会员体验
专利管家（专利管理）
工作空间（专利管理）
风险监控（情报监控）
数据分析（专利分析）
侵权分析（诉讼无效）
联系我们
交流群
官方交流：
QQ群： 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
下载
著录项
PDF全文
热词
    • 14. 发明授权
      US4454525A IGFET Having crystal orientation near (944) to minimize white ribbon 失效
    • IGFET Having crystal orientation near (944) to minimize white ribbon
    • IGFET具有接近（944）的晶体取向以最小化白带
    • US4454525A
    • 1984-06-12
    • US215822
    • 1980-12-12
    • Kunihiko Wada , Motoo Nakano
    • Kunihiko Wada , Motoo Nakano
    • H01L21/205 , H01L21/762 , H01L29/04 , H01L29/78 , H01L29/786
    • H01L29/78 , H01L21/76216 , H01L29/045 , Y10S438/973
    • Disclosed here is an IGFET formed on the single crystal silicon substrate where the major plane surface is deviated within the range from 22 degree to 34 degree toward the crystallographic surface {1,1,1,} from {1,0,0} or on the silicon epitaxial layer formed on said substrate. Here, generation of silicon nitride is suppressed, which is newly formed under the mask in the selective oxidation process using the silicon nitride as the mask and also is the main cause of lowering the breakdown voltage of the gate insulating film. In addition, various kinds of functional characteristics depending on the crystallographic surface orientation are not interfered at all. Thereby, the present invention can offer an IGFET which drastically improved the breakdown voltage failure rate of the gate insulating film while keeping the functional characteristics at the best condition.
    • 这里公开的是在单晶硅衬底上形成的IGFET，其中主平面在从{1,0,0}或在（1,0.0）上的晶面{1,1,1}}偏离22度至34度的范围内 形成在所述衬底上的硅外延层。 这里，在使用氮化硅作为掩模的选择氧化工艺中，在掩膜下新形成的氮化硅的产生被抑制，也是降低栅极绝缘膜的击穿电压的主要原因。 此外，根据结晶面取向的各种功能特性根本不受干扰。 因此，本发明可以提供一种IGFET，其将功能特性保持在最佳状态，从而大大提高了栅极绝缘膜的击穿电压故障率。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 19. 发明授权
      US4669062A Two-tiered dynamic random access memory (DRAM) cell 失效
    • Two-tiered dynamic random access memory (DRAM) cell
    • 两层动态随机存取存储器（DRAM）单元
    • US4669062A
    • 1987-05-26
    • US778542
    • 1985-09-20
    • Motoo Nakano
    • Motoo Nakano
    • H01L27/088 , G11C11/402 , G11C11/405 , H01L21/20 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/00 , H01L27/06 , H01L27/10 , H01L27/108 , G11C11/34
    • H01L27/0688 , G11C11/405 , H01L27/108
    • A dynamic random access memory (DRAM) cell has three MIS transistors arranged in a two-tiered structure with high packing density. A read select MIS transistor has source, drain and channel regions formed in the substrate and is covered by a first insulating layer and a semiconductor layer. A write select MIS transistor has source and drain regions formed in the semiconducting layer, the first insulating layer having a contact window therein through which the drain regions of the write select and read select MIS transistors are connected. A storage MIS transistor has source, channel and drain regions formed in the substrate, the channel region of the storage MIS transistor comprising the source region of the read select MIS transistor and the drain region of the storage MIS transistor comprising the channel region of the read select MIS transistor, the respective channel regions of the read and storage MIS transistors being formed in a common level in the silicon substrate and directly connected therein between the source region of the storage MIS transistor and the drain region of the read select MIS transistor. The write select MIS transistor further may comprise a separate gate electrode, the gate electrodes of the write and read MIS transistors comprising portions of corresponding, separate conducting lines serving as write select and read select lines, respectively.
    • 动态随机存取存储器（DRAM）单元具有以具有高堆积密度的双层结构排列的三个MIS晶体管。 读选择MIS晶体管具有形成在衬底中的源极，漏极和沟道区，并被第一绝缘层和半导体层覆盖。 写入选择MIS晶体管具有形成在半导体层中的源极和漏极区域，第一绝缘层具有接触窗口，通过该接触窗口连接写入选择和读取选择MIS晶体管的漏极区域。 存储MIS晶体管具有形成在衬底中的源极，沟道和漏极区，存储MIS晶体管的沟道区包括读选择MIS晶体管的源极区和存储MIS晶体管的漏极区，包括读取的沟道区 选择MIS晶体管，读取和存储MIS晶体管的各个沟道区域形成在硅衬底中的公共电平并且直接连接在存储MIS晶体管的源极区域和读选择MIS晶体管的漏极区域之间。 写选择MIS晶体管还可以包括单独的栅电极，写和读MIS晶体管晶体管的栅电极分别包括用作写选择和读选择线的相应的单独导电线的部分。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
每页展示10个专利
每页展示10个专利
每页展示20个专利
每页展示50个专利
每页展示100个专利

IPRDB

最新中国发明专利 最新美国发明专利 技术领域 专利库 专利分类库 国际专利分类库

热门服务

会员版试用 API 数据接口 找代理 知嘟嘟专利交易 排行榜 大学排行榜 专利百科

关于我们

平台介绍 战略合作 网站地图

友情链接

知嘟嘟专利交易 国家知识产权局 中国商标网

联系方式


©2019-2023 上海吉码数字技术有限公司 版权所有，并保留所有权利 沪ICP备20016256号-6 沪公网安备31011702005475号