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1. 发明专利

TW201703549A 靜電耳機發聲結構审中-公开
简体标题：静电耳机发声结构
公开(公告)号：TW201703549A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW104121774
申请日：2015-07-03
申请人：富祐鴻科技股份有限公司 , FORTUNE GRAND TECHNOLOGY INC.
发明人：江信遠 , CHIANG, HSIN-YUAN , 馬銓均 , MA, CHUAN-CHUN
IPC分类号： H04R19/02
摘要：本發明係提供一種靜電耳機發聲結構，其包含一第一環形開孔極板；一第一環形外周緣區隔板及一第一環形內周緣區隔板，其分別疊置於該第一環形開孔極板一側面的外周緣區及內周緣區；一環形振膜，其一側面的外周緣區及內周緣區分別疊置於該第一環形外周緣區隔板及該第一環形內周緣區隔板；一第二環形外周緣區隔板及一第二環形內周緣區隔板，其分別疊置於該環形振膜另一側面的外周緣區及內周緣區；以及一第二環形開孔極板，其一側面的外周緣區及內周緣區分別疊置於該第二環形外周緣區隔板及該第二環形內周緣區隔板。藉此，本發明的靜電耳機發聲結構可提高聲音的靈敏度(感度)並保護振膜。
简体摘要：本发明系提供一种静电耳机发声结构，其包含一第一环形开孔极板；一第一环形外周缘区隔板及一第一环形内周缘区隔板，其分别叠置于该第一环形开孔极板一侧面的外周缘区及内周缘区；一环形振膜，其一侧面的外周缘区及内周缘区分别叠置于该第一环形外周缘区隔板及该第一环形内周缘区隔板；一第二环形外周缘区隔板及一第二环形内周缘区隔板，其分别叠置于该环形振膜另一侧面的外周缘区及内周缘区；以及一第二环形开孔极板，其一侧面的外周缘区及内周缘区分别叠置于该第二环形外周缘区隔板及该第二环形内周缘区隔板。借此，本发明的静电耳机发声结构可提高声音的灵敏度(感度)并保护振膜。

2. 发明专利

TWI463882B 揚聲器失效
简体标题：扬声器
公开(公告)号：TWI463882B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW100138924
申请日：2011-10-26
申请人：仁寶電腦工業股份有限公司 , COMPAL ELECTRONICS, INC.
发明人：林春宏 , LIN, CHUNG HONG , 龔紹祖 , KUNG, SHAO TSU
IPC分类号： H04R19/02 , H04R19/01
CPC分类号： H04R19/013 , H04R1/24 , H04R2307/025

3. 实用新型

TWM459645U 電聲換能器失效
简体标题：电声换能器
公开(公告)号：TWM459645U
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW102207332
申请日：2013-04-22
申请人：正崴精密工業股份有限公司 , CHENG UEI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：黃錦堂 , HUANG, JIIN TARNG , 曾木村 , TSENG, MU TSUN
IPC分类号： H04R19/02

4. 发明专利

TW201328374A 平面揚聲器裝置失效
简体标题：平面扬声器设备
公开(公告)号：TW201328374A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100147444
申请日：2011-12-20
申请人：富祐鴻科技股份有限公司 , FORTUNE GRAND TECHNOLOGY INC.
发明人：許學文 , HSU, HSUIE WEN , 陳炫諭 , CHEN, HSUAN YU , 陳煜熙 , CHEN, YU HSI
IPC分类号： H04R19/02
摘要：一種平面揚聲器裝置，包括上殼體、下殼體、平面揚聲器單體、導電電極組以及至少一個以上鎖固件。上殼體具有一第一定位部。下殼體設置於上殼體之下方，具有一第二定位部。平面揚聲器單體包括至少一個以上開孔電極以及振膜，開孔電極具有多個開孔，且開孔電極與振膜夾持出多個空氣腔。導電電極組連接平面揚聲器單體，用以提供傳遞發聲的一電源訊號。鎖固件用以固定上殼體與下殼體，並夾持平面揚聲器單體及導電電極組。
简体摘要：一种平面扬声器设备，包括上壳体、下壳体、平面扬声器单体、导电电极组以及至少一个以上锁固件。上壳体具有一第一定位部。下壳体设置于上壳体之下方，具有一第二定位部。平面扬声器单体包括至少一个以上开孔电极以及振膜，开孔电极具有多个开孔，且开孔电极与振膜夹持出多个空气腔。导电电极组连接平面扬声器单体，用以提供传递发声的一电源信号。锁固件用以固定上壳体与下壳体，并夹持平面扬声器单体及导电电极组。

5. 发明专利

TWI544806B 靜電耳機有权
简体标题：静电耳机
公开(公告)号：TWI544806B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW102129716
申请日：2013-08-19
申请人：舒爾獲得控股公司 , SHURE ACQUISITION HOLDINGS, INC.
发明人：葛瑞尼羅傑史蒂芬三世 , GRINNIP, ROGER STEPHEN, III
IPC分类号： H04R1/10 , H04R19/02
CPC分类号： H04R1/1066 , C08B37/0072 , C08H1/00 , C08L5/08 , C08L89/00 , H04R1/1075

6. 实用新型

TWM482225U 整合式靜電耳機單體模組之結構改良有权
简体标题：集成式静电耳机单体模块之结构改良
公开(公告)号：TWM482225U
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW103205424
申请日：2014-03-28
申请人：茂宇科技股份有限公司
发明人：王天來 , 張明華
IPC分类号： H04R19/02
CPC分类号： H04R5/033 , H04R1/1008 , H04R3/14 , H04R19/013

7. 发明专利

TW201400090A 成分測量裝置及醫療機器审中-公开
简体标题：成分测量设备及医疗机器
公开(公告)号：TW201400090A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102109286
申请日：2013-03-15
申请人：泰爾茂股份有限公司 , TERUMO KABUSHIKI KAISHA
发明人：相川亮桂 , AIKAWA, RYOKEI , 長谷部裕一 , HASEBE, YUICHI
IPC分类号： A61B5/145 , H04R19/02 , G06Q50/00
CPC分类号： A61B5/14532 , A61B5/150022 , A61B5/150343 , A61B5/150358 , A61B5/157 , G01D7/12 , G01N21/8483
摘要：成分測量裝置(10)具備用以切換從揚聲器(58)被輸出之語音的音量切換開關(40)，該語音係表示體液之特定成分的測量值，音量切換開關(40)係將從揚聲器(58)被輸出之語音至少切換成微弱之耳語音量和一般音量的開關。該耳語音量在無響室中，當成分測量裝置(10)和噪音計(70)之麥克風(72)之距離為3cm時，藉由噪音計(70)所測量到之噪音位準在36dB~53dB之範圍內，一般音量在無響室中，當成分測量裝置(10)和噪音計(70)之麥克風(72)之距離為50cm時，藉由噪音計(70)所測量到之噪音位準則在50dB以上。
简体摘要：成分测量设备(10)具备用以切换从扬声器(58)被输出之语音的音量切换开关(40)，该语音系表示体液之特定成分的测量值，音量切换开关(40)系将从扬声器(58)被输出之语音至少切换成微弱之耳语音量和一般音量的开关。该耳语音量在无响室中，当成分测量设备(10)和噪音计(70)之麦克风(72)之距离为3cm时，借由噪音计(70)所测量到之噪音位准在36dB~53dB之范围内，一般音量在无响室中，当成分测量设备(10)和噪音计(70)之麦克风(72)之距离为50cm时，借由噪音计(70)所测量到之噪音位准则在50dB以上。

8. 发明专利

TWI386073B 具有使用接合引線之增強型衝擊驗證之矽麥克風有权
简体标题：具有使用接合引线之增强型冲击验证之硅麦克风
公开(公告)号：TWI386073B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW097137082
申请日：2008-09-26
申请人：山東共達電聲股份有限公司
发明人：張世忠 , SER CHOONG CHONG , 王喆 , ZHE WANG
IPC分类号： H04R19/02 , B81B3/00
CPC分类号： H04R19/04

9. 发明专利

TWI653192B ＭＥＭＳ裝置與製程有权
简体标题：ＭＥＭＳ设备与制程
公开(公告)号：TWI653192B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW106124645
申请日：2017-07-21
申请人：席瑞斯邏輯國際半導體有限公司 , CIRRUS LOGIC INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LTD.
发明人：戴爾司詹姆士湯馬士 , DEAS, JAMES THOMAS , 卡吉爾史考特里歐 , CARGILL, SCOTT LYALL
IPC分类号： B81B3/00 , H04R19/02 , H04R19/04 , H04R31/00

10. 发明专利

TW201815657A ＭＥＭＳ裝置與製程审中-公开
简体标题：ＭＥＭＳ设备与制程
公开(公告)号：TW201815657A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106124643
申请日：2017-07-21
申请人：席瑞斯邏輯國際半導體有限公司 , CIRRUS LOGIC INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LTD.
发明人：柏伊德永詹姆士 , BOYD, EUAN JAMES
IPC分类号： B81B3/00 , B81B7/02 , H04R19/02 , H04R19/04 , H04R31/00
摘要：本申請案描述MEMS傳感器，其包含沿著至少一個支撐邊緣相對於一基板以一固定關係受支撐的一可撓性膜片層，其中複數個隙縫穿過該膜片層而設置。該等隙縫界定複數個橫桿。每一橫桿界定在該橫桿之第一端點與第二端點之間的一路徑，該路徑包含至少一個方向改變。亦描述傳感器，其中膜片層沿著複數個支撐邊緣相對於基板以一固定關係受支撐，該複數個支撐邊緣界定大體上由該等支撐邊緣定界的一膜片區。
简体摘要：本申请案描述MEMS传感器，其包含沿着至少一个支撑边缘相对于一基板以一固定关系受支撑的一可挠性膜片层，其中复数个隙缝穿过该膜片层而设置。该等隙缝界定复数个横杆。每一横杆界定在该横杆之第一端点与第二端点之间的一路径，该路径包含至少一个方向改变。亦描述传感器，其中膜片层沿着复数个支撑边缘相对于基板以一固定关系受支撑，该复数个支撑边缘界定大体上由该等支撑边缘定界的一膜片区。

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