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1. 发明专利

TW201837496A 便攜式輻射檢測器系統审中-公开
简体标题：便携式辐射检测器系统
公开(公告)号：TW201837496A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107110178
申请日：2018-03-26
申请人：中國大陸商深圳幀觀德芯科技有限公司 , SHENZHEN XPECTVISION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：曹培炎 , CAO, PEIYAN , 劉雨潤 , LIU, YURUN
IPC分类号： G01T1/16 , G01T1/36
摘要：用於檢測輻射的裝置，其包括：第一輻射吸收層，其被配置為：從被第一輻射吸收層所吸收的輻射的光子產生第一電信號，其中所述第一輻射吸收層包括第一電極；電子系統，其被配置成處理所述第一電信號；計數器，其被配置為記錄由所述輻射吸收層吸收的光子數；控制器；所述控制器被配置為使所述計數器記錄的數字增加一；電源；以及通信接口，其被配置為用於所述電子系統與外部電路通信。
简体摘要：用于检测辐射的设备，其包括：第一辐射吸收层，其被配置为：从被第一辐射吸收层所吸收的辐射的光子产生第一电信号，其中所述第一辐射吸收层包括第一电极；电子系统，其被配置成处理所述第一电信号；计数器，其被配置为记录由所述辐射吸收层吸收的光子数；控制器；所述控制器被配置为使所述计数器记录的数字增加一；电源；以及通信接口，其被配置为用于所述电子系统与外部电路通信。

2. 发明专利

TWI570425B Ｘ光感測面板有权
简体标题：Ｘ光传感皮肤
公开(公告)号：TWI570425B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104100699
申请日：2015-01-09
申请人：群創光電股份有限公司 , INNOLUX CORPORATION
发明人：林勁宏 , LIN, CHIN HUNG , 翁贊博 , WENG, TSAN PO
IPC分类号： G01T1/16 , G01T1/24

3. 发明专利

TW201510556A 放射線檢測元件基板、放射線檢測元件基板的檢查裝置、放射線檢測元件基板的檢查方法审中-公开
简体标题：放射线检测组件基板、放射线检测组件基板的检查设备、放射线检测组件基板的检查方法
公开(公告)号：TW201510556A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103125028
申请日：2014-07-22
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：伊藤孝明 , ITO, TAKAAKI , 岡田美広 , OKADA, YOSHIHIRO
IPC分类号： G01T1/16 , H04N5/32 , H04N5/369
摘要：本發明的目的在於提供一種放射線檢測元件基板、放射線檢測元件基板的檢查裝置、及放射線檢測元件基板的檢查方法，無須對1個畫素中具有1個電晶體的放射線檢測元件基板的檢查用的檢查裝置進行大的追加變更，便可進行1個畫素中具有多個電晶體的放射線檢測元件基板的檢查。將控制配線M延長至安裝基板更外側的區域為止，並設置相互接線的檢查用連接配線部。並且，對連接於檢查用連接配線部的接線端子統一施加閘極斷開電壓，以進行導通檢查。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种放射线检测组件基板、放射线检测组件基板的检查设备、及放射线检测组件基板的检查方法，无须对1个像素中具有1个晶体管的放射线检测组件基板的检查用的检查设备进行大的追加变更，便可进行1个像素中具有多个晶体管的放射线检测组件基板的检查。将控制配线M延长至安装基板更外侧的区域为止，并设置相互接线的检查用连接配线部。并且，对连接于检查用连接配线部的接线端子统一施加闸极断开电压，以进行导通检查。

4. 发明专利

TW201727697A 光電倍增器和製作它的方法审中-公开
简体标题：光电倍增器和制作它的方法
公开(公告)号：TW201727697A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105144266
申请日：2016-12-30
申请人：深圳源光科技有限公司 , SHENZHEN GENORIVISION TECHNOLOGY CO. LTD.
发明人：曹培炎 , CAO, PEIYAN , 劉雨潤 , LIU, YURUN
IPC分类号： H01J40/16 , G01T1/16
CPC分类号： H01J43/18
摘要：本文公開光電倍增器，其包括：電子噴射器；檢測器；襯底；以及在襯底中的第一電極；在襯底中的第二電極；在襯底中的第三電極；其中第一、第二和第三電極中的每個包括與襯底的法線方向成一定角度的平坦或彎曲表面；其中第一、第二和第三電極中的每個包括第一端和第二端，該第一端比第二端更接近電子噴射器；其中在空間上設置第一、第二和第三電極中的每個使得第一、第二和第三電極的第二端在相同平面上，或使得第一和第三電極的第二端所在的平面與第二電極相交。
简体摘要：本文公开光电倍增器，其包括：电子喷射器；检测器；衬底；以及在衬底中的第一电极；在衬底中的第二电极；在衬底中的第三电极；其中第一、第二和第三电极中的每个包括与衬底的法线方向成一定角度的平坦或弯曲表面；其中第一、第二和第三电极中的每个包括第一端和第二端，该第一端比第二端更接近电子喷射器；其中在空间上设置第一、第二和第三电极中的每个使得第一、第二和第三电极的第二端在相同平面上，或使得第一和第三电极的第二端所在的平面与第二电极相交。

5. 发明专利

TWI425525B 高活度廢棄物盛裝屏蔽桶之驗證方法及其裝置有权
简体标题：高活度废弃物盛装屏蔽桶之验证方法及其设备
公开(公告)号：TWI425525B
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW100120085
申请日：2011-06-09
申请人：行政院原子能委員會核能研究所
发明人：張國源
IPC分类号： G21F5/00 , G01T1/16

6. 发明专利

TWI400470B 決定晶體穿透效應與偵檢效率以及偵檢效率校正之方法有权
简体标题：决定晶体穿透效应与侦检效率以及侦检效率校正之方法
公开(公告)号：TWI400470B
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW098136868
申请日：2009-10-30
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 , INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH ATOMIC ENERGY COUNCIL, EXECUTIVE YUAN
发明人：蔡典修 , TSAI, TIEN HSIU , 詹美齡 , JAN, MEEI LING , 倪于晴 , NI, YU CHING
IPC分类号： G01T1/202 , G01T1/16
CPC分类号： G06F17/5018 , G01T1/202 , G01T7/005

7. 发明专利

TWI381186B 屏蔽式低散射之輻射量測儀器校正設備有权
简体标题：屏蔽式低散射之辐射量测仪器校正设备
公开(公告)号：TWI381186B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW098134562
申请日：2009-10-13
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 , INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH ATOMIC ENERGY COUNCIL, EXECUTIVE YUAN
发明人：李振弘 , LEE, JENG HUNG , 蘇水華 , SU, SHI HWA , 袁明程 , YUAN, MING CHEN , 陳英鑒 , CHEN, ING JANE
IPC分类号： G01T1/16 , G01T7/02

8. 发明专利

TW201821828A 半導體X射線檢測器的封裝审中-公开
简体标题：半导体X射线检测器的封装
公开(公告)号：TW201821828A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106132510
申请日：2017-09-22
申请人：深圳幀觀德芯科技有限公司 , SHENZHEN XPECTVISION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：曹培炎 , CAO, PEIYAN , 劉雨潤 , LIU, YURUN
IPC分类号： G01T1/16
摘要：本文公開適合於檢測x射線的裝置，其包括：X射線吸收層，其配置成從X射線吸收層上入射的X射線光子生成電信號；電子層，其包括電子系統，該電子系統配置成處理或解釋電信號；其中X射線吸收層和電子層中的至少一個嵌入電絕緣材料的板中。
简体摘要：本文公开适合于检测x射线的设备，其包括：X射线吸收层，其配置成从X射线吸收层上入射的X射线光子生成电信号；电子层，其包括电子系统，该电子系统配置成处理或解释电信号；其中X射线吸收层和电子层中的至少一个嵌入电绝缘材料的板中。

9. 发明专利

TW201713965A 有暗電流校正能力的半導體Ｘ射線檢測器审中-公开
简体标题：有暗电流校正能力的半导体Ｘ射线检测器
公开(公告)号：TW201713965A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105132416
申请日：2016-10-06
申请人：深圳幀觀德芯科技有限公司 , SHENZHEN XPECTVISION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：曹培炎 , CAO, PEIYAN , 程華斌 , CHENG, HUABIN
IPC分类号： G01T1/16 , G01T1/29
CPC分类号： G01T1/247 , G01T1/2018
摘要：本文公開使用X射線檢測器測量X射線的強度分佈的方法，該方法包括：確定X射線檢測器上至少三個位點處的暗電流的值，其中這三個位點不在一條直線上；使用暗電流的值確定X射線的吸收率的空間變化；測量X射線的視在強度分佈；通過從視在強度分佈去除吸收率的空間變化的貢獻來確定強度分佈。
简体摘要：本文公开使用X射线检测器测量X射线的强度分布的方法，该方法包括：确定X射线检测器上至少三个位点处的暗电流的值，其中这三个位点不在一条直在线；使用暗电流的值确定X射线的吸收率的空间变化；测量X射线的视在强度分布；通过从视在强度分布去除吸收率的空间变化的贡献来确定强度分布。

10. 发明专利

TW201510498A 將放射性核種植入基材之方法审中-公开
简体标题：将放射性核种植入基材之方法
公开(公告)号：TW201510498A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW102133228
申请日：2013-09-13
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 , INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH, ATOMIC ENERGY COUNCIL, EXECUTIVE YUAN
发明人：蔡翠玲 , TSAI, TSUEY LIN , 黃正良 , HUANG, JANELON , 牛寰 , NIU, HUAN , 陳建旭 , CHEN, CHIEN HSU
IPC分类号： G01N1/28 , G01N1/44 , G01T1/16
摘要：本發明揭露一種將放射性核種植入基材之方法，其主要包含以下步驟：溶液提供、基材乾燥、核種佈植及基材清洗。係藉由碰撞方式使放射性核種獲得動能，從而將放射性核種植入基材中。相較於先前技術中的其他方法，本發明之方法具有處理程序簡單之優點，且藉由本發明之方法所佈植之放射性核種由於被嵌入基材內部而具有不易脫落之優點。
简体摘要：本发明揭露一种将放射性核种植入基材之方法，其主要包含以下步骤：溶液提供、基材干燥、核种布植及基材清洗。系借由碰撞方式使放射性核种获得动能，从而将放射性核种植入基材中。相较于先前技术中的其他方法，本发明之方法具有处理进程简单之优点，且借由本发明之方法所布植之放射性核种由于被嵌入基材内部而具有不易脱落之优点。

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