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1. 发明专利

TW202027142A 閘極結構的形成方法审中-公开
简体标题：闸极结构的形成方法
公开(公告)号：TW202027142A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108134975
申请日：2019-09-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：程仲良 , CHENG, CHUNG-LIANG , 方子韋 , FANG, ZI-WEI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/285
摘要：閘極結構的形成方法，包括形成溝槽於半導體基板上的層間介電層中，且溝槽露出半導體基板的上表面；形成界面層於溝槽的底部；形成介電層於溝槽中；形成功函數金屬層於介電層上；原位形成氮化物層於溝槽中的功函數金屬層上；進行鈷的第一沉積製程，以形成鈷層於溝槽中；進行鈷的第二沉積製程，以增加溝槽中的鈷層的厚度；以及進行電化學鍍製程以將鈷填入溝槽。
简体摘要：闸极结构的形成方法，包括形成沟槽于半导体基板上的层间介电层中，且沟槽露出半导体基板的上表面；形成界面层于沟槽的底部；形成介电层于沟槽中；形成功函数金属层于介电层上；原位形成氮化物层于沟槽中的功函数金属层上；进行钴的第一沉积制程，以形成钴层于沟槽中；进行钴的第二沉积制程，以增加沟槽中的钴层的厚度；以及进行电化学镀制程以将钴填入沟槽。

2. 发明专利

TWI698545B 沈積過渡金屬碳化物薄膜的方法、氣相沈積前驅組合物、容器及沈積反應器有权
简体标题：沉积过渡金属碳化物薄膜的方法、气相沉积前驱组合物、容器及沉积反应器
公开(公告)号：TWI698545B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW105129014
申请日：2016-09-08
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：雪洛艾立克 J. , SHERO, ERIC J. , 維埃茲莫西斯 E. , VERGHESE, MOHITH E.
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/455 , C07F5/06 , H01L21/285 , H01L29/78

3. 实用新型

TWM597176U 一種用於半導體製程的流體管路裝置有权
简体标题：一种用于半导体制程的流体管路设备
公开(公告)号：TWM597176U
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW109202847
申请日：2020-03-12
申请人：寶虹科技股份有限公司
发明人：呂理宏 , LU, LI-HOG , 王懷義 , WANG, HUAI-YI , 蔡龍泉 , TSAI, LUNG-CHUAN , 游克強 , YU, KO-CHIANG
IPC分类号： B01D47/02 , B01D47/00 , B01D53/46 , B01J8/22 , B01J8/00 , B02C18/00 , H01L21/285

4. 发明专利

TW202022146A 半導體裝置的形成方法审中-公开
简体标题：半导体设备的形成方法
公开(公告)号：TW202022146A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108130168
申请日：2019-08-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳榮堂 , WU, JUNG-TANG , 吳思樺 , WU, SZU-HUA , 李錦思 , LEE, CHIN-SZU , 王毅霖 , WANG, YI-LIN
IPC分类号： C23C14/34 , H01J37/34 , H01L21/285
摘要：方法包括將晶圓置於晶圓支架上；沉積膜於晶圓的正面上；以及在沉積該膜時，同時經由重分佈器中的多個端將氣體吹至晶圓的背面上。氣體係氮氣、氦氣、氖氣、或上述之組合。
简体摘要：方法包括将晶圆置于晶圆支架上；沉积膜于晶圆的正面上；以及在沉积该膜时，同时经由重分布器中的多个端将气体吹至晶圆的背面上。气体系氮气、氦气、氖气、或上述之组合。

5. 发明专利

TW202015110A 金屬薄膜之催化沉積审中-公开
简体标题：金属薄膜之催化沉积
公开(公告)号：TW202015110A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108121736
申请日：2019-06-21
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：柳尚澔 , YU, SANG HO , 甘古利沙謝德利 , GANGULI, SESHADRI , 尹炳勳 , YOON, BYUNGHOON , 陳偉民 , CHEN, WEI MIN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/285 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/06 , H01L21/324
摘要：論述了沉積具有高純度的金屬膜的方法。一些實施例利用包含烷基鹵化物及金屬前驅物的熱ALD製程。一些實施例與介電表面相比在金屬表面上選擇性沉積具有高純度的金屬膜。一些實施例與金屬表面相比在介電表面上選擇性沉積具有高純度的金屬膜。一些實施例沉積具有按原子計大於99%的金屬原子的金屬膜。
简体摘要：论述了沉积具有高纯度的金属膜的方法。一些实施例利用包含烷基卤化物及金属前驱物的热ALD制程。一些实施例与介电表面相比在金属表面上选择性沉积具有高纯度的金属膜。一些实施例与金属表面相比在介电表面上选择性沉积具有高纯度的金属膜。一些实施例沉积具有按原子计大于99%的金属原子的金属膜。

6. 发明专利

TWI691079B 具纏繞接觸的互補型ＦＥＴ及其形成方法有权
简体标题：具缠绕接触的互补型ＦＥＴ及其形成方法
公开(公告)号：TWI691079B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW108100189
申请日：2019-01-03
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：佛洛吉爾朱里安 , FROUGIER, JULIEN , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 蘇瓦納帕尼特H , SUVARNA, PUNEET H. , 新實寛明 , NIIMI, HIROAKI , 賓利史蒂芬J , BENTLEY, STEVEN J. , 拉札費耶阿里 , RAZAVIEH, ALI
IPC分类号： H01L29/45 , H01L29/66 , H01L29/786 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/8238

7. 发明专利

TWI690613B 內部應力控制膜之形成方法有权
简体标题：内部应力控制膜之形成方法
公开(公告)号：TWI690613B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW106103228
申请日：2017-01-26
申请人：日商愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：中野賢明 , NAKANO, KATSUAKI , 平松大典 , HIRAMATSU, DAISUKE , 沼田幸展 , NUMATA, YUKINOBU
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/06 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522

8. 发明专利

TWI675481B 半導體基板之背面電極之電極構造及其製造方法以及供該電極構造之製造之濺鍍靶有权
简体标题：半导体基板之背面电极之电极构造及其制造方法以及供该电极构造之制造之溅镀靶
公开(公告)号：TWI675481B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW106145008
申请日：2017-12-21
申请人：日商田中貴金屬工業股份有限公司 , TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K.
发明人：水野陽平 , MIZUNO, YOHEI , 加藤哲也 , KATO, TETSUYA , 石倉千春 , ISHIKURA, CHIHARU
IPC分类号： H01L29/43 , H01L21/285 , C23C14/34

9. 发明专利

TWI667699B 具有氣隙間隔件之ＦＩＮＦＥＴ及其形成方法有权
简体标题：具有气隙间隔件之ＦＩＮＦＥＴ及其形成方法
公开(公告)号：TWI667699B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW106122849
申请日：2017-07-07
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：臧輝 , ZANG, HUI , 齊民華 , CHI, MIN-HWA
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/66 , H01L29/78

10. 发明专利

TW201921458A 被加工物之處理方法审中-公开
简体标题：被加工物之处理方法
公开(公告)号：TW201921458A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107130756
申请日：2018-09-03
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：長友優 , NAGATOMO, YU , 木原嘉英 , KIHARA, YOSHIHIDE
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/3213
摘要：本發明旨在提供一種方法，其除了調整遮罩的開口寛度之外，更提供對於電漿蝕刻更為堅固的遮罩。於一實施形態的方法中，於被加工物上形成鎢膜。被加工物具有底膜及設於該底膜上之遮罩。鎢膜包含：沿著劃定開口之遮罩的側壁面延伸之第1區、及於底膜上延伸之第2區。接著，以第1區留下的方式，執行鎢膜的電漿蝕刻。於鎢膜的形成中，將含有鎢的前驅物氣體供給至被加工物。接著，為了對被加工物上的前驅物供給氫的活性物種，而產生氫氣的電漿。
简体摘要：本发明旨在提供一种方法，其除了调整遮罩的开口寛度之外，更提供对于等离子蚀刻更为坚固的遮罩。于一实施形态的方法中，于被加工物上形成钨膜。被加工物具有底膜及设于该底膜上之遮罩。钨膜包含：沿着划定开口之遮罩的侧壁面延伸之第1区、及于底膜上延伸之第2区。接着，以第1区留下的方式，运行钨膜的等离子蚀刻。于钨膜的形成中，将含有钨的前驱物气体供给至被加工物。接着，为了对被加工物上的前驱物供给氢的活性物种，而产生氢气的等离子。

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