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1. 发明专利

TW583404B 電路線寬計量用之測試結構及該測試結構之形成方法失效
简体标题：电路线宽计量用之测试结构及该测试结构之形成方法
公开(公告)号：TW583404B
公开(公告)日：2004-04-11
申请号：TW091112757
申请日：2002-06-12
申请人：高級微裝置公司 ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
发明人：桂宗郁 JONGWOOK KYE , 哈利萊文生 HARRY LEVINSON
IPC分类号： H01L , G01R
CPC分类号： H01L22/34 , H01L2924/0002 , Y10S977/88 , Y10S977/887 , H01L2924/00
摘要：在決定微影製程所形成之多晶矽線路(16)之線寬的方法中，將多晶矽層形成於基板上。使用該微影製程而從該多晶矽層繪製線路(16)，以及從該多晶矽層繪製Van der Pauw結構(14)。隨後則將N2植入於該多晶矽線路(16)以及多晶矽Van der Pauw結構(14)內，以形成耗盡阻障層。將 P型的摻雜質植入於多晶矽線路(16)以及多晶矽Van der Pauw結構(14)內，並將該摻雜質活化。決定Van der Pauw結構(14)的薄層電阻率，然後則藉著把Van der Pauw結構(14)之薄層電阻率使用作為多晶矽線路(16)之薄層電阻率的電路線寬測量而決定多晶矽線路(16)的線寬。相關的測試結構亦同樣地予以揭露。
简体摘要：在决定微影制程所形成之多晶硅线路(16)之线宽的方法中，将多晶硅层形成于基板上。使用该微影制程而从该多晶硅层绘制线路(16)，以及从该多晶硅层绘制Van der Pauw结构(14)。随后则将N2植入于该多晶硅线路(16)以及多晶硅Van der Pauw结构(14)内，以形成耗尽阻障层。将 P型的掺杂质植入于多晶硅线路(16)以及多晶硅Van der Pauw结构(14)内，并将该掺杂质活化。决定Van der Pauw结构(14)的薄层电阻率，然后则借着把Van der Pauw结构(14)之薄层电阻率使用作为多晶硅线路(16)之薄层电阻率的电路线宽测量而决定多晶硅线路(16)的线宽。相关的测试结构亦同样地予以揭露。

2. 发明专利

TW201631120A 具有增進的穩定性及發光效率之量子點奈米粒子审中-公开
简体标题：具有增进的稳定性及发光效率之量子点奈米粒子
公开(公告)号：TW201631120A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105116320
申请日：2015-02-06
申请人：納諾柯技術有限公司 , NANOCO TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：丹尼爾斯史蒂芬 , DANIELS, STEVEN , 娜拉雅那斯娃咪亞瑞 , NARAYANASWAMY, ARUN
IPC分类号： C09K11/88 , C09K11/02 , B82B1/00 , B82B3/00
CPC分类号： H01L33/502 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/025 , C09K11/703 , H01L2933/0041 , Y10S977/81 , Y10S977/88 , Y10S977/882 , Y10S977/95
摘要：本發明已發現特定二硫化合物係量子點(QD)奈米粒子之優異封蓋配位體。實例二硫配位體包含二硫代胺基甲酸鹽配位體。此等強結合配位體有能力配位至該奈米粒子表面之陽性及陰性原子。該等配位體係雙配位基及因此其對該QD表面之接近不似單配位基配位體接近般受空間位阻。此等配位體由此可完全使該QD表面飽和。
简体摘要：本发明已发现特定二硫化合物系量子点(QD)奈米粒子之优异封盖配位体。实例二硫配位体包含二硫代胺基甲酸盐配位体。此等强结合配位体有能力配位至该奈米粒子表面之阳性及阴性原子。该等配位体系双配位基及因此其对该QD表面之接近不似单配位基配位体接近般受空间位阻。此等配位体由此可完全使该QD表面饱和。

3. 发明专利

TW200613719A 即時監控光學捕獲碳奈米管 REAL-TIME MONITORING OPTICALLY TRAPPED CARBON NANOTUBES 失效
简体标题：实时监控光学捕获碳奈米管 REAL-TIME MONITORING OPTICALLY TRAPPED CARBON NANOTUBES
公开(公告)号：TW200613719A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094120629
申请日：2005-06-21
申请人：英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION
发明人：田旭達 TAN, SHIDA , 張越岡 ZHANG, YUEGANG
IPC分类号： G01N
CPC分类号： B82B3/00 , B81C99/002 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , Y10S977/842 , Y10S977/88 , Y10S977/881
摘要：本發明的一實施例係為一種監控碳奈米管(CNT)的技術。藉由一雷射光束在一流體中操控一碳奈米管。沿著該碳奈米管的軸線對準來自一光源的一照明光線，以從該碳奈米管產生一光學響應。依據該光學響應並使用一光學感應器以監控該碳奈米管。
简体摘要：本发明的一实施例系为一种监控碳奈米管(CNT)的技术。借由一激光光束在一流体中操控一碳奈米管。沿着该碳奈米管的轴线对准来自一光源的一照明光线，以从该碳奈米管产生一光学响应。依据该光学响应并使用一光学感应器以监控该碳奈米管。

4. 发明专利

TWI621692B 具有增進的穩定性及發光效率之量子點奈米粒子有权
简体标题：具有增进的稳定性及发光效率之量子点奈米粒子
公开(公告)号：TWI621692B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW105116320
申请日：2015-02-06
申请人：納諾柯技術有限公司 , NANOCO TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：丹尼爾斯史蒂芬 , DANIELS, STEVEN , 娜拉雅那斯娃咪亞瑞 , NARAYANASWAMY, ARUN
IPC分类号： C09K11/88 , C09K11/02 , B82B1/00 , B82B3/00
CPC分类号： H01L33/502 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/025 , C09K11/703 , H01L2933/0041 , Y10S977/81 , Y10S977/88 , Y10S977/882 , Y10S977/95

5. 发明专利

TW550303B 利用圖型化顆粒運動之機械操控系統失效
简体标题：利用图型化颗粒运动之机械操控系统
公开(公告)号：TW550303B
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW090103101
申请日：2001-02-13
申请人：禮冠公司
发明人：亞力桑得D 威斯納葛洛斯
IPC分类号： C23C
CPC分类号： B05D3/12 , B05D5/00 , B05D2401/32 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C30B35/00 , Y10S977/724 , Y10S977/84 , Y10S977/88 , Y10S977/882 , Y10S977/888 , Y10S977/89 , Y10S977/932
摘要：一種用於物體(130)之機械操控之系統(100，100'，100")與方法被加以提供，其中，微粒(110，110')藉由能量的傳送而擾動，以建立微粒(110，110')的圖型化顆粒運動。微粒(110，110')的圖型化顆粒運動構成駐波(112)。物體(130)本身依據駐波(112)而排列，並因而動態性地排列成以駐波(112)的位置所建立的結構。駐波(112)的位置可藉由控制施加至能量施加系統(140)的信號波形而預先決定。預定的波形從信號源(150，154)供應至能量供應系統(140)。
简体摘要：一种用于物体(130)之机械操控之系统(100，100'，100")与方法被加以提供，其中，微粒(110，110')借由能量的发送而扰动，以创建微粒(110，110')的图型化颗粒运动。微粒(110，110')的图型化颗粒运动构成驻波(112)。物体(130)本身依据驻波(112)而排列，并因而动态性地排列成以驻波(112)的位置所创建的结构。驻波(112)的位置可借由控制施加至能量施加系统(140)的信号波形而预先决定。预定的波形从信号源(150，154)供应至能量供应系统(140)。

6. 发明专利

TWI580763B 具有增進的穩定性及發光效率之量子點奈米粒子有权
简体标题：具有增进的稳定性及发光效率之量子点奈米粒子
公开(公告)号：TWI580763B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104104132
申请日：2015-02-06
申请人：納諾柯技術有限公司 , NANOCO TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：丹尼爾斯史蒂芬 , DANIELS, STEVEN , 娜拉雅那斯娃咪亞瑞 , NARAYANASWAMY, ARUN
IPC分类号： C09K11/88 , C09K11/02 , B82B1/00 , B82B3/00
CPC分类号： H01L33/502 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/025 , C09K11/703 , H01L2933/0041 , Y10S977/81 , Y10S977/88 , Y10S977/882 , Y10S977/95

7. 发明专利

TW201534922A 包含柔性奈米結構的感測器及其製造方法审中-公开
简体标题：包含柔性奈米结构的传感器及其制造方法
公开(公告)号：TW201534922A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103140010
申请日：2014-11-19
申请人： SK新技術股份有限公司 , SK INNOVATION CO., LTD.
发明人：金俊亨 , KIM, JUN-HYUNG
IPC分类号： G01N33/543 , B05D1/18 , H01L21/02
CPC分类号： G01N21/554 , Y10S977/88 , Y10T156/10
摘要：本發明係有關於一種具有奈米結構作為檢測元件的感測器及其製造方法。該感測器包括作為檢測元件的奈米結構，用於在柔性襯底上檢測標記物，其中該奈米結構包括：包含結合到柔性襯底的連接基團的連接層；和由金屬離子形成的金屬奈米粒子。
简体摘要：本发明系有关于一种具有奈米结构作为检测组件的传感器及其制造方法。该传感器包括作为检测组件的奈米结构，用于在柔性衬底上检测标记物，其中该奈米结构包括：包含结合到柔性衬底的连接基团的连接层；和由金属离子形成的金属奈米粒子。

8. 发明专利

TW201536895A 具有增進的穩定性及發光效率之量子點奈米粒子审中-公开
简体标题：具有增进的稳定性及发光效率之量子点奈米粒子
公开(公告)号：TW201536895A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW104104132
申请日：2015-02-06
申请人：納諾柯技術有限公司 , NANOCO TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：丹尼爾斯史蒂芬 , DANIELS, STEVEN , 娜拉雅那斯娃咪亞瑞 , NARAYANASWAMY, ARUN
IPC分类号： C09K11/88 , C09K11/02 , B82B1/00 , B82B3/00
CPC分类号： H01L33/502 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/025 , C09K11/703 , H01L2933/0041 , Y10S977/81 , Y10S977/88 , Y10S977/882 , Y10S977/95
摘要：本發明已發現特定二硫化合物係量子點(QD)奈米粒子之優異封蓋配位體。實例二硫配位體包含二硫代胺基甲酸鹽配位體。此等強結合配位體有能力配位至該奈米粒子表面之陽性及陰性原子。該等配位體係雙配位基及因此其對該QD表面之接近不似單配位基配位體接近般受空間位阻。此等配位體由此可完全使該QD表面飽和。
简体摘要：本发明已发现特定二硫化合物系量子点(QD)奈米粒子之优异封盖配位体。实例二硫配位体包含二硫代胺基甲酸盐配位体。此等强结合配位体有能力配位至该奈米粒子表面之阳性及阴性原子。该等配位体系双配位基及因此其对该QD表面之接近不似单配位基配位体接近般受空间位阻。此等配位体由此可完全使该QD表面饱和。

9. 发明专利

TWI277732B 即時監控光學捕獲碳奈米管 REAL-TIME MONITORING OPTICALLY TRAPPED CARBON NANOTUBES 失效
简体标题：实时监控光学捕获碳奈米管 REAL-TIME MONITORING OPTICALLY TRAPPED CARBON NANOTUBES
公开(公告)号：TWI277732B
公开(公告)日：2007-04-01
申请号：TW094120629
申请日：2005-06-21
申请人：英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION
发明人：田旭達 TAN, SHIDA , 張越岡 ZHANG, YUEGANG
IPC分类号： G01N
CPC分类号： B82B3/00 , B81C99/002 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , Y10S977/842 , Y10S977/88 , Y10S977/881
摘要：本發明的一實施例係為一種監控碳奈米管(CNT)的技術。藉由一雷射光束在一流體中操控一碳奈米管。沿著該碳奈米管的軸線對準來自一光源的一照明光線，以從該碳奈米管產生一光學響應。依據該光學響應並使用一光學感應器以監控該碳奈米管。
简体摘要：本发明的一实施例系为一种监控碳奈米管(CNT)的技术。借由一激光光束在一流体中操控一碳奈米管。沿着该碳奈米管的轴线对准来自一光源的一照明光线，以从该碳奈米管产生一光学响应。依据该光学响应并使用一光学感应器以监控该碳奈米管。

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