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    • 40. 发明授权
    • Semiconductor memory device
    • 半导体存储器件
    • US07248534B2
    • 2007-07-24
    • US11312586
    • 2005-12-21
    • Hiroshi ShimizuWataru Yokozeki
    • Hiroshi ShimizuWataru Yokozeki
    • G11C8/00
    • G11C11/413G11C7/18G11C8/08G11C8/10G11C8/12G11C11/418
    • A semiconductor memory device that speeds up its operation. A multiplexer puts one of word lines into an active state to select one memory cell in each local block. Another multiplexer puts one of local block selection signals into an active state and puts one of p-channel transistors into the ON state to select one of local blocks arranged in a column direction. A NAND element inverts the logical product of a signal output from a local block selected by a local block selection signal and a signal output from a block not selected and outputs a result obtained to put an n-channel transistor into the ON or OFF state. The n-channel transistor grounds a common bit line when it goes into the ON state. Each of the p-channel transistors is selected by a column switch (not shown) and send read data to a data bus.
    • 一种加速其操作的半导体存储器件。 多路复用器将字线中的一条置于活动状态,以选择每个局部块中的一个存储单元。 另一个多路复用器将局部块选择信号中的一个置入活动状态,并将p沟道晶体管中的一个置于ON状态,以选择沿列方向布置的一个局部块。 NAND元件将由本地块选择信号选择的本地块输出的信号和未被选择的块输出的信号的逻辑积反相,并输出将n沟道晶体管置于ON或OFF状态所得到的结果。 当n沟道晶体管进入ON状态时,接地公共位线。 通过列开关(未示出)选择每个p沟道晶体管,并将读数据发送到数据总线。