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    • 94. 发明授权
    • Silicon solar cell with germanium backside solar cell
    • 硅太阳能电池与锗背面太阳能电池
    • US06743974B2
    • 2004-06-01
    • US10140640
    • 2002-05-08
    • Kazumi WadaLionel C. Kimerling
    • Kazumi WadaLionel C. Kimerling
    • H01L3106
    • H01L31/0687H01L31/03685H01L31/078Y02E10/544Y02E10/545Y02E10/548
    • A multijunction solar cell comprising a silicon solar cell with a germanium solar cell formed on the backside of the silicon solar cell. The silicon solar cell and germanium solar cell are directly coupled via a p-p junction to inactivate interface dislocations. Preferably, the silicon solar cell comprises a p++ type silicon layer; an intrinsic silicon layer formed on the p++ type silicon layer; an n++ type silicon layer formed on the intrinsic type silicon layer; and a p-type silicon layer formed on the n++ type silicon layer. The germanium solar cell preferably comprises an n-type germanium layer; and a p-type germanium layer form on the n-type germanium layer. The p-type germanium layer is coupled to the p++ type silicon layer.
    • 一种多结太阳能电池,包括形成在硅太阳能电池的背面上的锗太阳能电池的硅太阳能电池。 硅太阳能电池和锗太阳能电池通过p-p接头直接耦合以钝化界面位错。 优选地,硅太阳能电池包括p ++型硅层; 形成在p ++型硅层上的本征硅层; 形成在本征型硅层上的n ++型硅层; 以及形成在n ++型硅层上的p型硅层。 锗太阳能电池优选包括n型锗层; 和在n型锗层上形成p型锗层。 p型锗层与p ++型硅层耦合。