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    • 4. 发明专利
    • 培養基體的製備方法
    • 培养基体的制备方法
    • TW201307557A
    • 2013-02-16
    • TW100129143
    • 2011-08-16
    • 鴻海精密工業股份有限公司HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
    • 馮辰FENG, CHEN范立FAN, LI趙文美ZHAO, WEN-MEI
    • C12N5/079
    • C12N5/0068C12N2533/10
    • 本發明涉及一種培養基體的製備方法,該培養基體用於培養神經細胞,其包括:提供一奈米碳管結構預製體,該奈米碳管結構預製體包括至少一奈米碳管拉膜,每個奈米碳管拉膜包括複數奈米碳管,該複數奈米碳管通過凡得瓦力首尾相連且基本沿同一方向排列;使所述奈米碳管結構預製體中的奈米碳管收縮成複數間隔設置的奈米碳管線,以形成所述奈米碳管結構,且相鄰之奈米碳管線之間的間距大於等於待培養的神經細胞的神經突起之直徑;以及將所述奈米碳管結構固定在一載體上。
    • 本发明涉及一种培养基体的制备方法,该培养基体用于培养神经细胞,其包括:提供一奈米碳管结构预制体,该奈米碳管结构预制体包括至少一奈米碳管拉膜,每个奈米碳管拉膜包括复数奈米碳管,该复数奈米碳管通过凡得瓦力首尾相连且基本沿同一方向排列;使所述奈米碳管结构预制体中的奈米碳管收缩成复数间隔设置的奈米碳管线,以形成所述奈米碳管结构,且相邻之奈米碳管线之间的间距大于等于待培养的神经细胞的神经突起之直径;以及将所述奈米碳管结构固定在一载体上。