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    • 23. 发明授权
    • Tunable lithography with a refractive mask
    • 具有折射掩模的可调光刻技术
    • US07927783B2
    • 2011-04-19
    • US10920673
    • 2004-08-18
    • Joanna AizenbergShu Yang
    • Joanna AizenbergShu Yang
    • G03C5/04G03F7/20
    • G03F7/2022G03F7/0035
    • A method includes exposing a first photoresist layer through a refractive mask to form a first pattern of above-threshold exposure spots in the first layer and exposing a second photoresist layer through the same mask to form a second pattern of above-threshold exposure spots in the second layer. Coordination numbers of exposure spots are larger in the first pattern than in the second pattern, nearest-neighbor pairs of the exposure spots have larger spacings in the first pattern than in the second pattern or largest ones of the exposure spots have larger diameters in the first pattern than in the second pattern.
    • 一种方法包括使第一光致抗蚀剂层通过折射掩模曝光以在第一层中形成高于阈值曝光点的第一图案,并且通过相同的掩模曝光第二光致抗蚀剂层以形成第二图案中的高于阈值的曝光点 第二层。 曝光点的协调数量在第一图案中比在第二图案中更大,最近相邻的曝光点对在第一图案中具有比在第二图案中更大的间距,或者最大曝光点在第一图案中具有较大的直径 模式比第二种模式。