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1. 发明授权

US5786608A Semiconductor chemical sensor device with specific heater structure 失效
标题翻译：具有特定加热器结构的半导体化学传感器
公开(公告)号：US5786608A
公开(公告)日：1998-07-28
申请号：US806816
申请日：1997-02-26
申请人： Lionel Lescouzeres , Alain Seube , Anne-Marie Gue
发明人： Lionel Lescouzeres , Alain Seube , Anne-Marie Gue
IPC分类号： G01N27/12 , H01L23/58 , G01N7/00 , H01C7/00
CPC分类号： G01N27/12
摘要： A semiconductor device (50) comprises a semiconductor base, a heater (20) formed over the semiconductor base from conductive material, such as polysilicon, and a layer (22) for heating by the heater. The heater (20) comprises first (24) and second (26) arms extending over the semiconductor base from a heater portion (28) and an opening (34) extending vertically through the heater portion (28). A first heater contact (30) is coupled to an end of the first arm (24) and a second heater contact (32) is coupled to an end of the second arm (26). The layer (22) is formed over the opening (34) and heater portion (28) such that a vertical axis through the center (36) of the opening (34) extends through the center (36) of the layer (22).
摘要翻译：半导体器件（50）包括半导体基底，从诸如多晶硅的导电材料形成在半导体基底上的加热器（20）和用于通过加热器加热的层（22）。加热器（20）包括从加热器部分（28）延伸到半导体基底上的第一（24）和第二臂（26）以及垂直延伸穿过加热器部分（28）的开口（34）。第一加热器接触件（30）联接到第一臂（24）的端部，并且第二加热器接触件（32）联接到第二臂（26）的端部。层（22）形成在开口（34）和加热器部分（28）上方，使得通过开口（34）的中心（36）的垂直轴线延伸穿过层（22）的中心（36）。

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