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1. 发明专利

TWI608479B 自刷新控制裝置以及揮發性半導體記憶裝置有权
简体标题：自刷新控制设备以及挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI608479B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW105128010
申请日：2016-08-31
申请人：力晶科技股份有限公司 , POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：吉岡重實 , YOSHIOKA, SHIGEMI
IPC分类号： G11C11/403 , G11C7/24 , G01R31/28

2. 发明专利

TW201732793A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201732793A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105116663
申请日：2016-05-27
申请人：力晶科技股份有限公司 30078 新竹科學工業園區力行一路12號 , POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：吉岡重實 , YOSHIOKA, SHIGEMI
IPC分类号： G11C7/06 , G11C11/401
摘要：本發明降低半導體記憶裝置再新時的大的峰值電流IDDP，並且確保位元線的感測放大器容限為規定值以上。半導體記憶裝置在多條字元線與多條位元線的各交叉點處分別具有記憶胞元，且具備從來自多個記憶胞元的多條資料線讀出資料的感測放大器、及具有從多條資料線鎖存資料的第1電晶體的感測放大器鎖存電路，其中，與多條字元線平行的相同行線的多個感測放大器被分割為多個感測放大器電路群組，所述經分割的感測放大器電路群組更包括第2電晶體，所述第2電晶體基於從資料讀出時的字元線啟動開始延遲的鎖存信號，來鎖存讀出資料。
简体摘要：本发明降低半导体记忆设备再新时的大的峰值电流IDDP，并且确保比特线的传感放大器容限为规定值以上。半导体记忆设备在多条字符线与多条比特线的各交叉点处分别具有记忆胞元，且具备从来自多个记忆胞元的多条数据线读出数据的传感放大器、及具有从多条数据线锁存数据的第1晶体管的传感放大器锁存电路，其中，与多条字符线平行的相同行线的多个传感放大器被分割为多个传感放大器电路群组，所述经分割的传感放大器电路群组更包括第2晶体管，所述第2晶体管基于从数据读出时的字符线启动开始延迟的锁存信号，来锁存读出数据。

3. 发明专利

TW201732804A 自刷新控制裝置以及揮發性半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：自刷新控制设备以及挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201732804A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105128010
申请日：2016-08-31
申请人：力晶科技股份有限公司 30078 新竹科學工業園區力行一路12號 , POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：吉岡重實 , YOSHIOKA, SHIGEMI
IPC分类号： G11C11/403 , G11C7/24 , G01R31/28
摘要：一種自刷新控制裝置，用於具備自刷新控制電路的揮發性半導體記憶裝置，所述自刷新控制電路用於基於來自自刷新計時器的第1控制信號來控制揮發性半導體記憶裝置的自刷新，所述自刷新控制裝置包括：邏輯電路，在測試模式下，使外部自刷新請求信號輸入至所述自刷新控制電路。此處，所述邏輯電路在測試模式下，取代所述第1控制信號而使所述外部自刷新請求信號輸入至所述自刷新控制電路。而且，所述邏輯電路取代所述第1控制信號而使所述外部自刷新請求信號輸入至所述自刷新控制電路，藉此來使所述自刷新計時器的動作無效。
简体摘要：一种自刷新控制设备，用于具备自刷新控制电路的挥发性半导体记忆设备，所述自刷新控制电路用于基于来自自刷新计时器的第1控制信号来控制挥发性半导体记忆设备的自刷新，所述自刷新控制设备包括：逻辑电路，在测试模式下，使外部自刷新请求信号输入至所述自刷新控制电路。此处，所述逻辑电路在测试模式下，取代所述第1控制信号而使所述外部自刷新请求信号输入至所述自刷新控制电路。而且，所述逻辑电路取代所述第1控制信号而使所述外部自刷新请求信号输入至所述自刷新控制电路，借此来使所述自刷新计时器的动作无效。

4. 发明专利

TWI592941B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI592941B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW105116663
申请日：2016-05-27
申请人：力晶科技股份有限公司 , POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：吉岡重實 , YOSHIOKA, SHIGEMI
IPC分类号： G11C7/06 , G11C11/401

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