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1. 发明专利

TWI651720B 包含二電晶體一電容器之記憶體及用於存取該記憶體的裝置與方法有权
简体标题：包含二晶体管一电容器之内存及用于存取该内存的设备与方法
公开(公告)号：TWI651720B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW106128514
申请日：2017-08-23
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：德奈史考特 J , DERNER, SCOTT J. , 川村克里斯多福 J , KAWAMURA, CHRISTOPHER J.
IPC分类号： G11C11/403 , G11C11/409 , G11C7/06 , G11C7/18 , G11C8/16

2. 发明专利

TWI528360B 記憶體自我刷新裝置以及方法有权
简体标题：内存自我刷新设备以及方法
公开(公告)号：TWI528360B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103116791
申请日：2014-05-13
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：林哲民 , LIN, CHE MIN
IPC分类号： G11C11/402 , G11C11/403

3. 发明专利

TW201732804A 自刷新控制裝置以及揮發性半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：自刷新控制设备以及挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201732804A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105128010
申请日：2016-08-31
申请人：力晶科技股份有限公司 30078 新竹科學工業園區力行一路12號 , POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：吉岡重實 , YOSHIOKA, SHIGEMI
IPC分类号： G11C11/403 , G11C7/24 , G01R31/28
摘要：一種自刷新控制裝置，用於具備自刷新控制電路的揮發性半導體記憶裝置，所述自刷新控制電路用於基於來自自刷新計時器的第1控制信號來控制揮發性半導體記憶裝置的自刷新，所述自刷新控制裝置包括：邏輯電路，在測試模式下，使外部自刷新請求信號輸入至所述自刷新控制電路。此處，所述邏輯電路在測試模式下，取代所述第1控制信號而使所述外部自刷新請求信號輸入至所述自刷新控制電路。而且，所述邏輯電路取代所述第1控制信號而使所述外部自刷新請求信號輸入至所述自刷新控制電路，藉此來使所述自刷新計時器的動作無效。
简体摘要：一种自刷新控制设备，用于具备自刷新控制电路的挥发性半导体记忆设备，所述自刷新控制电路用于基于来自自刷新计时器的第1控制信号来控制挥发性半导体记忆设备的自刷新，所述自刷新控制设备包括：逻辑电路，在测试模式下，使外部自刷新请求信号输入至所述自刷新控制电路。此处，所述逻辑电路在测试模式下，取代所述第1控制信号而使所述外部自刷新请求信号输入至所述自刷新控制电路。而且，所述逻辑电路取代所述第1控制信号而使所述外部自刷新请求信号输入至所述自刷新控制电路，借此来使所述自刷新计时器的动作无效。

4. 发明专利

TW201419277A 自動更新動態隨機存取記憶體單元之裝置及方法审中-公开
简体标题：自动更新动态随机存取内存单元之设备及方法
公开(公告)号：TW201419277A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102148438
申请日：2006-11-29
申请人：摩賽德科技股份有限公司 , MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：吳學俊 , OH, HAKJUNE
IPC分类号： G11C11/403
CPC分类号： G11C11/406 , G11C2211/4061
摘要：具有耦接至字線與位元線之DRAM單元的動態隨機存取記憶體(DRAM)。於自動更新模式中，與偶數列耦接之單元保留先前儲存於其中之主資料，並且將輔助資料，其與主資料邏輯上相反，重寫至與奇數列之字線耦接的單元。當DRAM進入自動更新模式時，偵測自動更新模式用之開始更新位址。若偵測到的開始更新位址不匹配設定為自動更新操作模式用之預定的正確位址，則於進入叢發自動更新時期中建立假更新週期。於假更新週期中，增添假更新命令以增量內部列位址計數器，該內部列位址計數器提供用於自動更新單元陣列內之選定字線之單元的列位址。
简体摘要：具有耦接至字线与比特线之DRAM单元的动态随机存取内存(DRAM)。于自动更新模式中，与偶数列耦接之单元保留先前存储于其中之主数据，并且将辅助数据，其与主数据逻辑上相反，重写至与奇数列之字线耦接的单元。当DRAM进入自动更新模式时，侦测自动更新模式用之开始更新位址。若侦测到的开始更新位址不匹配设置为自动更新操作模式用之预定的正确位址，则于进入丛发自动更新时期中创建假更新周期。于假更新周期中，增添假更新命令以增量内部列位址计数器，该内部列位址计数器提供用于自动更新单元数组内之选定字线之单元的列位址。

5. 发明专利

TW201703038A 於記憶體中保持電荷位準之技術审中-公开
简体标题：于内存中保持电荷位准之技术
公开(公告)号：TW201703038A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105101244
申请日：2016-01-15
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：冨嶋茂樹 , TOMISHIMA, SHIGEKI
IPC分类号： G11C11/403 , G11C11/406 , G11C11/4063
CPC分类号： G11C11/4096 , G11C5/145 , G11C11/406 , G11C11/4091 , G11C11/4094
摘要：於一個實施例中，記憶體諸如動態隨機存取記憶體在感測位元胞元的該等儲存節點中的電荷位準之前採用電荷升壓至位元胞元。取決於特定應用，相信此種配置可被採用以改良位元胞元讀出電壓，減低再新功率消耗，改良回復電壓位準或其它特徵。此處描述其它面向。
简体摘要：于一个实施例中，内存诸如动态随机存取内存在传感比特胞元的该等存储节点中的电荷位准之前采用电荷升压至比特胞元。取决于特定应用，相信此种配置可被采用以改良比特胞元读出电压，减低再新功率消耗，改良回复电压位准或其它特征。此处描述其它面向。

6. 发明专利

TWI525617B 再新半導體記憶體裝置的技術有权
简体标题：再新半导体内存设备的技术
公开(公告)号：TWI525617B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW100114663
申请日：2011-04-27
申请人：麥肯科技有限公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：魯斯拉猶哲許 , LUTHRA, YOGESH
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/403
CPC分类号： G11C7/00 , G11C11/403 , G11C11/406 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

7. 发明专利

TWI512726B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI512726B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW100105107
申请日：2011-02-16
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 井上廣樹 , INOUE, HIROKI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： G11C11/403 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/77
CPC分类号： G11C16/0408 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/1156

8. 发明专利

TWI430270B 自動更新動態隨機存取記憶體單元之裝置及方法有权
简体标题：自动更新动态随机存取内存单元之设备及方法
公开(公告)号：TWI430270B
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：TW095144215
申请日：2006-11-29
申请人：摩賽德科技股份有限公司 , MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：吳學俊 , OH, HAKJUNE
IPC分类号： G11C11/403
CPC分类号： G11C11/406 , G11C2211/4061

9. 发明专利

TW201824274A 包含二電晶體一電容器之記憶體及用於存取該記憶體的裝置與方法审中-公开
简体标题：包含二晶体管一电容器之内存及用于存取该内存的设备与方法
公开(公告)号：TW201824274A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106128514
申请日：2017-08-23
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：德奈史考特 J , DERNER, SCOTT J. , 川村克里斯多福 J , KAWAMURA, CHRISTOPHER J.
IPC分类号： G11C11/403 , G11C11/409 , G11C7/06 , G11C7/18 , G11C8/16
摘要：本發明揭露包含二電晶體一電容器之記憶體及用於存取此記憶體的裝置及方法。一種實例性裝置包含經耦合至第一選擇組件及第二選擇組件之一電容器。該裝置進一步包含一第一數位線及經組態以將該電容器之一第一極板耦合至該第一數位線之該第一選擇組件，且亦包含一第二數位線及經組態以將該第二極板耦合至該第二數位線之該第二選擇組件。一感測放大器經耦合至該第二數位線且經組態以放大經耦合至該第二數位線之一電壓與參考電壓之間的一電壓差。
简体摘要：本发明揭露包含二晶体管一电容器之内存及用于存取此内存的设备及方法。一种实例性设备包含经耦合至第一选择组件及第二选择组件之一电容器。该设备进一步包含一第一数码线及经组态以将该电容器之一第一极板耦合至该第一数码线之该第一选择组件，且亦包含一第二数码线及经组态以将该第二极板耦合至该第二数码线之该第二选择组件。一传感放大器经耦合至该第二数码线且经组态以放大经耦合至该第二数码线之一电压与参考电压之间的一电压差。

10. 发明专利

TWI608479B 自刷新控制裝置以及揮發性半導體記憶裝置有权
简体标题：自刷新控制设备以及挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI608479B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW105128010
申请日：2016-08-31
申请人：力晶科技股份有限公司 , POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：吉岡重實 , YOSHIOKA, SHIGEMI
IPC分类号： G11C11/403 , G11C7/24 , G01R31/28

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