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21. 发明授权

US07316872B2 Etching bias reduction 有权
标题翻译：蚀刻偏压降低
公开(公告)号：US07316872B2
公开(公告)日：2008-01-08
申请号：US11252290
申请日：2005-10-17
申请人： Shih-Ming Chang , Chih-Cheng Chin , Wen-Chuan Wang , Chi-Lun Lu , Sheng-Chi Chin
发明人： Shih-Ming Chang , Chih-Cheng Chin , Wen-Chuan Wang , Chi-Lun Lu , Sheng-Chi Chin
IPC分类号： G03F1/00 , G03C5/00
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/80
摘要： A patterning device for implementing a pattern on a substrate includes a main pattern feature and a sacrificial pattern feature. Both the main pattern feature and the sacrificial pattern feature are transferable to an overlying layer on the substrate. The sacrificial pattern feature is positioned a distance from the main pattern feature and is configured to have a dimension less than an etching bias of an etching process. The etching process is capable of transferring the main pattern feature to an underlying layer, such that the sacrificial pattern feature adjusts an etching behavior of the main pattern feature and is eliminated from the underlying layer.
摘要翻译：用于在衬底上实现图案的图案形成装置包括主图案特征和牺牲图案特征。主图案特征和牺牲图案特征都可以转移到基底上的上层。牺牲图案特征与主图案特征定位成一定距离，并且被配置为具有小于蚀刻工艺的蚀刻偏压的尺寸。蚀刻工艺能够将主图案特征转移到下层，使得牺牲图案特征调整主图案特征的蚀刻行为并从底层去除。

22. 发明授权

US07383530B2 System and method for examining mask pattern fidelity 有权
标题翻译：用于检查掩模图案保真度的系统和方法
公开(公告)号：US07383530B2
公开(公告)日：2008-06-03
申请号：US11786978
申请日：2007-04-13
申请人： Wen-Chuan Wang , Shih-Ming Chang , Chih-Cheng Chin , Chi-Lun Lu , Sheng-Chi Chin , Hung-Chang Hsieh
发明人： Wen-Chuan Wang , Shih-Ming Chang , Chih-Cheng Chin , Chi-Lun Lu , Sheng-Chi Chin , Hung-Chang Hsieh
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/84
摘要： A method and system is disclosed for examining mask pattern fidelity. A mask picture is generated from a first mask with a first OPC model applied to a mask design. The mask picture is converted into a mask based simulation file. A first simulation is conducted under a first set of predetermined lithography processing conditions using the converted simulation file to generate one or more files of a first set representing wafer photo resist profile thereof. The first OPC model is applied to the mask design in the database mask file. A second simulation is conducted under the first set of predetermined lithography processing conditions using the OPCed mask design to generate one or more files of a second set representing wafer photo resist profile thereof. The first and second sets of files are evaluated for inspecting mask fidelity.
摘要翻译：公开了一种用于检查掩模图案保真度的方法和系统。从第一个掩模生成一个掩模图片，第一个OPC模型应用于掩模设计。掩模图片被转换为基于掩码的模拟文件。使用转换的仿真文件在第一组预定光刻处理条件下进行第一模拟，以生成表示其晶片抗蚀剂轮廓的第一组的一个或多个文件。第一个OPC模型应用于数据库掩码文件中的掩码设计。在第一组预定的光刻处理条件下，使用OPCed掩模设计来进行第二次仿真以产生表示其晶片抗蚀剂轮廓的第二组的一个或多个文件。评估第一组和第二组文件以检查屏幕保真度。

23. 发明申请

US20130014897A1 Apparatus And Method For Controlling Relative Particle Concentrations In A Plasma 有权
标题翻译：用于控制等离子体中相对粒子浓度的装置和方法
公开(公告)号：US20130014897A1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：US13624678
申请日：2012-09-21
申请人： Shih-Ming Chang , Chi-Lun Lu
发明人： Shih-Ming Chang , Chi-Lun Lu
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32697 , H01J37/32623
摘要： An apparatus for controlling a plasma etching process includes plasma control structure that can vary a size of a plasma flow passage, vary a speed of plasma flowing through the plasma flow passage, vary plasma concentration flowing through the plasma flow passage, or a combination thereof.
摘要翻译：用于控制等离子体蚀刻工艺的装置包括等离子体控制结构，其可以改变等离子体流动通道的尺寸，改变等离子体流过等离子体流动通道的速度，改变流过等离子体流动通道的等离子体浓度，或其组合。

24. 发明授权

US07883601B2 Apparatus and method for controlling relative particle speeds in a plasma 有权
标题翻译：用于控制等离子体中的相对粒子速度的装置和方法
公开(公告)号：US07883601B2
公开(公告)日：2011-02-08
申请号：US11624838
申请日：2007-01-19
申请人： Shih Ming Chang , Chi-Lun Lu
发明人： Shih Ming Chang , Chi-Lun Lu
IPC分类号： C23C16/00 , C23F1/00 , H01L21/306 , H05B31/26
CPC分类号： H01J37/32697 , H01J37/32623
摘要： An apparatus for controlling a plasma etching process includes plasma control structure that can vary a size of a plasma flow passage, vary a speed of plasma flowing through the plasma flow passage, vary plasma concentration flowing through the plasma flow passage, or a combination thereof.
摘要翻译：用于控制等离子体蚀刻工艺的装置包括等离子体控制结构，其可以改变等离子体流动通道的尺寸，改变等离子体流过等离子体流动通道的速度，改变流过等离子体流动通道的等离子体浓度，或其组合。

25. 发明申请

US20080099439A1 Apparatus and Method For Controlling Relative Particle Speeds In A Plasma 有权
标题翻译：用于控制等离子体中的相对粒子速度的装置和方法
公开(公告)号：US20080099439A1
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：US11624838
申请日：2007-01-19
申请人： Shih Ming Chang , Chi-Lun Lu
发明人： Shih Ming Chang , Chi-Lun Lu
IPC分类号： C23F1/00 , H01L21/302
CPC分类号： H01J37/32697 , H01J37/32623
摘要： An apparatus for controlling a plasma etching process includes plasma control structure that can vary a size of a plasma flow passage, vary a speed of plasma flowing through the plasma flow passage, vary plasma concentration flowing through the plasma flow passage, or a combination thereof.
摘要翻译：用于控制等离子体蚀刻工艺的装置包括等离子体控制结构，其可以改变等离子体流动通道的尺寸，改变等离子体流过等离子体流动通道的速度，改变流过等离子体流动通道的等离子体浓度，或其组合。

26. 发明申请

US20080102538A1 Apparatus and Method For Controlling Relative Particle Concentrations In A Plasma 有权
标题翻译：用于控制等离子体中相对粒子浓度的装置和方法
公开(公告)号：US20080102538A1
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：US11624857
申请日：2007-01-19
申请人： Shih Ming Chang , Chi-Lun Lu
发明人： Shih Ming Chang , Chi-Lun Lu
IPC分类号： H01L21/00 , C23F1/00 , H01L21/302
CPC分类号： H01J37/32697 , H01J37/32623
摘要： An apparatus for controlling a plasma etching process includes plasma control structure that can vary a size of a plasma flow passage, vary a speed of plasma flowing through the plasma flow passage, vary plasma concentration flowing through the plasma flow passage, or a combination thereof.
摘要翻译：用于控制等离子体蚀刻工艺的装置包括等离子体控制结构，其可以改变等离子体流动通道的尺寸，改变等离子体流过等离子体流动通道的速度，改变流过等离子体流动通道的等离子体浓度，或其组合。

27. 发明申请

US20080100214A1 Apparatus and Method For Regional Plasma Control 有权
标题翻译：用于区域等离子体控制的装置和方法
公开(公告)号：US20080100214A1
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：US11553590
申请日：2006-10-27
申请人： Shih Ming Chang , Chi-Lun Lu
发明人： Shih Ming Chang , Chi-Lun Lu
IPC分类号： H01J61/12 , H01J17/20
CPC分类号： H01J37/32697 , H01J37/32623
摘要： An apparatus for controlling a plasma etching process includes plasma control structure that can vary a size of a plasma flow passage, vary a speed of plasma flowing through the plasma flow passage, vary plasma concentration flowing through the plasma flow passage, or a combination thereof.
摘要翻译：用于控制等离子体蚀刻工艺的装置包括等离子体控制结构，其可以改变等离子体流动通道的尺寸，改变等离子体流过等离子体流动通道的速度，改变流过等离子体流动通道的等离子体浓度，或其组合。

28. 发明授权

US08282850B2 Apparatus and method for controlling relative particle concentrations in a plasma 有权
标题翻译：用于控制等离子体中的相对颗粒浓度的装置和方法
公开(公告)号：US08282850B2
公开(公告)日：2012-10-09
申请号：US11624857
申请日：2007-01-19
申请人： Shih Ming Chang , Chi-Lun Lu
发明人： Shih Ming Chang , Chi-Lun Lu
IPC分类号： C03C15/00
CPC分类号： H01J37/32697 , H01J37/32623
摘要： An apparatus for controlling a plasma etching process includes plasma control structure that can vary a size of a plasma flow passage, vary a speed of plasma flowing through the plasma flow passage, vary plasma concentration flowing through the plasma flow passage, or a combination thereof.
摘要翻译：用于控制等离子体蚀刻工艺的装置包括等离子体控制结构，其可以改变等离子体流动通道的尺寸，改变等离子体流过等离子体流动通道的速度，改变流过等离子体流动通道的等离子体浓度，或其组合。

29. 发明授权

US07897008B2 Apparatus and method for regional plasma control 有权
标题翻译：用于区域等离子体控制的装置和方法
公开(公告)号：US07897008B2
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：US11553590
申请日：2006-10-27
申请人： Shih Ming Chang , Chi-Lun Lu
发明人： Shih Ming Chang , Chi-Lun Lu
IPC分类号： C23F1/00
CPC分类号： H01J37/32697 , H01J37/32623
摘要： An apparatus for controlling a plasma etching process includes plasma control structure that can vary a size of a plasma flow passage, vary a speed of plasma flowing through the plasma flow passage, vary plasma concentration flowing through the plasma flow passage, or a combination thereof.
摘要翻译：用于控制等离子体蚀刻工艺的装置包括等离子体控制结构，其可以改变等离子体流动通道的尺寸，改变等离子体流过等离子体流动通道的速度，改变流过等离子体流动通道的等离子体浓度，或其组合。

30. 发明申请

US20130323931A1 DEVICE MANUFACTURING AND CLEANING METHOD 有权
标题翻译：装置制造和清洁方法
公开(公告)号：US20130323931A1
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：US13486243
申请日：2012-06-01
申请人： Chi-Lun Lu , Kuan-Wen Lin , Ching-Wei Shen , Ting-Hao Hsu , Sheng-Chi Chin
发明人： Chi-Lun Lu , Kuan-Wen Lin , Ching-Wei Shen , Ting-Hao Hsu , Sheng-Chi Chin
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/311 , G03F1/00 , G03F7/42 , G03F7/423 , G03F7/425 , H01L21/02057
摘要： A method of manufacturing is disclosed. An exemplary method includes providing a substrate and forming one or more layers over the substrate. The method further includes forming a surface layer over the one or more layers. The method further includes performing a patterning process on the surface layer thereby forming a pattern on the surface layer. The method further includes performing a cleaning process using a cleaning solution to clean a top surface of the substrate. The cleaning solution includes tetra methyl ammonium hydroxide (TMAH), hydrogen peroxide (H2O2) and water (H2O).
摘要翻译：公开了一种制造方法。一种示例性方法包括提供衬底并在衬底上形成一个或多个层。该方法还包括在一个或多个层上形成表面层。该方法还包括在表面层上进行图案化处理，从而在表面层上形成图案。该方法还包括使用清洁溶液进行清洁处理以清洁基板的顶表面。清洗溶液包括四甲基氢氧化铵（TMAH），过氧化氢（H 2 O 2）和水（H 2 O）。

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