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1. 发明专利

TW201721888A 背接觸太陽能電池及其製造方法审中-公开
简体标题：背接触太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TW201721888A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW104140523
申请日：2015-12-03
申请人：茂迪股份有限公司 , MOTECH INDUSTRIES INC.
发明人：賴光傑 , LAI, KUANGCHIEH , 莊佳智 , CHUANG, CHIA CHIH
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0376 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一種背接觸太陽能電池及其製造方法。在此方法中，形成同質接面背面電場於半導體基板背面之第一區域中。形成鈍化層覆蓋同質接面背面電場。形成非晶系半導體層覆蓋背面之第二區域。非晶系半導體層包含第一子層及位於第一子層上之第二子層。第一子層為本徵型，第二子層為第二導電型。形成接觸窗開口於鈍化層中。形成透明導電氧化物層，其包含分離之第一區塊及第二區塊。第一區塊經由接觸窗開口而與同質接面背面電場相接，第二區塊覆蓋第二子層。形成二電鍍金屬電極分別位於第一區塊與第二區塊上。
简体摘要：一种背接触太阳能电池及其制造方法。在此方法中，形成同质接面背面电场于半导体基板背面之第一区域中。形成钝化层覆盖同质接面背面电场。形成非晶系半导体层覆盖背面之第二区域。非晶系半导体层包含第一子层及位于第一子层上之第二子层。第一子层为本征型，第二子层为第二导电型。形成接触窗开口于钝化层中。形成透明导电氧化物层，其包含分离之第一区块及第二区块。第一区块经由接触窗开口而与同质接面背面电场相接，第二区块覆盖第二子层。形成二电镀金属电极分别位于第一区块与第二区块上。

2. 发明专利

TWI496300B 異質接面太陽能電池及其製造方法有权
简体标题：异质接面太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TWI496300B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW103146509
申请日：2014-12-31
申请人：新日光能源科技股份有限公司 , NEO SOLAR POWER CORP.
发明人：陳芃 , CHEN, PENG
IPC分类号： H01L31/0376 , H01L31/072
CPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/022466 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/1884 , H01L31/202 , H01L31/208 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02P70/521

3. 发明专利

TW202023063A 改良異質接面太陽能電池的效能的方法审中-公开
简体标题：改良异质接面太阳能电池的性能的方法
公开(公告)号：TW202023063A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108138436
申请日：2019-10-24
申请人：澳洲商新南創新私人有限公司 , NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED
发明人：哈勒姆布雷特傑森 , HALLAM, BRETT JASON , 賴特馬修詹姆士 , WRIGHT, MATTHEW JAMES , 金文龍 , KIM, MOONYONG , 陳丹尼 , CHEN, DANIEL
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0376 , H01L31/024
摘要：本揭露內容提供一種用於迅速處理使用排他性地與n型摻雜劑摻雜之一結晶矽晶圓製造的一異質接面太陽能電池以改良表面鈍化及載流子輸送性質之方法，其使用以下步驟：提供一異質接面太陽能電池；該太陽能電池具有排他性地與具有高於1×1014cm-3之一濃度的n型摻雜劑摻雜之一n型矽基板，及多個金屬接點；在少於5分鐘之一週期內且在200℃與300℃之間的一溫度下照射該太陽能電池之一表面部分，其中光具有至少2 kW/m2之一強度及一波長使得該光由該表面部分吸收且在該太陽能電池中產生電子-電洞對。照射該太陽能電池之一表面部分之該步驟使得將少於0.5 kWh/m2之能量轉移至該表面部分，且該表面部分之一溫度在照射期間之一時間週期內以至少10℃/s之一速率增加。
简体摘要：本揭露内容提供一种用于迅速处理使用排他性地与n型掺杂剂掺杂之一结晶硅晶圆制造的一异质接面太阳能电池以改良表面钝化及载流子输送性质之方法，其使用以下步骤：提供一异质接面太阳能电池；该太阳能电池具有排他性地与具有高于1×1014cm-3之一浓度的n型掺杂剂掺杂之一n型硅基板，及多个金属接点；在少于5分钟之一周期内且在200℃与300℃之间的一温度下照射该太阳能电池之一表面部分，其中光具有至少2 kW/m2之一强度及一波长使得该光由该表面部分吸收且在该太阳能电池中产生电子-电洞对。照射该太阳能电池之一表面部分之该步骤使得将少于0.5 kWh/m2之能量转移至该表面部分，且该表面部分之一温度在照射期间之一时间周期内以至少10℃/s之一速率增加。

4. 发明专利

TW201904082A 太陽能電池結構及其製造方法审中-公开
简体标题：太阳能电池结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201904082A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW106119517
申请日：2017-06-12
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：田偉辰 , TIEN, WEI CHEN , 葉昌鑫 , YE, CHANG SIN , 吳春森 , WU, CHUN SEN
IPC分类号： H01L31/0376 , H01L31/12 , H01L31/20
摘要：一種太陽能電池結構及其製造方法。此太陽能電池結構包含矽基板、第一鈍化結構、以及第二鈍化結構。矽基板具有相對之第一表面與第二表面。第一鈍化結構覆蓋在矽基板之第一表面上，其中第一鈍化結構包含依序堆疊在第一表面上之第一非晶二氧化矽鈍化層以及第一本質型非晶矽鈍化層。第二鈍化結構覆蓋在矽基板之第二表面上，其中第二鈍化結構包含依序堆疊在第二表面上之第二非晶二氧化矽鈍化層以及第二本質型非晶矽鈍化層。
简体摘要：一种太阳能电池结构及其制造方法。此太阳能电池结构包含硅基板、第一钝化结构、以及第二钝化结构。硅基板具有相对之第一表面与第二表面。第一钝化结构覆盖在硅基板之第一表面上，其中第一钝化结构包含依序堆栈在第一表面上之第一非晶二氧化硅钝化层以及第一本质型非晶硅钝化层。第二钝化结构覆盖在硅基板之第二表面上，其中第二钝化结构包含依序堆栈在第二表面上之第二非晶二氧化硅钝化层以及第二本质型非晶硅钝化层。

5. 发明专利

TW201624743A 異質接面太陽能電池及其製造方法审中-公开
简体标题：异质接面太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TW201624743A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103146509
申请日：2014-12-31
申请人：新日光能源科技股份有限公司 , NEO SOLAR POWER CORP.
发明人：陳芃 , CHEN, PENG
IPC分类号： H01L31/0376 , H01L31/072
CPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/022466 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/1884 , H01L31/202 , H01L31/208 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：一種異質接面太陽能電池包含半導體基板、第一n型緩衝層、第二n型緩衝層、第一非晶矽半導體層、第二非晶矽半導體層、第一透明導電層以及第二透明導電層。其中，其製造方法首先是製備半導體基板；接著於半導體基板之第一表面與第二表面上分別形成第一n型緩衝層與第二n型緩衝層；然後於第一n型緩衝層與第二n型緩衝層上分別形成第一非晶矽半導體層與第二非晶矽半導體層；再來於第一非晶矽半導體層與第二非晶矽半導體層上分別形成第一透明導電層與第二透明導電層；最後在第一透明導電層與第二透明導電層上分別設置第一導線與第二導線。
简体摘要：一种异质接面太阳能电池包含半导体基板、第一n型缓冲层、第二n型缓冲层、第一非晶硅半导体层、第二非晶硅半导体层、第一透明导电层以及第二透明导电层。其中，其制造方法首先是制备半导体基板；接着于半导体基板之第一表面与第二表面上分别形成第一n型缓冲层与第二n型缓冲层；然后于第一n型缓冲层与第二n型缓冲层上分别形成第一非晶硅半导体层与第二非晶硅半导体层；再来于第一非晶硅半导体层与第二非晶硅半导体层上分别形成第一透明导电层与第二透明导电层；最后在第一透明导电层与第二透明导电层上分别设置第一导线与第二导线。

6. 发明专利

TW201511304A 一種用於製造太陽能電池，特別是矽薄膜層的太陽能電池的方法审中-公开
简体标题：一种用于制造太阳能电池，特别是硅薄膜层的太阳能电池的方法
公开(公告)号：TW201511304A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103125249
申请日：2014-07-24
申请人：里拉斯公司 , LILAS GMBH
发明人：里索宣科維塔里 , LISSOTSCHENKO, VITALIJ
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02366 , C03C17/3482 , C03C23/004 , C03C2217/94 , C03C2218/31 , H01L31/048 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1872 , H01L31/1884 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明係有關於一種用於製造太陽能電池，特別是矽薄膜層的太陽能電池的方法，根據該方法，將TCO層(3)鍍覆至玻璃基板(1)並將至少一矽層(4，5)鍍覆至該TCO層(3)，其中，在鍍覆該TCO層(3)前對該玻璃基板(1)施加一電子輻射，以便產生該玻璃基板(1)的一光散射層(2)，將該TCO層(3)鍍覆至該光散射層。作為替代或補充方案，可為該TCO層(3)鍍覆第一矽層(4)，對該第一矽層(4)施加雷射輻射或電子輻射，以及，將第二矽層(5)鍍覆至該經輻射之第一矽層(4)。
简体摘要：本发明系有关于一种用于制造太阳能电池，特别是硅薄膜层的太阳能电池的方法，根据该方法，将TCO层(3)镀覆至玻璃基板(1)并将至少一硅层(4，5)镀覆至该TCO层(3)，其中，在镀覆该TCO层(3)前对该玻璃基板(1)施加一电子辐射，以便产生该玻璃基板(1)的一光散射层(2)，将该TCO层(3)镀覆至该光散射层。作为替代或补充方案，可为该TCO层(3)镀覆第一硅层(4)，对该第一硅层(4)施加激光辐射或电子辐射，以及，将第二硅层(5)镀覆至该经辐射之第一硅层(4)。

7. 发明专利

TWI389327B 非晶矽鍺薄膜結合單晶矽基板之太陽電池結構與製造方法有权
简体标题：非晶硅锗薄膜结合单晶硅基板之太阳电池结构与制造方法
公开(公告)号：TWI389327B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW098119857
申请日：2009-06-15
申请人：國立雲林科技大學 , NATIONAL YUNLIN UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY
发明人：林堅楊 , 張百裕 , 吳宗學
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/0376
CPC分类号： Y02E10/50

8. 发明专利

TWI614908B 一種製造太陽能電池的方法有权
简体标题：一种制造太阳能电池的方法
公开(公告)号：TWI614908B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW103125249
申请日：2014-07-24
申请人：里拉斯公司 , LILAS GMBH
发明人：里索宣科維塔里 , LISSOTSCHENKO, VITALIJ
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02366 , C03C17/3482 , C03C23/004 , C03C2217/94 , C03C2218/31 , H01L31/048 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1872 , H01L31/1884 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521

9. 发明专利

TWI596786B 背接觸太陽能電池及其製造方法有权
简体标题：背接触太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TWI596786B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW104140523
申请日：2015-12-03
申请人：茂迪股份有限公司 , MOTECH INDUSTRIES INC.
发明人：賴光傑 , LAI, KUANGCHIEH , 莊佳智 , CHUANG, CHIA CHIH
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0376 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50

10. 发明专利

TW201715747A 無氣泡的多晶矽太陽能電池审中-公开
简体标题：无气泡的多晶硅太阳能电池
公开(公告)号：TW201715747A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105108713
申请日：2016-03-21
申请人：太陽電子公司 , SUNPOWER CORPORATION , 道達爾行銷服務公司 , TOTAL MARKETING SERVICES
发明人：布林吉爾奧拉夫 , POULAIN, GILLES OLAV , 哈伯卡納達 , HABKA, NADA , 傑菲努佩林 , JAFFRENNOU, PERINE , 費洛諾维奇塞爾吉 , FILONOVICH, SERGEJ , 邱泰慶 , QIU, TAIQING
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/0236 , H01L21/203
CPC分类号： H01L31/0682 , H01L31/02008 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/03682 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1824 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本文係揭露一種太陽能電池之製造方法。在一示例中，太陽能電池之製造方法包含在與基板之光接收面相對的基板之背面上形成非晶態介電層。方法也包含藉由電漿增強型化學氣相沉積法(PECVD)在非晶態介電層上形成微晶矽層。方法也包含藉由PECVD在微晶矽層上形成非晶矽層。方法也包含對微晶矽層以及非晶矽層執行退火，以自微晶矽層以及非晶矽層形成同質多晶矽層。方法也包含自同質多晶矽層形成射極區。
简体摘要：本文系揭露一种太阳能电池之制造方法。在一示例中，太阳能电池之制造方法包含在与基板之光接收面相对的基板之背面上形成非晶态介电层。方法也包含借由等离子增强型化学气相沉积法(PECVD)在非晶态介电层上形成微晶硅层。方法也包含借由PECVD在微晶硅层上形成非晶硅层。方法也包含对微晶硅层以及非晶硅层运行退火，以自微晶硅层以及非晶硅层形成同质多晶硅层。方法也包含自同质多晶硅层形成射极区。

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