Durham
IPC分类号： G03F7/32 , H01L21/027 , G03C5/305
CPC分类号： G03F7/32
摘要： The present invention provides a process for producing a developer containing a surfactant which contains a very low level of metal ions and a process for developing light sensitive photoresist compositions, using such a developer, to produce semiconductor devices.
摘要翻译：本发明提供一种制备包含含有非常低水平的金属离子的表面活性剂的显影剂的方法和使用这种显影剂显影光敏性光刻胶组合物以制备半导体器件的方法。

55. 发明申请

US20080261147A1 Photoactive Compounds 审中-公开
公开(公告)号：US20080261147A1
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：US11874278
申请日：2007-10-18
申请人： M. Dalil Rahman , Frank M. Houlihan
发明人： M. Dalil Rahman , Frank M. Houlihan
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C381/12 , G03F7/0392
摘要： The present invention relates to novel photoactive compounds that can be used in formulating photoresist compositions.

56. 发明申请

US20080131810A1 Photoactive Compounds 有权
标题翻译：光活性化合物
公开(公告)号：US20080131810A1
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：US11566309
申请日：2006-12-04
申请人： M. Dalil Rahman , David L. Rentkiewicz
发明人： M. Dalil Rahman , David L. Rentkiewicz
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/26 , C07C317/04
CPC分类号： C07D333/76 , C07C25/18 , C07C43/225 , C07C309/06 , C07C381/12 , C07C2603/74 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , Y10S430/123
摘要： The present application relates to a compound of formula Ai Xi Bi where Ai and Bi are each individually an organic onium cation; and Xi is anion of the formula −O3S—CF2CF2OCF2CF2—SO3−. The compounds are useful as photoactive materials.
摘要翻译：本申请涉及式为Ai Xi Bi的化合物，其中A 1和B 2各自为有机鎓阳离子; 并且X 1是下式的阴离子：O 3 S-CF 2 CF 2 OCF 2， 3/3＆gt;＆lt; 3＆gt;＆lt; 3＆gt; 这些化合物可用作光敏材料。

57. 发明授权

US07189491B2 Photoresist composition for deep UV and process thereof 有权
标题翻译：用于深紫外线的光致抗蚀剂组合物及其工艺
公开(公告)号：US07189491B2
公开(公告)日：2007-03-13
申请号：US10734022
申请日：2003-12-11
申请人： M. Dalil Rahman
发明人： M. Dalil Rahman
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/30
CPC分类号： G03F7/0395 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： The present invention relates to a novel photoresist composition sensitive to radiation in the deep ultraviolet and a process for imaging the composition. The photoresist composition comprises a) a novel polymer that is insoluble in an aqueous alkaline solution and comprises at least one acid labile group, and b) a compound capable of producing an acid upon irradiation. The novel polymer of the present invention comprises at least one unit with a bisester group, (—C(O)OWC(O)O—), attached on one side to a polymer backbone unit (A) comprising an aliphatic group, and attached on the other side to an adamantyl group. The invention also relates to the novel polymer and a novel monomer for obtaining the novel polymer.
摘要翻译：本发明涉及对深紫外线辐射敏感的新型光致抗蚀剂组合物和用于对组合物进行成像的方法。光致抗蚀剂组合物包含：a）不溶于碱性水溶液并包含至少一种酸不稳定基团的新型聚合物，和b）在照射时能够产生酸的化合物。本发明的新型聚合物包含至少一个具有双酯基团的单元，（-C（O）OWC（O）O-），一侧连接到包含脂族基团的聚合物主链单元（A）上，并附着另一方面是金刚烷基。本发明还涉及新型聚合物和用于获得新型聚合物的新型单体。

58. 发明授权

US5928836A Fractionated novolak resin copolymer and photoresist composition therefrom 失效
标题翻译：分离的酚醛清漆树脂共聚物和其光致抗蚀剂组合物
公开(公告)号：US5928836A
公开(公告)日：1999-07-27
申请号：US939451
申请日：1997-09-29
申请人： M. Dalil Rahman , Stanley F. Wanat , Michelle M. Cook , Douglas S. McKenzie , Sunit S. Dixit
发明人： M. Dalil Rahman , Stanley F. Wanat , Michelle M. Cook , Douglas S. McKenzie , Sunit S. Dixit
IPC分类号： C08G8/00 , C08G8/20 , C08G8/38 , G03F7/023 , G03C1/72
CPC分类号： C08G8/00 , G03F7/0236 , Y10S430/106
摘要： The present invention provides a method for producing a film forming, fractionated novolak resin copolymer exhibiting fast photospeed and superior performance in a photoresist composition. A method is also provided for producing photoresist composition from such a fractionated novolak resin copolymer and for producing semiconductor devices using such a photoresist composition.
摘要翻译：本发明提供了一种在光致抗蚀剂组合物中制备成膜，分级的酚醛清漆树脂共聚物的方法，其具有快速的感光速度和优异的性能。还提供了一种从这种分级酚醛清漆树脂共聚物制备光致抗蚀剂组合物并用于制备使用这种光致抗蚀剂组合物的半导体器件的方法。

59. 发明授权

US5750632A Isolation of novolak resin by low temperature sub surface forced steam distillation 失效
公开(公告)号：US5750632A
公开(公告)日：1998-05-12
申请号：US366634
申请日：1994-12-30
申请人： M. Dalil Rahman , Daniel Aubin
发明人： M. Dalil Rahman , Daniel Aubin
IPC分类号： C08G8/00 , C08G8/04 , C08G8/08 , C08G8/12 , C08G8/24 , C08L61/06 , C09D161/06 , G03F7/023 , H01L21/027 , C08G14/04
CPC分类号： C08G8/12 , C08G8/08 , C08G8/24 , C08L61/06 , G03F7/0236
摘要： A water insoluble, aqueous alkali soluble novolak resin, process for producing such a novolak resin, a photoresist containing such a novolak resin, and a method for producing a semiconductor device, wherein the resin is isolated by sub surface forced steam distillation.

60. 发明授权

US5686561A Metal ion reduction in novolak resin solution using an anion exchange resin 失效
标题翻译：使用阴离子交换树脂在酚醛清漆树脂溶液中金属离子还原
公开(公告)号：US5686561A
公开(公告)日：1997-11-11
申请号：US294453
申请日：1994-08-23
申请人： M. Dalil Rahman
发明人： M. Dalil Rahman
IPC分类号： C08G8/00 , C08G8/08 , C08G8/10 , C08G8/28 , G03F7/004 , G03F7/023 , C08F6/00 , C08J3/00 , C08G2/78
CPC分类号： G03F7/004 , C08G8/00 , C08G8/10 , C08G8/28 , G03F7/0236
摘要： The present invention provides methods for producing water insoluble, aqueous alkali soluble novolak resins having a very low level of metal ions, utilizing a specially treated anion exchange resin. A method is also provided for producing photoresist composition having a very low level of metal ions from such novolak resins and for producing semiconductor devices using such photoresist compositions.
摘要翻译：本发明提供了利用特殊处理的阴离子交换树脂生产具有非常低水平金属离子的水不溶性水溶性酚醛清漆树脂的方法。还提供了一种用于生产具有来自这种酚醛清漆树脂的非常低水平的金属离子并且使用这种光致抗蚀剂组合物制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物的方法。

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