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1. 发明专利

TWI700481B 精密研磨液中大雜質顆粒的全像偵測及特徵化技術有权
简体标题：精密研磨液中大杂质颗粒的全像侦测及特征化技术
公开(公告)号：TWI700481B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW105130136
申请日：2016-09-19
申请人：紐約大學 , NEW YORK UNIVERSITY
发明人：魯夫納大衛 B. , RUFFNER, DAVID B. , 格里爾大衛 G. , GRIER, DAVID G. , 菲利普斯勞拉 , PHILIPS, LAURA
IPC分类号： G01N15/10 , G01N21/85 , G01N21/94 , C09G1/02

2. 发明专利

TWI700358B 用於高效率拋光含鍺基材的化學機械拋光（ＣＭＰ）組成物有权
简体标题：用于高效率抛光含锗基材的化学机械抛光（ＣＭＰ）组成物
公开(公告)号：TWI700358B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW104141887
申请日：2015-12-14
申请人：德商巴斯夫歐洲公司 , BASF SE
发明人：席伯特馬克斯 , SIEBERT, MAX , 勞特米夏埃爾 , LAUTER, MICHAEL , 蘭永清 , LAN, YONGQING , 萊哈德羅伯特 , REICHARDT, ROBERT , 木恩熙雅烈山達 , MUENCH, ALEXANDRA , 席克斯曼紐 , SIX, MANUEL , 丹尼爾格拉德 , DANIEL, GERALD , 諾勒巴斯提昂瑪登 , NOLLER, BASTIAN MARTEN , 黃凱文 , HUANG, KEVIN , 烏斯曼依布拉西姆雪克安薩 , USMAN IBRAHIM, SHEIK ANSAR
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304

3. 发明专利

TW202026390A 拋光二氧化矽多於氮化矽之化學機械拋光組成物及方法审中-公开
简体标题：抛光二氧化硅多于氮化硅之化学机械抛光组成物及方法
公开(公告)号：TW202026390A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108132541
申请日：2019-09-10
申请人：美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：潘塔納雷許庫馬 , PENTA, NARESH KUMAR , 奥格羅伯特L , AUGER, ROBERT L.
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , C09G1/04 , H01L21/304 , B24B37/00
摘要：揭露了一種用於拋光二氧化矽多於氮化矽之化學機械拋光組成物，所述化學機械拋光組成物包含具有5或更小的pK值的某些酸性雜環氮化合物。此外，揭露了用於拋光襯底以去除二氧化矽和氮化矽中的一些的方法。
简体摘要：揭露了一种用于抛光二氧化硅多于氮化硅之化学机械抛光组成物，所述化学机械抛光组成物包含具有5或更小的pK值的某些酸性杂环氮化合物。此外，揭露了用于抛光衬底以去除二氧化硅和氮化硅中的一些的方法。

4. 发明专利

TW202014486A 於淺溝槽隔離(STI)化學機械平坦化研磨(CMP)的氧化物相對氮化物的高選擇性、低及均一的氧化物溝槽淺盤效應审中-公开
简体标题：于浅沟槽隔离(STI)化学机械平坦化研磨(CMP)的氧化物相对氮化物的高选择性、低及均一的氧化物沟槽浅盘效应
公开(公告)号：TW202014486A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108134377
申请日：2019-09-24
申请人：美商慧盛材料美國責任有限公司 , VERSUM MATERIALS US, LLC
发明人：史曉波 , SHI, XIAOBO , 羅斯約瑟D , ROSE, JOSEPH D. , 慕雷拉克里希納P , MURELLA, KRISHNA P. , 周鴻君 , ZHOU, HONGJUN , 歐尼爾馬克李納德 , O'NEILL, MARK LEONARD
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明提供用於淺溝槽隔離(STI)應用的化學機械平坦化研磨(CMP)組合物。該CMP組合物含有塗覆氧化鈰的無機氧化物顆粒作為研磨料，例如塗覆氧化鈰的氧化矽顆粒或任何其他塗覆氧化鈰的無機金屬氧化物顆粒作為核粒子；合適的化學添加物，其於同一分子中包含至少一有機羧酸基、至少一羧酸鹽基或至少一羧酸酯基和二或更多羥基官能基；及水溶性溶劑；及視需要的殺生物劑和pH調節劑；其中該組合物的pH為2至12，較佳為3至10，並且更佳為4至9。
简体摘要：本发明提供用于浅沟槽隔离(STI)应用的化学机械平坦化研磨(CMP)组合物。该CMP组合物含有涂覆氧化铈的无机氧化物颗粒作为研磨料，例如涂覆氧化铈的氧化硅颗粒或任何其他涂覆氧化铈的无机金属氧化物颗粒作为核粒子；合适的化学添加物，其于同一分子中包含至少一有机羧酸基、至少一羧酸盐基或至少一羧酸酯基和二或更多羟基官能基；及水溶性溶剂；及视需要的杀生物剂和pH调节剂；其中该组合物的pH为2至12，较佳为3至10，并且更佳为4至9。

5. 发明专利

TWI687496B ＴｉＮ-ＳｉＮＣＭＰ應用之高選擇性的氮化物抑制劑有权
简体标题：ＴｉＮ-ＳｉＮＣＭＰ应用之高选择性的氮化物抑制剂
公开(公告)号：TWI687496B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW107128159
申请日：2018-08-13
申请人：美商卡博特微電子公司 , CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION
发明人：簡智賢 , CHIEN, CHIH-HSIEN , 邱逸閎 , CHIU, YI-HONG , 黃宏聰 , HUANG, HUNG-TSUNG , 葉銘智 , YEH, MING-CHIH
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304

6. 发明专利

TW202007757A 化學機械研磨用水系分散體审中-公开
简体标题：化学机械研磨用水系分散体
公开(公告)号：TW202007757A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108128029
申请日：2019-08-07
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：山田裕也 , YAMADA, YUUYA , 國谷英一郎 , KUNITANI, EIICHIROU , 山中達也 , YAMANAKA, TATSUYA
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304 , B24B37/00
摘要：本發明提供一種化學機械研磨用水系分散體，其可高速研磨包含鎢及絕緣膜的基板，並且可減低被研磨面中的研磨損傷的產生。本發明的化學機械研磨用水系分散體的一形態含有：（A）在表面具有能夠形成磺酸鹽的基的二氧化矽研磨粒、（B）選自由金屬硝酸鹽及金屬硫酸鹽所組成的群組中的至少一種、以及（C）選自由有機酸及其鹽所組成的群組中的至少一種，且pH值為1以上且6以下。
简体摘要：本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体，其可高速研磨包含钨及绝缘膜的基板，并且可减低被研磨面中的研磨损伤的产生。本发明的化学机械研磨用水系分散体的一形态含有：（A）在表面具有能够形成磺酸盐的基的二氧化硅研磨粒、（B）选自由金属硝酸盐及金属硫酸盐所组成的群组中的至少一种、以及（C）选自由有机酸及其盐所组成的群组中的至少一种，且pH值为1以上且6以下。

7. 发明专利

TW202007737A 處理液及處理方法审中-公开
简体标题：处理液及处理方法
公开(公告)号：TW202007737A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108125172
申请日：2019-07-17
申请人：日商富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA
IPC分类号： C09G1/02
摘要：本發明提供一種在適用於具有InP層和形成於InP層上之SiO2層之積層體時能夠選擇性地去除SiO2且能夠抑制SiO2的缺陷及InP層的表面粗糙度之處理液及處理方法。本發明的處理液含有氟化氫和抗蝕劑，每1 mL處理液的粒徑0.10 μm以上的粗粒子的個數少於100個/mL，每1 mL處理液的粒徑0.05 μm以上的粗粒子的個數少於500個/mL，且每1 mL處理液的粒徑0.10 μm以上的粗粒子的個數與每1 mL處理液的粒徑0.05 μm以上的粗粒子的個數之比的值大於0.010且小於1.000。
简体摘要：本发明提供一种在适用于具有InP层和形成于InP层上之SiO2层之积层体时能够选择性地去除SiO2且能够抑制SiO2的缺陷及InP层的表面粗糙度之处理液及处理方法。本发明的处理液含有氟化氢和抗蚀剂，每1 mL处理液的粒径0.10 μm以上的粗粒子的个数少于100个/mL，每1 mL处理液的粒径0.05 μm以上的粗粒子的个数少于500个/mL，且每1 mL处理液的粒径0.10 μm以上的粗粒子的个数与每1 mL处理液的粒径0.05 μm以上的粗粒子的个数之比的值大于0.010且小于1.000。

8. 发明专利

TWI682979B 用於ＳＴＩ製程的拋光漿料組合物有权
简体标题：用于ＳＴＩ制程的抛光浆料组合物
公开(公告)号：TWI682979B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW107145981
申请日：2018-12-19
申请人：南韓商凱斯科技股份有限公司 , KCTECH CO., LTD.
发明人：梁海元 , YANG, HAE WON , 黃晙夏 , HWANG, JUN HA , 金廷潤 , KIM, JUNG YOON , 朴光洙 , PARK, KWANG SOO
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/3105

9. 发明专利

TW202003783A 化學機械研磨組成物审中-公开
简体标题：化学机械研磨组成物
公开(公告)号：TW202003783A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108135189
申请日：2015-07-13
申请人：德商巴斯夫歐洲公司 , BASF SE
发明人：萊哈德羅伯特 , REICHARDT, ROBERT , 席伯特馬克斯 , SIEBERT, MAX , 蘭永清 , LAN, YONGQING , 勞特米夏埃爾 , LAUTER, MICHAEL , 古芬克哈奇歐斯曼 , GUEVENC, HACI OSMAN , 普洛斯胡利安 , PROELSS, JULIAN , 烏斯曼依布拉西姆雪克安薩 , USMAN IBRAHIM, SHEIK ANSAR , 果莎里安雷莎 , GOLZARIAN, REZA
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304
摘要：本發明係關於一種化學機械研磨（CMP）組成物（Q），其包含：（A）膠態或煙霧狀無機粒子（A）或其混合物，其總量以各別CMP組成物之總重量計為0.0001 wt.%至2.5 wt.%；（B）至少一種胺基酸，其總量以該各別CMP組成物之總重量計為0.2 wt.%至1 wt.%；（C）至少一種腐蝕抑制劑，其總量以該各別CMP組成物之總重量計為0.001 wt.%至0.02 wt.%；（D）過氧化氫作為氧化劑，其總量以該各別CMP組成物之總量計為0.0001 wt.%至2 wt.%；（E）水性介質，其中該CMP組成物（Q）之pH在6至9.5範圍內。
简体摘要：本发明系关于一种化学机械研磨（CMP）组成物（Q），其包含：（A）胶态或烟雾状无机粒子（A）或其混合物，其总量以各别CMP组成物之总重量计为0.0001 wt.%至2.5 wt.%；（B）至少一种氨基酸，其总量以该各别CMP组成物之总重量计为0.2 wt.%至1 wt.%；（C）至少一种腐蚀抑制剂，其总量以该各别CMP组成物之总重量计为0.001 wt.%至0.02 wt.%；（D）过氧化氢作为氧化剂，其总量以该各别CMP组成物之总量计为0.0001 wt.%至2 wt.%；（E）水性介质，其中该CMP组成物（Q）之pH在6至9.5范围内。

10. 发明专利

TWI680167B 氧化矽膜研磨用研磨液組合物有权
简体标题：氧化硅膜研磨用研磨液组合物
公开(公告)号：TWI680167B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW104143898
申请日：2015-12-25
申请人：日商花王股份有限公司 , KAO CORPORATION
发明人：衣田幸司 , KINUTA, KOJI , 古高佑季 , KOTAKA, YUKI
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304

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