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1. 发明专利

TW202017889A 一種降低雙面銅鍍層與氮化鋁基板之界面應力累積的方法审中-公开
简体标题：一种降低双面铜镀层与氮化铝基板之界面应力累积的方法
公开(公告)号：TW202017889A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW107140694
申请日：2018-11-14
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：吳俊德 , WU, CHUN TE , 郭養國 , KUO, YANG KUO , 施政宏 , SHIH, CHENG HUNG , 黃宏庭 , HUANG, HONG TING
IPC分类号： C04B41/90 , C04B35/581 , H01L23/15
摘要：本發明採用黃光微影製程與電鍍製程進行TAV填銅與圖樣化之雙面銅鍍層製作，在TAV穿孔處預先鍍製具對稱結構之雙面銅鍍層作為與氮化鋁基板間的應力緩衝層，再客製化進行後續的銅鍍層圖樣設計，依模擬理論計算佐證如此可有效降低具不對稱結構之雙面銅鍍層TAV氮化鋁基板的應力累積在短邊銅鍍層面，有利於提升氮化鋁基板的可靠度。
简体摘要：本发明采用黄光微影制程与电镀制程进行TAV填铜与图样化之双面铜镀层制作，在TAV穿孔处预先镀制具对称结构之双面铜镀层作为与氮化铝基板间的应力缓冲层，再客制化进行后续的铜镀层图样设计，依仿真理论计算佐证如此可有效降低具不对称结构之双面铜镀层TAV氮化铝基板的应力累积在短边铜镀层面，有利于提升氮化铝基板的可靠度。

2. 发明专利

TW201741235A 一種製備球形氮化鋁粉末的方法审中-公开
简体标题：一种制备球形氮化铝粉末的方法
公开(公告)号：TW201741235A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105115705
申请日：2016-05-20
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：賴冠廷 , LAI, KUAN TING , 許志雄 , HSI, CHI SHIUNG , 楊旻諭 , YANG, MIN YU
IPC分类号： C01B21/072 , C04B35/581 , C04B35/63 , C04B35/64
摘要：一種製備球形氮化鋁粉末的方法，步驟包括：(A)提供一氧化鋁粉末與一樹脂，將該氧化鋁粉末與該樹脂分散溶解於一溶劑中，形成一混合漿料；(B)將該混合漿料進行噴霧乾燥，形成一球形粉末；(C)將該球形粉末於惰性氣氛下進行碳化處理，形成一碳化球形粉末；(D)將該碳化球形粉末於含氮氣氛下進行碳熱還原，形成一球形氮化鋁粉末；(E)將該球形氮化鋁粉末於含氮氣氛下持續進行緻密化燒結熱處理；(F)將該燒結熱處理後的球形氮化鋁粉末於含氧氣氛下，進行脫碳，形成一緻密球形氮化鋁燒結顆粒。藉此，結合原料混合、噴霧乾燥、碳化處理、碳熱還原、緻密化燒結熱處理、脫碳，可獲得數十微米之緻密球形氮化鋁燒結顆粒，製程簡單兼具節能效益。
简体摘要：一种制备球形氮化铝粉末的方法，步骤包括：(A)提供一氧化铝粉末与一树脂，将该氧化铝粉末与该树脂分散溶解于一溶剂中，形成一混合浆料；(B)将该混合浆料进行喷雾干燥，形成一球形粉末；(C)将该球形粉末于惰性气氛下进行碳化处理，形成一碳化球形粉末；(D)将该碳化球形粉末于含氮气氛下进行碳热还原，形成一球形氮化铝粉末；(E)将该球形氮化铝粉末于含氮气氛下持续进行致密化烧结热处理；(F)将该烧结热处理后的球形氮化铝粉末于含氧气氛下，进行脱碳，形成一致密球形氮化铝烧结颗粒。借此，结合原料混合、喷雾干燥、碳化处理、碳热还原、致密化烧结热处理、脱碳，可获得数十微米之致密球形氮化铝烧结颗粒，制程简单兼具节能效益。

3. 发明专利

TWI579231B 一種製備球形氮化鋁粉末的方法有权
简体标题：一种制备球形氮化铝粉末的方法
公开(公告)号：TWI579231B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW105115705
申请日：2016-05-20
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：賴冠廷 , LAI, KUAN TING , 許志雄 , HSI, CHI SHIUNG , 楊旻諭 , YANG, MIN YU
IPC分类号： C01B21/072 , C04B35/581 , C04B35/63 , C04B35/64

4. 发明专利

TWI507350B 球狀氮化鋁粉末有权
简体标题：球状氮化铝粉末
公开(公告)号：TWI507350B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW100131765
申请日：2011-09-02
申请人：德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：宗岡孝俊 , MUNEOKA, TAKATOSHI , 渡邊一孝 , WATANABE, KAZUTAKA
IPC分类号： C01B21/072 , C04B35/581
CPC分类号： C01B21/0726 , C01B21/072 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C04B35/581 , C04B35/6265 , C04B2235/3208 , C04B2235/422 , C04B2235/424 , C04B2235/425 , C04B2235/528 , C04B2235/5296 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/723 , C04B2235/725 , C04B2235/726 , C04B2235/761 , Y10T428/2982

5. 发明专利

TW201510177A 螢光體及發光裝置审中-公开
简体标题：萤光体及发光设备
公开(公告)号：TW201510177A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103122773
申请日：2014-07-02
申请人：電氣化學工業股份有限公司 , DENKI KAGAKU KOGYO KABUSHIKI KAISHA
发明人：武田雄介 , TAKEDA, YUSUKE , 稻葉亮治 , INABA, RYOJI , 小林學 , KOBAYASHI, MANABU , 岡田拓也 , OKADA, TAKUYA
IPC分类号： C09K11/80 , C04B35/581 , C04B35/584 , H01L33/00 , G02F1/13357
CPC分类号： H01L33/502 , C09K11/0883 , C09K11/7734
摘要：本發明係有關一種可實現高亮度的紅色發光之(Sr,Ca)AlSiN3系氮化物螢光體，及因使用該螢光體而演色性和發光效率優異的發光裝置。本發明的螢光體係由通式：M1aM2bM3cM4dNeOf所表示，M1係選自Eu及Ce之1種以上的元素，M2係Ca及Sr設為必須且選自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn的2種以上的元素，M3係選自Al、Ga、In及Sc之1種以上的元素，M4係Si設為必須且選自Si、Ge、Sn、Ti、Zr及Hf之1種以上的元素，N為氮，O為氧，a~f係0.00001≦a≦0.15，a+b=1，0.5≦c≦1.5，0.5≦d≦1.5，c+d=2，2.5≦e≦3.0，0≦f≦0.5，且以455nm之波長光激發之際的發光光譜的半值寬是72nm以上86nm以下。
简体摘要：本发明系有关一种可实现高亮度的红色发光之(Sr,Ca)AlSiN3系氮化物萤光体，及因使用该萤光体而演色性和发光效率优异的发光设备。本发明的萤光体系由通式：M1aM2bM3cM4dNeOf所表示，M1系选自Eu及Ce之1种以上的元素，M2系Ca及Sr设为必须且选自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn的2种以上的元素，M3系选自Al、Ga、In及Sc之1种以上的元素，M4系Si设为必须且选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr及Hf之1种以上的元素，N为氮，O为氧，a~f系0.00001≦a≦0.15，a+b=1，0.5≦c≦1.5，0.5≦d≦1.5，c+d=2，2.5≦e≦3.0，0≦f≦0.5，且以455nm之波长光激发之际的发光光谱的半值宽是72nm以上86nm以下。

6. 发明专利

TWI404698B 氮化鋁陶瓷散熱片與其製造方法失效
简体标题：氮化铝陶瓷散热片与其制造方法
公开(公告)号：TWI404698B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW099119951
申请日：2010-06-18
申请人：臺鹽實業股份有限公司 , TAIYEN BIOTECH. CO. LTD
发明人：賴振興 , LAI, CHENHSIN , 陳芳南 , CHEN, FANGNAN
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/63 , C09K5/14 , H05K7/20

7. 发明专利

TW202010725A 陶瓷製造用顆粒之製造方法审中-公开
简体标题：陶瓷制造用颗粒之制造方法
公开(公告)号：TW202010725A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108122305
申请日：2019-06-26
申请人：日商德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：藤本宗寬 , FUJIMOTO, HIRONOBU , 池田剛 , IKEDA, TSUYOSHI
IPC分类号： C04B35/63 , C04B35/581 , B01J2/00
摘要：本發明之目的係提供陶瓷製造用顆粒之製造方法，其生產性高，將供給至加壓成形所得之加壓成形體進行燒製而製造陶瓷時，可得到抑制了物性降低之陶瓷。本發明之特徵係包含下列步驟：漿料製備步驟，製備由包含無機化合物之粉末、黏結劑及溶劑的混合物構成之漿料；造粒步驟，將前述漿料導入噴霧乾燥裝置，形成包含前述無機化合物之顆粒物；排氣步驟，使前述噴霧乾燥裝置內的環境氣體，經由表面為陶瓷製的旋風器而排氣；將在前述排氣步驟中旋風器所回收之微粉，混合於前述造粒步驟所得之顆粒物。
简体摘要：本发明之目的系提供陶瓷制造用颗粒之制造方法，其生产性高，将供给至加压成形所得之加压成形体进行烧制而制造陶瓷时，可得到抑制了物性降低之陶瓷。本发明之特征系包含下列步骤：浆料制备步骤，制备由包含无机化合物之粉末、黏结剂及溶剂的混合物构成之浆料；造粒步骤，将前述浆料导入喷雾干燥设备，形成包含前述无机化合物之颗粒物；排气步骤，使前述喷雾干燥设备内的环境气体，经由表面为陶瓷制的旋风器而排气；将在前述排气步骤中旋风器所回收之微粉，混合于前述造粒步骤所得之颗粒物。

8. 发明专利

TWI650285B 氮化鋁粉末的製備方法有权
简体标题：氮化铝粉末的制备方法
公开(公告)号：TWI650285B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW105131473
申请日：2016-09-30
申请人：國立高雄應用科技大學
发明人：蔡政賢 , 陳尚澤 , 蘇恆賢
IPC分类号： C01B21/072 , C04B35/581

9. 发明专利

TW201827382A 矽氧系混成聚合物被覆氮化鋁填料审中-公开
简体标题：硅氧系混成聚合物被覆氮化铝填料
公开(公告)号：TW201827382A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW107103178
申请日：2018-01-30
申请人：日商日本山村硝子股份有限公司 , NIHON YAMAMURA GLASS CO., LTD. , 日商古河電子股份有限公司 , FURUKAWA DENSHI CO., LTD.
发明人：佐藤綠 , SATO, MIDORI , 信藤卓也 , SHINDO, TAKUYA , 堀口恭 , HORIGUCHI, YASUSHI , 手塚宏茂 , TEZUKA, HIROSHIGE
IPC分类号： C04B35/581 , C04B41/83 , C08G77/16 , C08G77/02 , C08K3/28 , C08K9/06 , C09K5/14 , H01L23/373 , H05K7/20
摘要：本發明所欲解決的問題在於獲得一種表面被覆氮化鋁填料，其能夠用於需要高熱傳導特性的散熱構件，且用以提供一種耐熱性散熱材料，其因氮化鋁填料表面的水解所導致的熱傳導率等的特性劣化的情形較少。本發明的解決手段是一種矽氧系混成聚合物被覆氮化鋁填料，其是以表面被矽氧系混成聚合物被覆而成的氮化鋁作為主成分之填料，並且，對於50mL離子交換水，加入5g平均粒徑為20～40μm的該填料，並在以121℃的飽和水蒸氣壓保持50小時後，水的導電率為350μS/cm以下。
简体摘要：本发明所欲解决的问题在于获得一种表面被覆氮化铝填料，其能够用于需要高热传导特性的散热构件，且用以提供一种耐热性散热材料，其因氮化铝填料表面的水解所导致的热传导率等的特性劣化的情形较少。本发明的解决手段是一种硅氧系混成聚合物被覆氮化铝填料，其是以表面被硅氧系混成聚合物被覆而成的氮化铝作为主成分之填料，并且，对于50mL离子交换水，加入5g平均粒径为20～40μm的该填料，并在以121℃的饱和水蒸气压保持50小时后，水的导电率为350μS/cm以下。

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