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    • 2. 发明专利
    • 熔鹽之控制冷卻純化法及雜質去除劑
    • 熔盐之控制冷却纯化法及杂质去除剂
    • TW201420506A
    • 2014-06-01
    • TW101144297
    • 2012-11-27
    • 艾力創新有限公司AILIA INNOVATIVE COMPANY, LIMITED. (HONG KONG)
    • 金禾山CHIN, HO SAN
    • C01D9/16C01D3/14
    • 本發明揭露從共晶系熔鹽去除雜質的控制冷卻之法;及對非共晶系熔鹽則添加雜質去除劑使之與熔鹽內的雜質生成可與本體鹽共晶的化合物,而可以控制降溫純化。控制降溫法係將熔鹽自高於本體鹽熔點上方至少20℃的溫度,降溫到共晶溫度以上2~5℃以內,則本體鹽凝固、純化,雜質化合物被驅趕進入共晶液體內、傾倒移除。所揭露雜質去除藥劑包括碳酸基、硫酸基、磷酸基等在內的銨化物。在一實施例中,以碳酸氫銨添加到含鈉雜質之高溫硝酸鉀鹽浴內,將該鹽浴在328±2℃恆溫中冷卻,完成時已凝固者為純硝酸鉀,雜質Na2CO3及K2CO3被收納於共晶液體而排出。
    • 本发明揭露从共晶系熔盐去除杂质的控制冷却之法;及对非共晶系熔盐则添加杂质去除剂使之与熔盐内的杂质生成可与本体盐共晶的化合物,而可以控制降温纯化。控制降温法系将熔盐自高于本体盐熔点上方至少20℃的温度,降温到共晶温度以上2~5℃以内,则本体盐凝固、纯化,杂质化合物被驱赶进入共晶液体内、倾倒移除。所揭露杂质去除药剂包括碳酸基、硫酸基、磷酸基等在内的铵化物。在一实施例中,以碳酸氢铵添加到含钠杂质之高温硝酸钾盐浴内,将该盐浴在328±2℃恒温中冷却,完成时已凝固者为纯硝酸钾,杂质Na2CO3及K2CO3被收纳于共晶液体而排出。
    • 5. 发明专利
    • 製造氯化鈉鹽水之方法及系統
    • 制造氯化钠盐水之方法及系统
    • TW201408598A
    • 2014-03-01
    • TW102105488
    • 2013-02-18
    • 拉曼 艾倫RAMAN, AHILAN
    • 拉曼 艾倫RAMAN, AHILAN
    • C01D3/04C01D3/14C01D7/18C25C1/16
    • Y02P10/234
    • 本發明提供用於製造適用於具有氯鹼薄膜電池之氫氧化鈉製造工廠之氯化鈉鹽水的方法及系統,該方法包含(a)奈米過濾含溶解氯化鈉之給水以製造滲透物及阻留物,其中該阻留物包含來自該給水之至少85%的任何二價離子;及(b)純化該滲透物以製造適用於具有氯鹼薄膜電池之氫氧化鈉製造工廠的氯化鈉鹽水,其中步驟(b)包含電滲析該滲透物以製造濃縮液,該濃縮液具有比該滲透物大之總溶解鹽濃度及比該滲透物小之二價離子比例;及稀釋液,該稀釋液包含自該滲透物分離之水及二價離子。本發明亦提供用於製造氫氧化鈉之方法及系統,及用於商業製造蘇打灰之方法。
    • 本发明提供用于制造适用于具有氯碱薄膜电池之氢氧化钠制造工厂之氯化钠盐水的方法及系统,该方法包含(a)奈米过滤含溶解氯化钠之给水以制造渗透物及阻留物,其中该阻留物包含来自该给水之至少85%的任何二价离子;及(b)纯化该渗透物以制造适用于具有氯碱薄膜电池之氢氧化钠制造工厂的氯化钠盐水,其中步骤(b)包含电渗析该渗透物以制造浓缩液,该浓缩液具有比该渗透物大之总溶解盐浓度及比该渗透物小之二价离子比例;及稀释液,该稀释液包含自该渗透物分离之水及二价离子。本发明亦提供用于制造氢氧化钠之方法及系统,及用于商业制造苏打灰之方法。