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21. 发明申请

US20110080795A1 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DATA READ METHOD THEREOF 有权
标题翻译：半导体存储器件及其数据读取方法
公开(公告)号：US20110080795A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：US12794033
申请日：2010-06-04
申请人： Suk-Soo PYO
发明人： Suk-Soo PYO
IPC分类号： G11C7/00 , G11C7/06
CPC分类号： G11C7/065 , G11C7/08 , G11C7/12 , G11C11/4091 , G11C2207/002 , G11C2207/005
摘要： A semiconductor memory device includes a first bitline pair equalized to a first voltage level by a first equalizer circuit, a second bitline pair equalized to a second voltage level by a second equalizer circuit, an isolation circuit disposed between the first bitline pair and the second bitline pair, the isolation unit configured to electrically connect or isolate the first bitline pair to or from the second bitline pair, and a sense amplifier electrically connected to the second bitline pair, the sense amplifier configured to sense a voltage difference of the second bitline pair, wherein the isolation circuit isolates one of the connections between the first bitline pair and the second bitline pair while the sense amplifier senses the voltage difference of the second bitline pair.
摘要翻译：半导体存储器件包括由第一均衡器电路等于第一电压电平的第一位线对，由第二均衡器电路等于第二电压电平的第二位线对，设置在第一位线对和第二位线之间的隔离电路所述隔离单元被配置为将所述第一位线对电连接到所述第二位线对或从所述第二位线对隔离，以及电连接到所述第二位线对的读出放大器，所述读出放大器被配置为感测所述第二位线对的电压差，其中所述隔离电路隔离所述第一位线对和所述第二位线对之间的连接中的一个，同时所述读出放大器感测所述第二位线对的电压差。

22. 发明申请

US20080094931A1 Memory device performing partial refresh operation and method thereof 有权
标题翻译：执行部分刷新操作的存储器件及其方法
公开(公告)号：US20080094931A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：US11975021
申请日：2007-10-17
申请人： Suk-Soo Pyo , Hyun-Taek Jung
发明人： Suk-Soo Pyo , Hyun-Taek Jung
IPC分类号： G11C7/00
CPC分类号： G11C11/406 , G11C11/40622
摘要： The present invention provides a memory device which comprises a memory cell array having a plurality of memory blocks; a memory controller for controlling a refresh operation with respect to the memory blocks; a refresh check bit storing part for storing refresh check bits corresponding to the memory blocks, respectively; a block select control part for setting refresh check bits of memory blocks to be refreshed to a check state according to a control of the memory controller; a using check bit storing part for storing using check bits corresponding to the memory blocks, respectively; a using check control part for setting refresh check bits of memory blocks access-requested to a check state according to a control of the memory controller; and a partial refresh control part for controlling such that memory blocks corresponding to checked using check bits or refresh check bits according to a control of the memory controller.
摘要翻译：本发明提供了一种存储器件，其包括具有多个存储器块的存储单元阵列; 用于控制相对于存储块的刷新操作的存储器控制器; 刷新检查位存储部分，用于分别存储对应于存储块的刷新校验位; 块选择控制部分，用于根据存储器控制器的控制将要刷新的存储块的刷新校验位设置为校验状态; 使用检查位存储部分，分别使用与所述存储器块相对应的校验位来存储; 使用检查控制部分，用于根据所述存储器控制器的控制来设置访问请求到检查状态的存储器块的刷新检查位; 以及部分刷新控制部分，用于根据存储器控制器的控制来控制使得使用校验位或刷新校验位检查的对应的存储器块。

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