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1. 发明专利

TW418560B 高增益之共射極輸出狀態失效
简体标题：高增益之共射极输出状态
公开(公告)号：TW418560B
公开(公告)日：2001-01-11
申请号：TW086110166
申请日：1997-07-17
申请人：麥克森整合產業公司 , 肯恩科技公司
发明人：傑洛德.葛雷米
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F3/3066 , H03F3/343
摘要：在此揭示一種放大器的高增益之共射輸出級。在一實施例中，根據本發明的一個放大器的輸出級包括：一第一電晶體具有一基極、一射極及一集極，此射極經由一第一電阻連接至一第一電位，集極經由串聯之第二電阻及一偏壓電流源連接至一第二電位，基極連接於第二電阻及偏壓電流源之間；一第二電晶體具有一基極、一射極及一集極，射極連接至第一電位，集極經由一負載元件連接至第二電位，基極連接至該第一電晶體的集極；且一訊號電流源供應一電流訊號以被放大。根據本發明的輸出級比較具有優點，因為所提供的增益為指數型的，而且基極之狀態仍然穩定。以功率的觀點視之，此輸出級運作得很有效率，因為在靜態時的功率消耗非常低。
简体摘要：在此揭示一种放大器的高增益之共射输出级。在一实施例中，根据本发明的一个放大器的输出级包括：一第一晶体管具有一基极、一射极及一集极，此射极经由一第一电阻连接至一第一电位，集极经由串联之第二电阻及一偏压电流源连接至一第二电位，基极连接于第二电阻及偏压电流源之间；一第二晶体管具有一基极、一射极及一集极，射极连接至第一电位，集极经由一负载组件连接至第二电位，基极连接至该第一晶体管的集极；且一信号电流源供应一电流信号以被放大。根据本发明的输出级比较具有优点，因为所提供的增益为指数型的，而且基极之状态仍然稳定。以功率的观点视之，此输出级运作得很有效率，因为在静态时的功率消耗非常低。

2. 发明专利

TW327256B 低電壓運算放大器輸入級和方法失效
简体标题：低电压运算放大器输入级和方法
公开(公告)号：TW327256B
公开(公告)日：1998-02-21
申请号：TW086101159
申请日：1997-01-31
申请人：摩托羅拉公司
发明人：羅伯L.麥
IPC分类号： H01L , H03F
CPC分类号： H03F3/4508 , H03F3/3067 , H03F3/343 , H03F3/45076 , H03F2203/45028 , H03F2203/45182
摘要：低電壓運算放大器(10)運作於1至8伏特之電壓範圍與攝氏0至70度之溫度範圍。運算放大器輸入級(12)使用 N-通道空乏模式MOSFET來提供差動式輸入之放大並且維持恆定之跨電導。源極耦隨器MOSFET(13)對於轉移交流訊號，STAGE-1 OUTPUT，至電流吸收電晶體(18)之基極提供單位增益。吸收控制電路(14)與產生控制電路(22)產生電晶體(18)與(24)之基極驅動電流。視輸入訊號而定，SINK PASS THROUGH訊號之交流訊號路徑控制運算放大器輸出吸收電晶體以吸收電流，或者穿越電流導引電路(16)導致SOURCE PASS THROUGH訊號以控制運算放大器輸出產生電晶體來產生電流。一輸出級提供大約50毫安培之電流且直到輸出驅動器受到選擇為止是保持在靜止狀態。
简体摘要：低电压运算放大器(10)运作于1至8伏特之电压范围与摄氏0至70度之温度范围。运算放大器输入级(12)使用 N-信道空乏模式MOSFET来提供差动式输入之放大并且维持恒定之跨电导。源极耦随器MOSFET(13)对于转移交流信号，STAGE-1 OUTPUT，至电流吸收晶体管(18)之基极提供单位增益。吸收控制电路(14)与产生控制电路(22)产生晶体管(18)与(24)之基极驱动电流。视输入信号而定，SINK PASS THROUGH信号之交流信号路径控制运算放大器输出吸收晶体管以吸收电流，或者穿越电流导引电路(16)导致SOURCE PASS THROUGH信号以控制运算放大器输出产生晶体管来产生电流。一输出级提供大约50毫安培之电流且直到输出驱动器受到选择为止是保持在静止状态。

3. 发明专利

TW200837528A 偏流以加速電流鏡之穩定時間 BIASING CURRENT TO SPEED UP CURRENT MIRROR SETTLING TIME 审中-公开
简体标题：偏流以加速电流镜之稳定时间 BIASING CURRENT TO SPEED UP CURRENT MIRROR SETTLING TIME
公开(公告)号：TW200837528A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW096144160
申请日：2007-11-21
申请人：愛特梅爾公司 ATMEL CORPORATION
发明人：格布利爾貝里 PELLI, GABRIELE , 貝德瑞達羅倫佐 BEDARIDA, LORENZO , 美斯米力亞諾弗力歐 FRULIO, MASSIMILIANO , 安德瑞亞貝帝尼 BETTINI, ANDREA
IPC分类号： G05F
CPC分类号： H03F3/343 , G09G3/20 , G09G3/3216 , G09G3/3225
摘要：本發明揭示一種電流鏡電路,其包括耦合至一第二電流鏡電晶體之一第一電流鏡電晶體。一負載係耦合至該第二電流鏡電晶體。一第一電流源係耦合至該第一電流鏡電晶體以引起一偏流流過該第一電流鏡電晶體而一第二電流源係耦合至該第二電流鏡電晶體並與該負載並聯以從該負載分流該偏流。
简体摘要：本发明揭示一种电流镜电路,其包括耦合至一第二电流镜晶体管之一第一电流镜晶体管。一负载系耦合至该第二电流镜晶体管。一第一电流源系耦合至该第一电流镜晶体管以引起一偏流流过该第一电流镜晶体管而一第二电流源系耦合至该第二电流镜晶体管并与该负载并联以从该负载分流该偏流。

4. 发明专利

TWI239714B DC放大器及其半導體積體電路 DC AMPLIFIER AND SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF 失效
简体标题： DC放大器及其半导体集成电路 DC AMPLIFIER AND SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF
公开(公告)号：TWI239714B
公开(公告)日：2005-09-11
申请号：TW093116781
申请日：2004-06-11
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
发明人：西牟田武史 NISHIMUTA, TAKEFUMI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L29/66795 , H03F3/343 , H03F3/45183 , H03F2200/372
摘要：在矽基材上形成高HB、寬WB的直方體狀突出部21，於突出部21的頂面及側壁面的一部份處形成閘極氧化膜。閘極電極26之兩側處形成源極及汲極而形成MOS電晶體。由該MOS電晶體構成DC放大器。DC放大器其具有由MOS電晶體61和62所組成的差動放大電路。經由此，可實現高增益的DC放大器。
简体摘要：在硅基材上形成高HB、宽WB的直方体状突出部21，于突出部21的顶面及侧壁面的一部份处形成闸极氧化膜。闸极电极26之两侧处形成源极及汲极而形成MOS晶体管。由该MOS晶体管构成DC放大器。DC放大器其具有由MOS晶体管61和62所组成的差动放大电路。经由此，可实现高增益的DC放大器。

5. 发明专利

TW200503405A DC放大器及其半導體積體電路 DC AMPLIFIER AND SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF 失效
简体标题： DC放大器及其半导体集成电路 DC AMPLIFIER AND SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF
公开(公告)号：TW200503405A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW093116781
申请日：2004-06-11
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
发明人：西牟田武史 NISHIMUTA, TAKEFUMI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L29/66795 , H03F3/343 , H03F3/45183 , H03F2200/372
摘要：在矽基材上形成高HB、寬WB的直方體狀突出部21，於突出部21的頂面及側壁面的一部份處形成閘極氧化膜。閘極電極26之兩側處形成源極及汲極而形成MOS電晶體。由該MOS電晶體構成DC放大器。DC放大器其具有由MOS電晶體61和62所組成的差動放大電路。經由此，可實現高增益的DC放大器。
简体摘要：在硅基材上形成高HB、宽WB的直方体状突出部21，于突出部21的顶面及侧壁面的一部份处形成闸极氧化膜。闸极电极26之两侧处形成源极及汲极而形成MOS晶体管。由该MOS晶体管构成DC放大器。DC放大器其具有由MOS晶体管61和62所组成的差动放大电路。经由此，可实现高增益的DC放大器。

6. 发明专利

TW275164B 精密電流鏡電路失效
简体标题：精密电流镜电路
公开(公告)号：TW275164B
公开(公告)日：1996-05-01
申请号：TW084109876
申请日：1995-09-20
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：李東澈
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F3/343
摘要：本發明係有關一種導致鏡側的電流損失為零，並且最後使得電流源和輸出電流相等之精密電流鏡電路。該電路包含利用一電流鏡之特性而用以輸出一輸入信號之一組信號輸入／輸出裝置，用以控制在該信號輸入／輸出裝置之輸入信號和輸出信號之間電流差量之一組電流控制裝置，以及用以依需要放大至該電流控制裝置之電流的一組電流放大器。
简体摘要：本发明系有关一种导致镜侧的电流损失为零，并且最后使得电流源和输出电流相等之精密电流镜电路。该电路包含利用一电流镜之特性而用以输出一输入信号之一组信号输入／输出设备，用以控制在该信号输入／输出设备之输入信号和输出信号之间电流差量之一组电流控制设备，以及用以依需要放大至该电流控制设备之电流的一组电流放大器。

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