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1. 发明专利

TWI697933B 補正方法、電腦程式產品以及電子射線描繪裝置有权
简体标题：补正方法、电脑进程产品以及电子射线描绘设备
公开(公告)号：TWI697933B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW107115641
申请日：2016-11-02
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：西村理恵子 , NISHIMURA,RIEKO
IPC分类号： H01J37/09 , H01J37/22 , H01J37/317 , G03F7/20

2. 发明专利

TWI673750B 樣品觀察裝置及樣品觀察方法有权
简体标题：样品观察设备及样品观察方法
公开(公告)号：TWI673750B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW107105622
申请日：2018-02-14
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：原田実 , HARADA, MINORU , 高木裕治 , TAKAGI, YUJI , 近藤直明 , KONDO, NAOAKI , 平井大博 , HIRAI, TAKEHIRO
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/22 , H01J37/28 , G06T5/50 , G06T7/00

3. 发明专利

TW201835964A 帶電粒子束裝置以及試樣加工方法审中-公开
简体标题：带电粒子束设备以及试样加工方法
公开(公告)号：TW201835964A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107107249
申请日：2018-03-05
申请人：日商日立高新技術科學股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECH SCIENCE CORPORATION
发明人：酉川翔太 , TORIKAWA, SHOTA , 大西毅 , OONISHI, TSUYOSHI
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/30 , G01N1/28 , G01N23/225 , H01L21/3065
摘要：本發明提供帶電粒子束裝置以及試樣加工方法，其能夠對減小了試樣的厚度的整個微小試樣片均勻地照射帶電粒子束並且能夠明確地掌握加工時的加工終點。該帶電粒子束裝置朝向試樣照射帶電粒子束，製成微小試樣片，其特徵在於，該帶電粒子束裝置具有：帶電粒子束鏡筒，其能夠朝向所述試樣照射帶電粒子束；試樣室，其收納所述帶電粒子束鏡筒；以及試樣片支架，其能夠保持所述試樣，在通過所述帶電粒子束形成減小了所述試樣的一部分區域的厚度的微小試樣片時，與該微小試樣片的減薄部分相鄰的部分形成相對於所述減薄部分傾斜的傾斜部。
简体摘要：本发明提供带电粒子束设备以及试样加工方法，其能够对减小了试样的厚度的整个微小试样片均匀地照射带电粒子束并且能够明确地掌握加工时的加工终点。该带电粒子束设备朝向试样照射带电粒子束，制成微小试样片，其特征在于，该带电粒子束设备具有：带电粒子束镜筒，其能够朝向所述试样照射带电粒子束；试样室，其收纳所述带电粒子束镜筒；以及试样片支架，其能够保持所述试样，在通过所述带电粒子束形成减小了所述试样的一部分区域的厚度的微小试样片时，与该微小试样片的减薄部分相邻的部分形成相对于所述减薄部分倾斜的倾斜部。

4. 发明专利

TW201816387A 帶電粒子束的解析度測定方法及帶電粒子束描繪裝置审中-公开
简体标题：带电粒子束的分辨率测定方法及带电粒子束描绘设备
公开(公告)号：TW201816387A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106122415
申请日：2017-07-04
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：清水幸毅 , SHIMIZU, YUKITAKA
IPC分类号： G01N21/21 , G01N21/95 , G01N21/956 , G03F7/20 , H01J37/04 , H01J37/22 , H01J37/305 , H01L21/027
摘要：本發明的一態樣的帶電粒子束的解析度測定方法，具備：將帶電粒子束的焦點位置在高度方向上變更，對每個前述焦點位置，將在基板上形成的點標記以前述帶電粒子束進行掃描的工程；在每個前述焦點位置，檢出從前述點標記反射的反射帶電粒子的工程；從前述反射帶電粒子的檢出結果，演算出將散射帶電粒子分佈對應到前述焦點位置的每個高度的工程；進行包含將前述帶電粒子束的開口角及解析度作為參數的前述帶電粒子束的束波形的近似式與前述點標記的標記形狀的摺積演算的工程；以及將每個前述高度的散射帶電粒子分佈與前述摺積演算的演算結果進行擬合，算出前述開口角及解析度的工程。
简体摘要：本发明的一态样的带电粒子束的分辨率测定方法，具备：将带电粒子束的焦点位置在高度方向上变更，对每个前述焦点位置，将在基板上形成的点标记以前述带电粒子束进行扫描的工程；在每个前述焦点位置，检出从前述点标记反射的反射带电粒子的工程；从前述反射带电粒子的检出结果，演算出将散射带电粒子分布对应到前述焦点位置的每个高度的工程；进行包含将前述带电粒子束的开口角及分辨率作为参数的前述带电粒子束的束波形的近似式与前述点标记的标记形状的卷积演算的工程；以及将每个前述高度的散射带电粒子分布与前述卷积演算的演算结果进行拟合，算出前述开口角及分辨率的工程。

5. 发明专利

TW201640077A 圖案測定裝置审中-公开
简体标题：图案测定设备
公开(公告)号：TW201640077A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105100805
申请日：2016-01-12
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：酒井計 , SAKAI, KEI , 山口聡 , YAMAGUCHI, SATORU , 平尾和之 , HIRAO, KAZUYUKI , 高杉容徳 , TAKASUGI, YASUNORI
IPC分类号： G01B15/00 , G03F7/20 , H01J37/22
CPC分类号： G06T7/0004 , G01B15/04 , G01B2210/56 , G03F1/86 , G03F7/70625 , H01J37/22 , H01J37/222
摘要：本發明，係目的在於提供針對藉將形成在光罩方面不存在的圖案的圖案化法從而形成的圖案而適當地進行評估的圖案測定裝置。為了達成此目的，而提出一種圖案測定裝置，具備運用將射束照射於樣品從而獲得的資料而針對形成於前述樣品的圖案的尺寸進行測定的運算裝置，前述演算裝置，係基於將射束照射於前述樣品從而獲得的資料，而抽出前述圖案的座標資訊，運用該座標資訊而生成進行前述圖案的尺寸測定時的測定基準資料。
简体摘要：本发明，系目的在于提供针对藉将形成在光罩方面不存在的图案的图案化法从而形成的图案而适当地进行评估的图案测定设备。为了达成此目的，而提出一种图案测定设备，具备运用将射束照射于样品从而获得的数据而针对形成于前述样品的图案的尺寸进行测定的运算设备，前述演算设备，系基于将射束照射于前述样品从而获得的数据，而抽出前述图案的座标信息，运用该座标信息而生成进行前述图案的尺寸测定时的测定基准数据。

6. 发明专利

TWI506667B 光學微影系統、感測器、轉換元件以及製造之方法有权
简体标题：光学微影系统、传感器、转换组件以及制造之方法
公开(公告)号：TWI506667B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW100109513
申请日：2011-03-21
申请人：瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：漢佛克拉巴 , HANFOUG, RABAH
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/22 , H01J37/317 , H01J37/304 , H01L21/027

7. 发明专利

TWI502165B 圖案形狀評價方法、半導體裝置的製造方法及圖案形狀評價裝置有权
简体标题：图案形状评价方法、半导体设备的制造方法及图案形状评价设备
公开(公告)号：TWI502165B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW102144629
申请日：2013-12-05
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：福田宏 , FUKUDA, HIROSHI
IPC分类号： G01B15/04 , H01J37/22 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/285 , G01B15/04 , G01B2210/56 , H01J37/222 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J2237/221 , H01J2237/24578 , H01J2237/24592 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

8. 发明专利

TWI698901B 畫像取得方法及離子束裝置有权
简体标题：画像取得方法及离子束设备
公开(公告)号：TWI698901B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW105126421
申请日：2016-08-18
申请人：日商日立高新技術科學股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECH SCIENCE CORPORATION
发明人：小堺智一 , KOZAKAI, TOMOKAZU , 荒卷文朗 , ARAMAKI, FUMIO , 松田修 , MATSUDA, OSAMU , 椎名健介 , SHIINA, KENSUKE , 相田和男 , AITA, KAZUO , 八坂行人 , YASAKA, ANTO
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/20 , H01J37/22 , H01J37/147

9. 发明专利

TWI695404B 以初級帶電粒子小束陣列檢查樣本的方法、用於以初級帶電粒子小束陣列檢查樣本的帶電粒子束裝置、及用於樣本之檢查的多柱顯微鏡有权
简体标题：以初级带电粒子小束数组检查样本的方法、用于以初级带电粒子小束数组检查样本的带电粒子束设备、及用于样本之检查的多柱显微镜
公开(公告)号：TWI695404B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW106140439
申请日：2017-11-22
申请人：以色列商應用材料以色列公司 , APPLIED MATERIALS ISRAEL LTD. , 代爾夫特理工大學 , TECHNISCHE UNIVERSITEIT DELFT
发明人：弗羅森尤爾根 , FROSIEN, JURGEN , 克路特彼得 , KRUIT, PIETER
IPC分类号： H01J37/09 , H01J37/145 , H01J37/147 , H01J37/22 , H01J37/28

10. 发明专利

TW202004171A 基於形狀度量之晶圓位置評分审中-公开
简体标题：基于形状度量之晶圆位置评分
公开(公告)号：TW202004171A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108112824
申请日：2019-04-12
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：巴納吉賽寶 , BANERJEE, SAIBAL , 莎拉史瓦圖拉加格底許查德拉 , SARASWATULA, JAGDISH CHANDRA
IPC分类号： G01N21/95 , G01N21/956 , G06F17/50 , H01J37/22 , H01L21/67
摘要：本發明提供用於基於形狀度量之晶圓位置評分之方法及系統。一種方法包含針對一晶圓上之至少兩個位置選擇基於形狀之分組(SBG)規則。針對該等晶圓位置之一者，該選擇步驟包含使用該一個位置之度量資料修改該晶圓之一設計中之幾何基元之間的距離且基於該等距離判定與以該一個位置為中心之一視場中之該等幾何基元相關聯之SBG規則之度量複雜性(MC)得分。該選擇步驟亦包含基於該等MC得分針對該一個位置選擇該等SBG規則之一者。該方法亦包含基於針對該晶圓上之該至少兩個位置選擇之該SBG規則對該至少兩個位置排序。
简体摘要：本发明提供用于基于形状度量之晶圆位置评分之方法及系统。一种方法包含针对一晶圆上之至少两个位置选择基于形状之分组(SBG)守则。针对该等晶圆位置之一者，该选择步骤包含使用该一个位置之度量数据修改该晶圆之一设计中之几何基元之间的距离且基于该等距离判定与以该一个位置为中心之一视场中之该等几何基元相关联之SBG守则之度量复杂性(MC)得分。该选择步骤亦包含基于该等MC得分针对该一个位置选择该等SBG守则之一者。该方法亦包含基于针对该晶圆上之该至少两个位置选择之该SBG守则对该至少两个位置排序。

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