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    • 26. 发明授权
    • Method of making a VCSEL
    • 制造VCSEL的方法
    • US5468656A
    • 1995-11-21
    • US346558
    • 1994-11-29
    • Chan-Long ShiehMichael S. LebbyJohn Lungo
    • Chan-Long ShiehMichael S. LebbyJohn Lungo
    • H01S5/00H01S5/042H01S5/183H01S5/20H01L21/265
    • H01S5/18308H01S5/0422H01S5/2063H01S5/2081
    • A substrate with a surface, the surface having disposed thereon a first stack of distributed Bragg reflectors, an active area, a second stack of distributed Bragg reflectors, a contact region, and a dielectric layer is provided. A first isolation trench is formed that extends through the dielectric layer, the contact region, and into a portion of the second stack of distributed Bragg reflectors. A dielectric layer is disposed on the substrate. A second isolation trench is formed through the nitride layer, the contact region, the second stack of distributed Bragg reflectors, the active region and a portion of the first stack of distributed Bragg reflectors, wherein the second isolation trench encircles the first isolation trench. A first electrical contact is formed on the second stack of distributed Bragg reflectors and a second electrical contact is formed on the contact region.
    • 具有表面的基板,其表面设置有分布式布拉格反射器的第一叠层,有源区,分布布拉格反射器的第二叠层,接触区和电介质层。 形成第一隔离沟槽,其延伸穿过电介质层,接触区域,并进入分布式布拉格反射器的第二层叠体的一部分。 电介质层设置在基板上。 通过氮化物层,接触区域,分布布拉格反射器的第二堆叠,有源区域和分布布拉格反射器的第一叠层的一部分形成第二隔离沟槽,其中第二隔离沟槽环绕第一隔离沟槽。 分布式布拉格反射器的第二堆叠上形成第一电接触,并且在接触区域上形成第二电接触。