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1. 发明专利

TWI674664B 積體電路元件及其製造方法有权
简体标题：集成电路组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI674664B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW107109020
申请日：2018-03-16
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：黃郁凱 , HUANG, YU-KAI , 江圳陵 , CHIANG, CHUN-LING , 洪永泰 , HUNG, YUNG-TAI , 鄭俊民 , CHENG, CHUN-MIN , 駱統 , LUOH, TUUNG , 楊令武 , YANG, LING-WUU , 楊大弘 , YANG, TA-HUNG , 陳光釗 , CHEN, KUANG-CHAO
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L27/11526

2. 发明专利

TWI652803B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI652803B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW106142996
申请日：2017-12-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：劉振欽 , LIU, CHEN-CHIN , 吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 呂宜憲 , LU, YI-HSIEN , 王馭熊 , WANG, YU-HSIUNG , 楊卓俐 , YANG, JUO-LI
IPC分类号： H01L27/11526

3. 发明专利

TW202030872A 半導體記憶裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TW202030872A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108128689
申请日：2019-08-13
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：小澤歩 , OZAWA, AYUMU
IPC分类号： H01L27/11526 , H01L27/11551
摘要：本發明之一實施形態係關於一種半導體記憶裝置及其製造方法。實施形態之半導體記憶裝置係於積層有複數層由導電層及絕緣層之組構成之單位層而成之積層體，設置三維地配置有記憶胞之記憶胞陣列、及將上述導電層與接點連接之接點部。上述接點部包含接點配置部、及連接部。上述接點配置部包含具有朝向離開上述記憶胞陣列之第1方向降階之各階差之降階階差群、及具有朝向上述第1方向升階之各階差之升階階差群。上述連接部將上述記憶胞陣列之上述導電層與被分斷之上述升階階差群之上述導電層連接。
简体摘要：本发明之一实施形态系关于一种半导体记忆设备及其制造方法。实施形态之半导体记忆设备系于积层有复数层由导电层及绝缘层之组构成之单位层而成之积层体，设置三维地配置有记忆胞之记忆胞数组、及将上述导电层与接点连接之接点部。上述接点部包含接点配置部、及连接部。上述接点配置部包含具有朝向离开上述记忆胞数组之第1方向降阶之各阶差之降阶阶差群、及具有朝向上述第1方向升阶之各阶差之升阶阶差群。上述连接部将上述记忆胞数组之上述导电层与被分断之上述升阶阶差群之上述导电层连接。

4. 发明专利

TW201843813A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201843813A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW106123436
申请日：2017-07-13
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：磯貝達典 , ISOGAI, TATSUNORI , 野口将希 , NOGUCHI, MASAKI
IPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11582
摘要：本發明之實施形態提供一種能夠使針對成膜時可能產生之缺陷之對策得以改善之半導體裝置及其製造方法。根據實施形態，半導體裝置具備：積層體，其由絕緣層與導電層交替地積層而成；阻擋絕緣膜，其設置於絕緣層表面及導電層表面；電荷儲存膜，其設置於阻擋絕緣膜表面；隧道絕緣膜，其具有設置於電荷儲存膜表面之第1絕緣膜、設置於第1絕緣膜表面之第2絕緣膜、及設置於第2絕緣膜表面之第3絕緣膜；以及通道膜，其設置於第3絕緣膜表面。至少於第1絕緣膜或第3絕緣膜中包含缺陷終止元素，且第1絕緣膜、第2絕緣膜及第3絕緣膜之缺陷終止元素含有濃度各不相同。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种能够使针对成膜时可能产生之缺陷之对策得以改善之半导体设备及其制造方法。根据实施形态，半导体设备具备：积层体，其由绝缘层与导电层交替地积层而成；阻挡绝缘膜，其设置于绝缘层表面及导电层表面；电荷存储膜，其设置于阻挡绝缘膜表面；隧道绝缘膜，其具有设置于电荷存储膜表面之第1绝缘膜、设置于第1绝缘膜表面之第2绝缘膜、及设置于第2绝缘膜表面之第3绝缘膜；以及信道膜，其设置于第3绝缘膜表面。至少于第1绝缘膜或第3绝缘膜中包含缺陷终止元素，且第1绝缘膜、第2绝缘膜及第3绝缘膜之缺陷终止元素含有浓度各不相同。

5. 发明专利

TWI683424B 具有沉積的半導體插塞的立體記憶體元件及其形成方法有权
简体标题：具有沉积的半导体插塞的三維内存组件及其形成方法
公开(公告)号：TWI683424B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW108119730
申请日：2019-06-06
申请人：大陸商長江存儲科技有限責任公司 , YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：肖莉紅 , XIAO, LI HONG
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L27/11526 , H01L27/11521

6. 发明专利

TWI665787B 內嵌式記憶體的單元邊界結構有权
简体标题：内嵌式内存的单元边界结构
公开(公告)号：TWI665787B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW106135901
申请日：2017-10-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 劉世昌 , LIU, SHIH-CHANG , 陳勝捷 , CHEN, SHENG-CHIEH , 張宇行 , CHANG, YU-HSING
IPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/11526

7. 发明专利

TW202023031A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW202023031A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108110085
申请日：2019-03-22
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：廖俊誠 , LIAO, CHUN-CHENG
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L27/11526
摘要：本揭露提供一種半導體裝置。該半導體裝置包括一半導體基底、一導電貫通電極、一絕緣膜、一凸塊以及一連接層，其中該連接層包括一可圖案化材料，而可該圖案化材料包含有多個導電粒子。該可圖案化材料包括感光材料。該感光材料為光阻或聚亞醯胺。該導電粒子包括銅、鎳、金、或銀。該連接層可由下列方式予以形成：旋轉塗佈、化學氣相沉積製程、或是物理氣相沉積製程。該導電貫通電極貫穿該半導體基底。該絕緣膜圍繞該導電貫通電極且使該導電貫通電極與該半導體基底電性地絕緣。該凸塊設置在該導電貫通電極上。該連接層係設置在該凸塊上。
简体摘要：本揭露提供一种半导体设备。该半导体设备包括一半导体基底、一导电贯通电极、一绝缘膜、一凸块以及一连接层，其中该连接层包括一可图案化材料，而可该图案化材料包含有多个导电粒子。该可图案化材料包括感光材料。该感光材料为光阻或聚亚酰胺。该导电粒子包括铜、镍、金、或银。该连接层可由下列方式予以形成：旋转涂布、化学气相沉积制程、或是物理气相沉积制程。该导电贯通电极贯穿该半导体基底。该绝缘膜围绕该导电贯通电极且使该导电贯通电极与该半导体基底电性地绝缘。该凸块设置在该导电贯通电极上。该连接层系设置在该凸块上。

8. 发明专利

TWI695491B 半導體記憶體及半導體記憶體之製造方法有权
简体标题：半导体内存及半导体内存之制造方法
公开(公告)号：TWI695491B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW108102202
申请日：2019-01-21
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：山崎博之 , YAMASAKI, HIROYUKI , 原川秀明 , HARAKAWA, HIDEAKI
IPC分类号： H01L27/11517 , H01L27/11524 , H01L27/11526

9. 发明专利

TW202011573A 積體電路裝置及積體電路裝置之製造方法审中-公开
简体标题：集成电路设备及集成电路设备之制造方法
公开(公告)号：TW202011573A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108108005
申请日：2019-03-11
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：位田友哉 , INDEN, TOMOYA , 北本克征 , KITAMOTO, KATSUYUKI
IPC分类号： H01L27/11517 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11551
摘要：本發明之實施形態之積體電路裝置具有：基板、第1電晶體、絕緣層、第1接點、第2接點、及第1單晶部。前述第1電晶體具有：第1閘極電極、及設置於前述基板之第1源極區域及第1汲極區域。前述第1接點面向前述第1閘極電極。前述第2接點面向作為前述第1源極區域與前述第1汲極區域中一者之第1區域。前述第1單晶部設置於前述第1區域上而形成相對於前述第1區域之表面之凸部，且位於前述第1區域與前述第2接點之間。
简体摘要：本发明之实施形态之集成电路设备具有：基板、第1晶体管、绝缘层、第1接点、第2接点、及第1单晶部。前述第1晶体管具有：第1闸极电极、及设置于前述基板之第1源极区域及第1汲极区域。前述第1接点面向前述第1闸极电极。前述第2接点面向作为前述第1源极区域与前述第1汲极区域中一者之第1区域。前述第1单晶部设置于前述第1区域上而形成相对于前述第1区域之表面之凸部，且位于前述第1区域与前述第2接点之间。

10. 发明专利

TWI688081B 三維（3D）記憶體裝置有权
简体标题：三维（3D）内存设备
公开(公告)号：TWI688081B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW107128186
申请日：2018-08-13
申请人：大陸商長江存儲科技有限責任公司 , YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：霍宗亮 , HUO, ZONGLIANG
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L27/11521 , H01L27/11526

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