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11. 发明授权

US07026235B1 Dual-damascene process and associated floating metal structures 有权
标题翻译：双镶嵌工艺和相关的浮动金属结构
公开(公告)号：US07026235B1
公开(公告)日：2006-04-11
申请号：US10072164
申请日：2002-02-07
申请人： Mira Ben-Tzur , Krishnaswamy Ramkumar
发明人： Mira Ben-Tzur , Krishnaswamy Ramkumar
IPC分类号： H01L21/4763
CPC分类号： H01L21/7682 , H01L21/76807 , H01L23/5222 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In one embodiment, an interconnect line on one level of an integrated circuit is electrically coupled to another interconnect line on another level. The two layers of interconnects may be coupled together using a via. To reduce capacitance between the interconnect lines, an air core is formed between them. The air core may be formed by using a chemistry that includes a noble gas fluoride to etch a sacrificial layer between the interconnect layers.
摘要翻译：在一个实施例中，集成电路的一个电平上的互连线电连接到另一个电平上的另一个互连线。两层互连可以使用通孔耦合在一起。为了减小互连线之间的电容，在它们之间形成空芯。空芯可以通过使用包含惰性气体氟化物的化学物质来形成，以蚀刻互连层之间的牺牲层。

12. 发明授权

US06977217B1 Aluminum-filled via structure with barrier layer 有权
标题翻译：带有阻挡层的铝填充通孔结构
公开(公告)号：US06977217B1
公开(公告)日：2005-12-20
申请号：US10308410
申请日：2002-12-03
申请人： Mira Ben-Tzur , Gorley L. Lau , Ivan P. Ivanov , Feng Dai , Chan-Lon Yang
发明人： Mira Ben-Tzur , Gorley L. Lau , Ivan P. Ivanov , Feng Dai , Chan-Lon Yang
IPC分类号： H01L21/44 , H01L21/4763 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76843
摘要： In one embodiment, a via structure includes a liner, a barrier layer over the liner, and an aluminum layer over the barrier layer. The barrier layer helps minimize reaction between the aluminum layer and the liner, thus helping minimize void formation in the via. The liner and the barrier layer may be deposited in-situ by ionized metal plasma (IMP) physical vapor deposition (PVD). In one embodiment, the liner comprises titanium, while the barrier layer comprises titanium nitride.
摘要翻译：在一个实施例中，通孔结构包括衬垫，衬垫上的阻挡层和阻挡层上的铝层。阻挡层有助于最小化铝层和衬垫之间的反应，从而有助于最小化通孔中的空隙形成。衬垫和阻挡层可以通过离子化金属等离子体（IMP）物理气相沉积（PVD）原位沉积。在一个实施例中，衬垫包括钛，而阻挡层包括氮化钛。

13. 发明授权

US06911395B1 Method of making borderless contacts in an integrated circuit 有权
标题翻译：在集成电路中制作无边界接触的方法
公开(公告)号：US06911395B1
公开(公告)日：2005-06-28
申请号：US09668604
申请日：2000-09-22
申请人： Jiamin Qiao , Mira Ben-Tzur , Prabhuram Gopalan
发明人： Jiamin Qiao , Mira Ben-Tzur , Prabhuram Gopalan
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/76897
摘要： According to one embodiment (100), a method of forming borderless contacts may include forming a composite layer over a first insulating layer (102). A contact hole may be formed through a composite layer and a first insulating layer (104). A conducting layer may then be formed (106), including within a contact hole. Portions of a conducting layer may then be removed with a composite layer as a polish stop (108), and a contact structure may be formed. A first interconnect structure and a second insulating layer may then be formed over a first insulating layer (110 and 112). A borderless contact pattern may then be etched with a composite layer as an etch stop (114).
摘要翻译：根据一个实施方案（100），形成无边界接触的方法可包括在第一绝缘层（102）上形成复合层。可以通过复合层和第一绝缘层（104）形成接触孔。然后可以形成导电层（106），包括在接触孔内。然后可以用复合层作为抛光停止件（108）去除导电层的一部分，并且可以形成接触结构。然后可以在第一绝缘层（110和112）上形成第一互连结构和第二绝缘层。然后可以用复合层作为蚀刻停止层（114）蚀刻无边界接触图案。

14. 发明授权

US06660661B1 Integrated circuit with improved RC delay 有权
标题翻译：具有改善RC延迟的集成电路
公开(公告)号：US06660661B1
公开(公告)日：2003-12-09
申请号：US10183095
申请日：2002-06-26
申请人： Mira Ben-Tzur , Krishnaswamy Ramkumar , Alain Blosse , Fuad Badrieh
发明人： Mira Ben-Tzur , Krishnaswamy Ramkumar , Alain Blosse , Fuad Badrieh
IPC分类号： H01L21469
CPC分类号： H01L21/32051 , H01L21/76829 , H01L21/76837 , H01L21/76838
摘要： In one embodiment, a passivation level includes a low-k dielectric. The low-k dielectric helps lower the capacitance of a metal line in a last metal level, which may be just below the passivation level. In another embodiment, the metal line is relatively thick. This helps lower the metal line's resistance and resulting RC delay.
摘要翻译：在一个实施例中，钝化层包括低k电介质。低k电介质有助于降低金属线在最后一个金属电平的电容，这可能刚好低于钝化水平。在另一个实施例中，金属线相对较厚。这有助于降低金属线的电阻并导致RC延迟。

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