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1. 发明专利

TW201625823A 複數的藍寶石單結晶及其製造方法审中-公开
简体标题：复数的蓝宝石单结晶及其制造方法
公开(公告)号：TW201625823A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104129299
申请日：2015-09-04
申请人：並木精密寶石股份有限公司
发明人：古滝敏郎 , KOTAKI, TOSHIRO , 斎藤弘倫 , SAITO, HIRONORI , 樋口数人 , HIGUCHI, KAZUTO , 高橋正幸 , TAKAHASHI, MASAYUKI , 佐藤次男 , SATO, TSUGIO
IPC分类号： C30B15/34
CPC分类号： C30B15/34 , C30B29/20
摘要：提供一種相對於模具之厚度，或者，複數的藍寶石單結晶的最大厚度而言，最佳設定模具間之間隙，或者，藍寶石單結晶間之間隙，藉此，由防止氾濫與改善熱平衡，可防止結晶缺陷之複數的藍寶石單結晶及其製造方法。收容具有狹縫之複數模具在坩堝，投入氧化鋁原料到坩堝以加熱，在狹縫上部形成氧化鋁熔液儲集處，接觸種子結晶到該熔液以拉起，藉此，成長複數的藍寶石單結晶，設定各模具間之間隙D為模具厚度t之0.33倍~0.67倍，以製造複數的藍寶石單結晶，設定藍寶石單結晶間之間隙d為在複數的藍寶石單結晶之厚度中，其為最大厚度tm之0.33倍~0.67倍。
简体摘要：提供一种相对于模具之厚度，或者，复数的蓝宝石单结晶的最大厚度而言，最佳设置模具间之间隙，或者，蓝宝石单结晶间之间隙，借此，由防止泛滥与改善热平衡，可防止结晶缺陷之复数的蓝宝石单结晶及其制造方法。收容具有狭缝之复数模具在坩埚，投入氧化铝原料到坩埚以加热，在狭缝上部形成氧化铝熔液储集处，接触种子结晶到该熔液以拉起，借此，成长复数的蓝宝石单结晶，设置各模具间之间隙D为模具厚度t之0.33倍~0.67倍，以制造复数的蓝宝石单结晶，设置蓝宝石单结晶间之间隙d为在复数的蓝宝石单结晶之厚度中，其为最大厚度tm之0.33倍~0.67倍。

2. 发明专利

TWI472652B 製造發光二極體或雷射二極體之方法有权
简体标题：制造发光二极管或激光二极管之方法
公开(公告)号：TWI472652B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW100129282
申请日：2007-09-21
申请人：聖高拜陶器塑膠公司 , SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.
发明人：塔塔克安科韋托爾 , TATARTCHENKO, VITALI , 瓊斯克里斯多夫D , JONES, CHRISTOPHER D. , 茲艾拉史蒂芬A , ZANELLA, STEVEN A. , 洛奇約翰W , LOCHER, JOHN W. , 普拉納迪菲瑞 , PRANADI, FERY
IPC分类号： C30B15/34 , C30B29/20
CPC分类号： C30B15/206 , C30B15/14 , C30B15/34 , C30B29/20 , Y10T117/1092 , Y10T428/23986

3. 发明专利

TW201725289A 帶狀藍寶石审中-公开
简体标题：带状蓝宝石
公开(公告)号：TW201725289A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105127550
申请日：2016-08-26
申请人：並木精密寶石股份有限公司 , NAMIKI SEIMITSU HOUSEKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：古瀧敏郎 , KOTAKI, TOSHIRO , 佐藤次男 , SATO, TSUGIO , 關井崇 , SEKII, TAKASHI , 伊藤訓彥 , ITO, NORIHIKO , 鐮田一彥 , KAMATA, KAZUHIKO , 佐佐木忠 , SASAKI, TADASHI , 樋口數人 , HIGUCHI, KAZUTO
IPC分类号： C30B15/34 , C30B29/20
CPC分类号： C30B15/34 , C30B29/20
摘要：本發明係提供一種對於通過EFG法培養的帶狀藍寶石，在結束提拉時無須使用X射線衍射就能夠以目視判斷r軸方向的帶狀藍寶石。本發明係通過在以c面為主面的複合帶狀藍寶石及帶狀藍寶石的擴肩部側面形成由r面和R面構成的兩層的自形晶面，能夠獲得通過使用放大鏡進行目視就能夠進行r軸方向的判斷的帶狀藍寶石。
简体摘要：本发明系提供一种对于通过EFG法培养的带状蓝宝石，在结束提拉时无须使用X射线衍射就能够以目视判断r轴方向的带状蓝宝石。本发明系通过在以c面为主面的复合带状蓝宝石及带状蓝宝石的扩肩部侧面形成由r面和R面构成的两层的自形晶面，能够获得通过使用放大镜进行目视就能够进行r轴方向的判断的带状蓝宝石。

4. 发明专利

TWI475136B Ｒ平面藍寶石之製法及裝置有权
简体标题：Ｒ平面蓝宝石之制法及设备
公开(公告)号：TWI475136B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW102106327
申请日：2008-11-21
申请人：聖高拜陶器塑膠公司 , SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.
发明人：格福德L 三世麥克 , GUILFORD L. III, MACK , 克里斯多夫D 瓊斯 , CHRISTOPHER D., JONES , 費利潘迪 , FERY, PRANADI , 約翰W 羅奇 , JOHN W., LOCHER , 史帝夫A 奇拉 , STEVEN A., ZANELLA , 赫伯特E 貝茲 , HERBERT E., BATES
IPC分类号： C30B29/20 , C30B15/34
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/28 , C30B15/34 , C30B29/20 , C30B29/22

5. 发明专利

TWI529265B 以斜角熱遮板製造藍寶石薄片之裝置及方法有权
简体标题：以斜角热遮板制造蓝宝石薄片之设备及方法
公开(公告)号：TWI529265B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW103109190
申请日：2014-03-13
申请人：聖高拜陶器塑膠公司 , SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.
发明人：奧厄利特馬克 , OUELLETTE, MARC , 科林斯約瑟 M , COLLINS, JOSEPH M. , 洛赫爾約翰瓦特 , LOCHER, JOHN WALTER , 馬克吉爾福得 L , MACK, GUILFORD L., III , 詹林斯艾比 M , JENNINGS, ABBIE M. , 巴茲尼亞克詹 J , BUZNIAK, JAN J. , 瓊斯克里斯多夫 D , JONES, CHRISTOPHER D.
IPC分类号： C30B15/34 , C30B29/20
CPC分类号： C30B15/34 , C01F7/02 , C30B29/20 , Y10T117/1044 , Y10T428/2976

6. 发明专利

TW201606147A β－ＧａＯ系單晶基板审中-公开
简体标题： β－ＧａＯ系单晶基板
公开(公告)号：TW201606147A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104120782
申请日：2015-06-26
申请人：田村製作所股份有限公司 , TAMURA CORPORATION , 光波股份有限公司 , KOHA CO., LTD.
发明人：渡邊信也 , WATANABE, SHINYA , 輿公祥 , KOSHI, KIMIYOSHI , 山岡優 , YAMAOKA, YU , 飯塚和幸 , IIZUKA, KAZUYUKI , 瀧澤勝 , TAKIZAWA, MASARU , 增井建和 , MASUI, TAKEKAZU
IPC分类号： C30B29/16 , C30B15/34
CPC分类号： C30B29/16 , C01G15/00 , C01P2002/77 , C30B15/34
摘要：本發明的問題在於提供一種高品質β-Ga2O3系單晶基板，該β-Ga2O3系單晶基板的晶體結構的偏差較小。為了解決此問題，本發明在一實施形態中，提供β-Ga2O3系單晶基板1，其是由β-Ga2O3系單晶所構成的β-Ga2O3系單晶基板，其中，主面是與β-Ga2O3系單晶的b軸平行的面，且通過前述主面的中心之前述主面上的任意直線上的△ω的最大值是0.7264以下。△ω是下述值：在前述直線上，將X射線搖擺曲線的峰值位置中的X射線的入射方向與前述主面所夾的角度設為ωs，且將藉由表示前述ωs與其測定位置的關係之曲線的線性近似而求得的近似直線上的角度設為ωa，該線性近似是藉由最小平方法所實行，此時由前述測定位置的各位置中的前述ωs減去前述ωa而得之值的最大值與最小值之差值。
简体摘要：本发明的问题在于提供一种高品质β-Ga2O3系单晶基板，该β-Ga2O3系单晶基板的晶体结构的偏差较小。为了解决此问题，本发明在一实施形态中，提供β-Ga2O3系单晶基板1，其是由β-Ga2O3系单晶所构成的β-Ga2O3系单晶基板，其中，主面是与β-Ga2O3系单晶的b轴平行的面，且通过前述主面的中心之前述主面上的任意直在线的△ω的最大值是0.7264以下。△ω是下述值：在前述直在线，将X射线摇摆曲线的峰值位置中的X射线的入射方向与前述主面所夹的角度设为ωs，且将借由表示前述ωs与其测定位置的关系之曲线的线性近似而求得的近似直在线的角度设为ωa，该线性近似是借由最小平方法所实行，此时由前述测定位置的各位置中的前述ωs减去前述ωa而得之值的最大值与最小值之差值。

7. 发明专利

TW201435158A 帶狀藍寶石以及用以產生複數個具有改良尺寸穩定性之帶狀藍寶石之設備以及方法审中-公开
简体标题：带状蓝宝石以及用以产生复数个具有改良尺寸稳定性之带状蓝宝石之设备以及方法
公开(公告)号：TW201435158A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103109189
申请日：2014-03-13
申请人：聖高拜陶器塑膠公司 , SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.
发明人：奧厄利特馬克 , OUELLETTE, MARC , 科林斯約瑟 M , COLLINS, JOSEPH M. , 洛赫爾約翰瓦特 , LOCHER, JOHN WALTER , 馬克吉爾福得 L , MACK, GUILFORD L., III , 詹林斯艾比 M , JENNINGS, ABBIE M. , 巴茲尼亞克詹 J , BUZNIAK, JAN J. , 瓊斯克里斯多夫 D , JONES, CHRISTOPHER D.
IPC分类号： C30B15/34 , C30B29/20 , C30B29/64
CPC分类号： C30B15/34 , C01F7/02 , C30B29/20 , Y10T117/1044 , Y10T428/2976
摘要：本發明係指向於一種以限邊薄片續填生長法(EFG)形成多個帶狀藍寶石之設備以及方法。本發明更進一步係指向於複數個同時生長而成之帶狀藍寶石，其具有例如低尺寸變異性以及可除去於一批量中同時生長而成之多個帶狀藍寶石之間的孔隙等特性。
简体摘要：本发明系指向于一种以限边薄片续填生长法(EFG)形成多个带状蓝宝石之设备以及方法。本发明更进一步系指向于复数个同时生长而成之带状蓝宝石，其具有例如低尺寸变异性以及可除去于一批量中同时生长而成之多个带状蓝宝石之间的孔隙等特性。

8. 发明专利

TWI628319B β－ＧａＯ系單晶的培育方法、以及β－ＧａＯ系單晶基板及其製造方法（一）有权
简体标题： β－ＧａＯ系单晶的培育方法、以及β－ＧａＯ系单晶基板及其制造方法（一）
公开(公告)号：TWI628319B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW103116722
申请日：2014-05-12
申请人：田村製作所股份有限公司 , TAMURA CORPORATION , 光波股份有限公司 , KOHA CO., LTD.
发明人：輿公祥 , KOSHI, KIMIYOSHI , 渡邊信也 , WATANABE, SHINYA
IPC分类号： C30B29/16 , C30B15/34

9. 发明专利

TWI601856B β－ＧａＯ系單晶的成長方法有权
简体标题： β－ＧａＯ系单晶的成长方法
公开(公告)号：TWI601856B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW101142237
申请日：2012-11-13
申请人：田村製作所股份有限公司 , TAMURA CORPORATION , 光波股份有限公司 , KOHA CO., LTD.
发明人：輿公祥 , KOSHI, KIMIYOSHI , 坂本春香 , SAKAMOTO, HARUKA , 渡邊信也 , WATANABE, SHINYA
IPC分类号： C30B29/16 , C30B15/34
CPC分类号： C30B15/34 , C30B15/36 , C30B29/16

10. 发明专利

TW201512469A β－ＧａＯ系單晶的培育方法、以及β－ＧａＯ系單晶基板及其製造方法（二）审中-公开
简体标题： β－ＧａＯ系单晶的培育方法、以及β－ＧａＯ系单晶基板及其制造方法（二）
公开(公告)号：TW201512469A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103116723
申请日：2014-05-12
申请人：田村製作所股份有限公司 , TAMURA CORPORATION , 光波股份有限公司 , KOHA CO., LTD.
发明人：輿公祥 , KOSHI, KIMIYOSHI , 增井建和 , MASUI, TAKEKAZU , 瀧澤勝 , TAKIZAWA, MASARU
IPC分类号： C30B15/34 , C30B29/16 , C30B29/60
CPC分类号： C30B15/34 , C30B15/36 , C30B29/16
摘要：本發明的問題在於提供一種β-Ga2O3系單晶的培育方法、以及一種利用該培育方法而得之β-Ga2O3系單晶基板及其製造方法，其中該β-Ga2O3系單晶的培育方法可得到寬度大的β-Ga2O3系晶種，而該β-Ga2O3系晶種用來抑制往寬度方向的擴肩而培育平板狀β-Ga2O3系單晶。為了解決此問題，在一實施形態中，提供一種β-Ga2O3系單晶的培育方法，其使用限邊饋膜生長法，且包含下述步驟：使坩鍋13內之Ga2O3系熔融液12，通過模具14的狹縫14a，上升至模具14的開口部14b為止，且晶種20的水平方向的位置從模具14的寬度方向W的中心，在寬度方向W偏移，在此狀態下，使晶種20與位於模具14的開口部14b之Ga2O3系熔融液12接觸；及，提拉已與Ga2O3系熔融液12接觸之晶種20，而使β-Ga2O3系單晶成長。
简体摘要：本发明的问题在于提供一种β-Ga2O3系单晶的培育方法、以及一种利用该培育方法而得之β-Ga2O3系单晶基板及其制造方法，其中该β-Ga2O3系单晶的培育方法可得到宽度大的β-Ga2O3系晶种，而该β-Ga2O3系晶种用来抑制往宽度方向的扩肩而培育平板状β-Ga2O3系单晶。为了解决此问题，在一实施形态中，提供一种β-Ga2O3系单晶的培育方法，其使用限边馈膜生长法，且包含下述步骤：使坩锅13内之Ga2O3系熔融液12，通过模具14的狭缝14a，上升至模具14的开口部14b为止，且晶种20的水平方向的位置从模具14的宽度方向W的中心，在宽度方向W偏移，在此状态下，使晶种20与位于模具14的开口部14b之Ga2O3系熔融液12接触；及，提拉已与Ga2O3系熔融液12接触之晶种20，而使β-Ga2O3系单晶成长。

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