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1. 发明专利

TWI701761B 晶圓承載裝置有权
简体标题：晶圆承载设备
公开(公告)号：TWI701761B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW106110103
申请日：2017-03-27
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：天野真悟
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/3065 , C23C14/50

2. 发明专利

TWI686494B 濺鍍工具有权
简体标题：溅镀工具
公开(公告)号：TWI686494B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW104142713
申请日：2015-12-18
申请人：美商太陽電子公司 , SUNPOWER CORPORATION
发明人：沈宇辰 , SHEN, YU-CHEN , 邱泰慶 , QIU, TAIQING , 沃爾羅伯特 , WOEHL, ROBERT , 特雷西基蘭馬克 , TRACY, KIERAN MARK , 埃格拉沃默可 , AGRAWAL, MUKUL
IPC分类号： C23C14/50 , C23C14/34

3. 发明专利

TWI680196B 用於真空腔內處理基板之設備與系統及用於使基板載體相對遮罩載體對準之方法有权
简体标题：用于真空腔内处理基板之设备与系统及用于使基板载体相对遮罩载体对准之方法
公开(公告)号：TWI680196B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW107119615
申请日：2018-06-07
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：赫曼斯馬提爾斯 , HEYMANNS, MATTHIAS
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/50 , C23C14/56 , C23C16/04 , C23C16/44 , C23C16/458 , H01L51/56

4. 发明专利

TW201920722A 掩膜板排版方法审中-公开
公开(公告)号：TW201920722A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108103934
申请日：2019-01-31
申请人：大陸商雲谷(固安)科技有限公司
发明人：王恩霞 , 歐凌濤 , 李偉麗 , 呂孝鵬 , 甘帥燕 , 王亞
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/50 , C23C14/54 , H01L51/56
摘要：本發明提供了一種掩膜板排版方法，包括：提供框架，具有間隔設置的預設區域、定位區域以及與預設區域和定位區域錯位設置的固定區域，相鄰兩個預設區域的間距為第一預定距離L1；對應於定位區域設置覆蓋掩膜板，覆蓋掩膜板的邊緣距離定位區域的中心間距為第二預定距離L2；根據預設條件將蒸鍍掩膜板設置於固定區域，相鄰兩個固定區域的間距為第三預定距離L3，第三預定距離L3為第一預定距離L1與第二預定距離L2差值；預設條件包括：框架具有用於連接蒸鍍掩膜板的連接區域，連接區域在固定區域內，連接區域的邊緣至蒸鍍掩膜板的邊緣間距為第一距離D1，蒸鍍掩膜板的蒸鍍區域的邊緣與蒸鍍掩膜板的邊緣間距為第二距離D2；第一距離D1小於第二距離D2。
简体摘要：本发明提供了一种掩膜板排版方法，包括：提供框架，具有间隔设置的默认区域、定位区域以及与默认区域和定位区域错位设置的固定区域，相邻两个默认区域的间距为第一预定距离L1；对应于定位区域设置覆盖掩膜板，覆盖掩膜板的边缘距离定位区域的中心间距为第二预定距离L2；根据默认条件将蒸镀掩膜板设置于固定区域，相邻两个固定区域的间距为第三预定距离L3，第三预定距离L3为第一预定距离L1与第二预定距离L2差值；默认条件包括：框架具有用于连接蒸镀掩膜板的连接区域，连接区域在固定区域内，连接区域的边缘至蒸镀掩膜板的边缘间距为第一距离D1，蒸镀掩膜板的蒸镀区域的边缘与蒸镀掩膜板的边缘间距为第二距离D2；第一距离D1小于第二距离D2。

5. 发明专利

TW201918571A 用於真空腔內處理基板之設備與系統及用於使基板載體相對遮罩載體對準之方法审中-公开
简体标题：用于真空腔内处理基板之设备与系统及用于使基板载体相对遮罩载体对准之方法
公开(公告)号：TW201918571A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107119615
申请日：2018-06-07
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：赫曼斯馬提爾斯 , HEYMANNS, MATTHIAS
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/50 , C23C14/56 , C23C16/04 , C23C16/44 , C23C16/458 , H01L51/56
摘要：描述一種用於在真空腔(101)內處理一基板(10)的設備(100)。該設備包含一對準系統(20)及一遮蔽裝置(105)，該對準系統(20)包含一第一裝配件(21)、一第二裝配件(22)及一對準單元(25)，該第一裝配件(21)用於使一基板載體(11)安裝至該對準系統、該第二裝配件(22)用於使一遮罩載體(13)安裝至該對準系統，該對準單元(25)用於使該第一裝配件(21)與該第二裝配件(22)相對彼此移動；。進一步地，該對準系統(20)與該遮蔽裝置(105)於一第一方向(Z)係為可相對彼此移動的。進一步地，提供一種用於處理一基板的系統，還有一種使基板載體與遮罩載體對準的方法。
简体摘要：描述一种用于在真空腔(101)内处理一基板(10)的设备(100)。该设备包含一对准系统(20)及一屏蔽设备(105)，该对准系统(20)包含一第一装配件(21)、一第二装配件(22)及一对准单元(25)，该第一装配件(21)用于使一基板载体(11)安装至该对准系统、该第二装配件(22)用于使一遮罩载体(13)安装至该对准系统，该对准单元(25)用于使该第一装配件(21)与该第二装配件(22)相对彼此移动；。进一步地，该对准系统(20)与该屏蔽设备(105)于一第一方向(Z)系为可相对彼此移动的。进一步地，提供一种用于处理一基板的系统，还有一种使基板载体与遮罩载体对准的方法。

6. 发明专利

TWI650442B 溫度控制的基板支撐組件有权
简体标题：温度控制的基板支撑组件
公开(公告)号：TWI650442B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW104103592
申请日：2015-02-03
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：帕克維傑D , PARKHE, VIJAY D. , 馬可拉契夫康斯坦汀 , MAKHRATCHEV, KONSTANTIN , 小野真德 , ONO, MASANORI , 郭智強 , GUO, ZHIQIANG
IPC分类号： C23C16/46 , C23C14/50 , C23C16/54 , H01L21/67

7. 发明专利

TW201903175A 用於在介電質濺射期間減少工件中的缺陷的電漿腔室靶材审中-公开
简体标题：用于在介电质溅射期间减少工件中的缺陷的等离子腔室靶材
公开(公告)号：TW201903175A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107111555
申请日：2018-04-02
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王曉東 , WANG, XIAODONG , 汪榮軍 , WANG, RONGJUN , 吳寒冰 , WU, HANBING
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/50 , H01J37/34
摘要：本文提供了用於減少薄膜中的缺陷的方法及設備，該薄膜透過物理氣相沉積以沉積在工件上。在一些實施例中，濺射沉積靶材包括：介電質化合物，該介電質化合物具有範圍為約20 μm至200 μm的預定平均晶粒尺寸。在一些實施例中，處理腔室包括：腔室主體，該腔室主體定義內部體積；基板支座，用於在內部體積內支撐基板；將被濺射到基板上的複數個靶材，該靶材包括至少一個介電質靶材，如本文所揭示的任何實施例所述；以及屏蔽，該屏蔽耦合至腔室主體且具有至少一個孔洞，以使複數個待濺射靶材的至少一個靶材暴露。
简体摘要：本文提供了用于减少薄膜中的缺陷的方法及设备，该薄膜透过物理气相沉积以沉积在工件上。在一些实施例中，溅射沉积靶材包括：介电质化合物，该介电质化合物具有范围为约20 μm至200 μm的预定平均晶粒尺寸。在一些实施例中，处理腔室包括：腔室主体，该腔室主体定义内部体积；基板支座，用于在内部体积内支撑基板；将被溅射到基板上的复数个靶材，该靶材包括至少一个介电质靶材，如本文所揭示的任何实施例所述；以及屏蔽，该屏蔽耦合至腔室主体且具有至少一个孔洞，以使复数个待溅射靶材的至少一个靶材暴露。

8. 发明专利

TWI636150B 基板保持機構、成膜裝置、及基板的保持方法有权
简体标题：基板保持机构、成膜设备、及基板的保持方法
公开(公告)号：TWI636150B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW105111468
申请日：2016-04-13
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：江上明史 , EGAMI, AKIFUMI , 金子俊則 , KANEKO, TOSHINORI , 大野哲宏 , OHNO, TETSUHIRO
IPC分类号： C23C14/50 , H01L21/683

9. 发明专利

TW201833358A 成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TW201833358A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106143484
申请日：2017-12-12
申请人：日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：伊藤昭彦 , ITO, AKIHIKO , 加茂克尚 , KAMO, YOSHINAO , 松中繁樹 , MATSUNAKA, SHIGEKI , 藤田篤史 , FUJITA, ATSUSHI
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/50 , C23C16/458 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/552 , H01J37/32
摘要：本發明提供一種可以簡單的構成抑制電子零件的加熱的成膜裝置。本發明包括：搬送部，在腔室內循環搬送電子零件；成膜處理部，成膜於電子零件；托盤，由搬送部搬送，具有載置面；及載置部，載置於載置面，用來搭載電子零件，載置部包括：保持片，一面具備具有黏著性的黏著面，另一面具備不具有黏著性的非黏著面；及密接片，一面具備密接於非黏著面的具有黏著性的第1密接面，另一面具備密接於托盤的載置面的具有黏著性的第2密接面，黏著面具有用來貼附電子零件的貼附區域，第1密接面至少遍及與貼附區域對應的非黏著面的區域的整體而密接。
简体摘要：本发明提供一种可以简单的构成抑制电子零件的加热的成膜设备。本发明包括：搬送部，在腔室内循环搬送电子零件；成膜处理部，成膜于电子零件；托盘，由搬送部搬送，具有载置面；及载置部，载置于载置面，用来搭载电子零件，载置部包括：保持片，一面具备具有黏着性的黏着面，另一面具备不具有黏着性的非黏着面；及密接片，一面具备密接于非黏着面的具有黏着性的第1密接面，另一面具备密接于托盘的载置面的具有黏着性的第2密接面，黏着面具有用来贴附电子零件的贴附区域，第1密接面至少遍及与贴附区域对应的非黏着面的区域的整体而密接。

10. 发明专利

TWI626777B 沈積裝置、沈積方法及有機ＥＬ顯示裝置的製造方法有权
简体标题：沉积设备、沉积方法及有机ＥＬ显示设备的制造方法
公开(公告)号：TWI626777B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW105124042
申请日：2016-07-29
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：西田光志 , NISHIDA, KOSHI , 矢野耕三 , YANO, KOZO , 岸本克彦 , KISHIMOTO, KATSUHIKO , 崎尾進 , SAKIO, SUSUMU
IPC分类号： H01L51/56 , C23C14/50

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