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1. 发明专利

TWI701796B 半導體封裝結構及其製備方法有权
简体标题：半导体封装结构及其制备方法
公开(公告)号：TWI701796B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW108113782
申请日：2019-04-19
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：施信益 , SHIH, SHING-YIH
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/48

2. 发明专利

TWI700802B 射頻電子整合封裝結構及其製法有权
简体标题：射频电子集成封装结构及其制法
公开(公告)号：TWI700802B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW107145860
申请日：2018-12-19
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：蔣靜雯 , CHIANG, CHING-WEN , 管延城 , KUAN, YEN CHENG , 梁嘉仁 , LIANG, CHIA JEN
IPC分类号： H01L23/58 , H01L21/48

3. 实用新型

TWM597554U 部件承載件有权
简体标题：部件承载件
公开(公告)号：TWM597554U
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW109201184
申请日：2020-01-31
申请人：奧地利商奧特斯奧地利科技與系統技術有限公司 , AT&S AUSTRIA TECHNOLOGIE & SYSTEMTECHNIK AKTIENGESELLSCHAFT
发明人：艾菲斯艾德拉薩克 , IFIS, ABDERRAZZAQ , 鮑歐品格尼可拉斯 , BAUER-OPPINGER, NIKOLAUS
IPC分类号： H05K3/40 , H05K1/11 , H01L21/48 , H01L23/498

4. 发明专利

TW202011566A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW202011566A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108101918
申请日：2019-01-18
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：本郷悟史 , HONGO, SATOSHI
IPC分类号： H01L25/00 , H01L21/48
摘要：實施形態提供一種可良好地貼合複數個半導體基板上之材料層之半導體裝置及其製造方法。實施形態之半導體裝置具備第1半導體基板、第1絕緣膜、第1金屬層、第1電極部、第2半導體基板、第2絕緣膜、及第2電極部。第1絕緣膜設置於第1半導體基板之第1面，且形成有第1槽。第1金屬層被覆第1槽之內表面。第1電極部設置於第1金屬層上並嵌入至第1槽內。第2半導體基板具有與第1半導體基板之第1面對向之第2面。第2絕緣膜設置於第2半導體基板之第2面，與第1絕緣膜貼合，且形成有第2槽。第2電極部嵌入至第2槽內，並與第1電極部連接。第1金屬層之端部比第1絕緣膜之表面更向第1半導體基板側凹陷。
简体摘要：实施形态提供一种可良好地贴合复数个半导体基板上之材料层之半导体设备及其制造方法。实施形态之半导体设备具备第1半导体基板、第1绝缘膜、第1金属层、第1电极部、第2半导体基板、第2绝缘膜、及第2电极部。第1绝缘膜设置于第1半导体基板之第1面，且形成有第1槽。第1金属层被覆第1槽之内表面。第1电极部设置于第1金属层上并嵌入至第1槽内。第2半导体基板具有与第1半导体基板之第1面对向之第2面。第2绝缘膜设置于第2半导体基板之第2面，与第1绝缘膜贴合，且形成有第2槽。第2电极部嵌入至第2槽内，并与第1电极部连接。第1金属层之端部比第1绝缘膜之表面更向第1半导体基板侧凹陷。

5. 发明专利

TWI669802B 晶片上加熱器有权
简体标题：芯片上加热器
公开(公告)号：TWI669802B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW106113313
申请日：2017-04-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：陳東村 , CHEN, TUNG-TSUN , 黃睿政 , HUANG, JUI-CHENG , 陳昆龍 , CHEN, KUN-LUNG , 謝正祥 , HSIEH, CHENG-HSIANG
IPC分类号： H01L23/58 , H01L23/36 , H01L21/48 , H01L21/56 , G01N27/414

6. 发明专利

TW201920753A 單片陶瓷氣體分配板审中-公开
简体标题：单片陶瓷气体分配板
公开(公告)号：TW201920753A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107125831
申请日：2018-07-26
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：塔克傑里米 , TUCKER, JEREMY , 林甘帕奇蘭奇玄拉烏 , LINGAMPALLI, RAMKISHAN RAO
IPC分类号： C23C16/455 , B05B1/18 , C04B35/66 , H01L21/306 , H01L21/48
摘要：一種使用於半導體基板可在其中受處理的處理腔室中之單片陶瓷氣體分配板包含一單片陶瓷本體，其具有一上表面、一下表面、及在該上表面與該下表面之間延伸的一外部圓柱面。該下表面在均勻間隔之第一位置處包含第一出氣口，且該等第一出氣口係透過第一組垂直延伸通孔而與該上表面中的第一進氣口流體連通，該第一組垂直延伸通孔使該等第一進氣口與該等第一出氣口連接。該下表面在鄰近該等第一位置之均勻間隔的第二位置處亦包含第二出氣口，且該等第二出氣口係透過第二組垂直延伸通孔而與該單片陶瓷本體中的內充氣部流體連通，該第二組垂直延伸通孔使該等第二出氣口與該內充氣部連接。該內充氣部係與位在該上表面之中心部分中的第二進氣口流體連通，且該內充氣部係由一內部上壁、一內部下壁、一內部外壁、及一組柱體所界定，該組柱體在該內部上壁與該內部下壁之間延伸。該第一組垂直延伸通孔的各通孔穿過該等柱體之相應者以將該第一與第二氣體隔離。
简体摘要：一种使用于半导体基板可在其中受处理的处理腔室中之单片陶瓷气体分配板包含一单片陶瓷本体，其具有一上表面、一下表面、及在该上表面与该下表面之间延伸的一外部圆柱面。该下表面在均匀间隔之第一位置处包含第一出气口，且该等第一出气口系透过第一组垂直延伸通孔而与该上表面中的第一进气口流体连通，该第一组垂直延伸通孔使该等第一进气口与该等第一出气口连接。该下表面在邻近该等第一位置之均匀间隔的第二位置处亦包含第二出气口，且该等第二出气口系透过第二组垂直延伸通孔而与该单片陶瓷本体中的内充气部流体连通，该第二组垂直延伸通孔使该等第二出气口与该内充气部连接。该内充气部系与位在该上表面之中心部分中的第二进气口流体连通，且该内充气部系由一内部上壁、一内部下壁、一内部外壁、及一组柱体所界定，该组柱体在该内部上壁与该内部下壁之间延伸。该第一组垂直延伸通孔的各通孔穿过该等柱体之相应者以将该第一与第二气体隔离。

7. 发明专利

TWI653691B 接合結構及其形成方法有权
简体标题：接合结构及其形成方法
公开(公告)号：TWI653691B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW105121359
申请日：2016-07-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：李明機 , LII, MIRNG JI , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI , 古進譽 , KU, CHIN YU , 郭宏瑞 , KUO, HUNG JUI , 卡林斯基艾力克斯安德 , KALNITSKY, ALEXANDER , 劉國洲 , LIU, KUO CHIO , 何明哲 , HO, MING CHE , 吳逸文 , WU, YI WEN , 陳清暉 , CHEN, CHING HUI
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532

8. 发明专利

TWI652742B 用於在一半導體記憶體裝置中形成一金屬罩的方法有权
简体标题：用于在一半导体内存设备中形成一金属罩的方法
公开(公告)号：TWI652742B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW104113584
申请日：2015-04-28
申请人：日商索尼半導體解決方案公司 , SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
发明人：布拉克里斯南慕拉里克里斯南 , BALAKRISHNAN, MURALIKRISHNAN , 邊在龍 , BIAN, ZAILONG , 達瑪拉葛瑞薩卡 , DAMARLA, GOWRISANKAR , 李紅旗 , LI, HONGQI , 呂瑾 , LU, JIN , 拉瑪林根夏安 , RAMALINGAM, SHYAM , 蘇小永 , ZHU, XIAOYUN
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/321 , H01L45/00

9. 发明专利

TWI652132B 工件接合裝置、工件對位方法以及工件承載裝置有权
简体标题：工件接合设备、工件对位方法以及工件承载设备
公开(公告)号：TWI652132B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW106108201
申请日：2017-03-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳慈信 , CHEN, TZU SHIN , 陳建置 , CHEN, CHIEN CHIH , 黃俊凱 , HUANG, CHUN HAI , 鄭穆韓 , CHENG, MU HAN , 葉書佑 , YEH, SU YU
IPC分类号： B23K37/047 , H01L21/48

10. 发明专利

TWI644401B 晶片封裝及其製造方法有权
简体标题：芯片封装及其制造方法
公开(公告)号：TWI644401B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW105132677
申请日：2016-10-07
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, PO CHUN
IPC分类号： H01L23/16 , H01L23/528 , H01L21/48 , H01L21/50

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