专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW202030044A 雷射切割方法审中-公开
简体标题：激光切割方法
公开(公告)号：TW202030044A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108103963
申请日：2019-01-31
申请人：長豐光學科技股份有限公司 , LASER MECHANISMS TAIWAN LTD.
发明人：陳柏廷 , CHEN, PO-TING , 林正祥 , LIN, CHENG-HSIANG
IPC分类号： B23K26/38
摘要：本發明雷射切割方法用以對加工物件進行雷射切割以形成標的圖形，並包含以下步驟：送料機構透過帶動加工物件進行移動來產生移動訊息，並將移動訊息傳遞至運算機構；將切割路徑傳遞至運算機構，使運算機構運算切割路徑與移動訊息而產生補償切割路徑，並將補償切割路徑傳遞至位置固定的雷射切割機構；雷射切割機構投射雷射光束至正在進行移動的加工物件，而雷射切割機構依據補償切割路徑而持續改變雷射光束投射至加工物件的投射方向，使加工物件受到雷射光束切割而形成標的圖形，藉此，雷射切割機構對加工物件進行雷射切割時，加工物件依然進行移動而不會停止，進而縮短加工時間，相對而提高生產效率。
简体摘要：本发明激光切割方法用以对加工对象进行激光切割以形成标的图形，并包含以下步骤：送料机构透过带动加工对象进行移动来产生移动消息，并将移动消息传递至运算机构；将切割路径传递至运算机构，使运算机构运算切割路径与移动消息而产生补偿切割路径，并将补偿切割路径传递至位置固定的激光切割机构；激光切割机构投射激光光束至正在进行移动的加工对象，而激光切割机构依据补偿切割路径而持续改变激光光束投射至加工对象的投射方向，使加工对象受到激光光束切割而形成标的图形，借此，激光切割机构对加工对象进行激光切割时，加工对象依然进行移动而不会停止，进而缩短加工时间，相对而提高生产效率。

2. 发明专利

TWI698301B 切割方法及雷射加工裝置有权
简体标题：切割方法及激光加工设备
公开(公告)号：TWI698301B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW106124481
申请日：2017-07-21
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：藤田努 , FUJITA, TSUTOMU , 大野天頌 , ONO, TAKANOBU
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/40 , H01L21/301 , C03B33/09 , B23K101/40

3. 发明专利

TWI674200B 指紋感測單元壓印系統及其方法有权
简体标题：指纹传感单元压印系统及其方法
公开(公告)号：TWI674200B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW106113495
申请日：2017-04-21
申请人：致伸科技股份有限公司 , PRIMAX ELECTRONICS LTD.
发明人：許志豪 , HSU, CHIH HAO
IPC分类号： B32B7/08 , B23K26/38 , G06K9/00

4. 发明专利

TW201921464A 劃線加工方法及劃線加工裝置审中-公开
简体标题：划线加工方法及划线加工设备
公开(公告)号：TW201921464A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107134000
申请日：2018-09-27
申请人：日商三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：林弘義 , HAYASHI, HIROYOSHI , 中谷郁祥 , NAKATANI, FUMIYOSHI
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/38 , B28D5/00
摘要：本發明之課題在於即使為厚度較厚之玻璃基板，亦可藉由1次掃描之雷射加工於玻璃基板形成劃線。本發明之劃線加工方法係對玻璃基板G進行劃線加工之方法，且具備藉由照射雷射光於平面方向斷續進行玻璃基板G之內部加工而形成劃線31之劃線形成步驟。排列於雷射光之光軸上之複數個聚光點位於玻璃基板G之內部。複數個聚光點中最靠近與雷射照射之面為相反側之面之第1聚光點之光束強度，高於複數個其他聚光點之光束強度。
简体摘要：本发明之课题在于即使为厚度较厚之玻璃基板，亦可借由1次扫描之激光加工于玻璃基板形成划线。本发明之划线加工方法系对玻璃基板G进行划线加工之方法，且具备借由照射激光光于平面方向断续进行玻璃基板G之内部加工而形成划线31之划线形成步骤。排列于激光光之光轴上之复数个聚光点位于玻璃基板G之内部。复数个聚光点中最靠近与激光照射之面为相反侧之面之第1聚光点之光束强度，高于复数个其他聚光点之光束强度。

5. 发明专利

TWI649149B 雷射處理方法有权
简体标题：激光处理方法
公开(公告)号：TWI649149B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW103144120
申请日：2014-12-17
申请人：美商康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人：曼利羅伯喬治 , MANLEY, ROBERT GEORGE , 瑪加諾維克莎夏 , MARJANOVIC, SASHA , 皮耶希卡列特安卓 , PIECH, GARRETT ANDREW , 茲達瑟吉歐 , TSUDA, SERGIO , 華格納羅伯特史帝芬 , WAGNER, ROBERT STEPHEN
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/402

6. 发明专利

TWI648119B 雷射加工裝置及雷射加工方法有权
简体标题：激光加工设备及激光加工方法
公开(公告)号：TWI648119B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW103111047
申请日：2014-03-25
申请人：日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：河口大祐 , KAWAGUCHI, DAISUKE , 廣瀬翼 , HIROSE, TSUBASA , 荒木佳祐 , ARAKI, KEISUKE
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/064 , B23K26/40 , B23K26/352

7. 发明专利

TWI645929B 用於對材料進行雷射鑽孔的方法及系統有权
简体标题：用于对材料进行激光钻孔的方法及系统
公开(公告)号：TWI645929B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW103144125
申请日：2014-12-17
申请人：美商康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人：皮耶希卡列特安卓 , PIECH, GARRETT ANDREW , 華格納羅伯特史帝芬 , WAGNER, ROBERT STEPHEN , 瑪加諾維克莎夏 , MARJANOVIC, SASHA , 茲達瑟吉歐 , TSUDA, SERGIO
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/40 , C03B33/09

8. 发明专利

TW201839829A 晶圓加工方法审中-公开
简体标题：晶圆加工方法
公开(公告)号：TW201839829A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107113757
申请日：2018-04-23
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：桐原直俊 , KIRIHARA, NAOTOSHI
IPC分类号： H01L21/302 , B23K26/38
摘要： [課題]提供晶圓加工方法，依據該方法，不會有碎片飛散而造成光元件品質低劣的問題，並且能解決下述問題：連續形成改質層並施以外力將晶圓分割成一個個光元件時，不能從正面向背面傾斜地分割而形成垂直式側壁的問題；以及連續形成潛盾通道時，因先前形成的潛盾通道導致下一道雷射光線散射，使正面所形成的發光層損傷的問題。[解決手段] 一種晶圓加工方法，包含：潛盾通道形成步驟，將對藍寶石基板具穿透性波長的脈衝雷射光線之聚光點從晶圓背面定位於和分割預定線對應的區域，且將脈衝雷射光線照射於晶圓，將由複數個細孔及圍繞各細孔的非晶質所形成的複數潛盾通道按預定間隔形成分割預定線；改質層形成步驟，將對藍寶石基板具穿透性波長的脈衝雷射光線之聚光點從晶圓背面定位於分割預定線内部，且將脈衝雷射光線照射於晶圓，而在鄰接的潛盾通道間形成改質層；及分割步驟，對晶圓施以外力將晶圓分割成複數個光元件晶片。
简体摘要： [课题]提供晶圆加工方法，依据该方法，不会有碎片飞散而造成光组件品质低劣的问题，并且能解决下述问题：连续形成改质层并施以外力将晶圆分割成一个个光组件时，不能从正面向背面倾斜地分割而形成垂直式侧壁的问题；以及连续形成潜盾信道时，因先前形成的潜盾信道导致下一道激光光线散射，使正面所形成的发光层损伤的问题。[解决手段] 一种晶圆加工方法，包含：潜盾信道形成步骤，将对蓝宝石基板具穿透性波长的脉冲激光光线之聚光点从晶圆背面定位于和分割预定线对应的区域，且将脉冲激光光线照射于晶圆，将由复数个细孔及围绕各细孔的非晶质所形成的复数潜盾信道按预定间隔形成分割预定线；改质层形成步骤，将对蓝宝石基板具穿透性波长的脉冲激光光线之聚光点从晶圆背面定位于分割预定线内部，且将脉冲激光光线照射于晶圆，而在邻接的潜盾信道间形成改质层；及分割步骤，对晶圆施以外力将晶圆分割成复数个光组件芯片。

9. 发明专利

TW201836750A 碳化矽晶體切片設備及切片方法审中-公开
简体标题：碳化硅晶体切片设备及切片方法
公开(公告)号：TW201836750A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106124189
申请日：2017-07-19
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：三重野文健 , MIENO, FUMITAKE
IPC分类号： B23K26/06 , B23K26/064 , B23K26/38 , B23K26/042
摘要：本發明提供了一種碳化矽(SiC)晶體切片設備及切片方法，SiC晶體切片設備包括一雷射源與一支撐台，雷射源用於發出多束雷射，支撐台用於支撐待切片的SiC錠；每束雷射分別聚焦到SiC錠內的不同深度的位置處，雷射照射的地方SiC分解為Si與C，從而易於將SiC切片從SiC錠上分離，提高切片的速率；並且由於雷射源同時提供多束雷射，能夠同時照射同一SiC錠內不同深度的不同位置，從而實現多片SiC切片的照射，達到節約照射時間的目的，在一定程度上提高了切片的效率。
简体摘要：本发明提供了一种碳化硅(SiC)晶体切片设备及切片方法，SiC晶体切片设备包括一激光源与一支撑台，激光源用于发出多束激光，支撑台用于支撑待切片的SiC锭；每束激光分别聚焦到SiC锭内的不同深度的位置处，激光照射的地方SiC分解为Si与C，从而易于将SiC切片从SiC锭上分离，提高切片的速率；并且由于激光源同时提供多束激光，能够同时照射同一SiC锭内不同深度的不同位置，从而实现多片SiC切片的照射，达到节约照射时间的目的，在一定程度上提高了切片的效率。

10. 发明专利

TWI636027B 在玻璃基板中形成通孔之方法有权
公开(公告)号：TWI636027B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW103129404
申请日：2014-08-26
申请人：康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人：柏凱特羅柏特卡爾 , BURKET, ROBERT CARL , 高爾斯尤塔芭芭拉 , GOERS, UTA-BARBARA , 奧蘇薩繆歐德 , OWUSU, SAMUEL ODEI , 派翠斯基泰咪琳 , PETRIWSKY, TAMMY LYNN
IPC分类号： C03C29/00 , C03C15/00 , C03C23/00 , B23K26/38 , H05K1/03

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式