专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201249116A 射頻積體電路 RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
简体标题：射频集成电路 RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT
公开(公告)号：TW201249116A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101117329
申请日：2012-05-16
申请人：瑞薩通信技術公司
发明人：海肯尼傑瑞喬漢尼斯 , 瑞奇喬尼猶漢尼 , 可克浮瑞猷尼克里斯提恩
IPC分类号： H04B
CPC分类号： H03F3/195 , H03F1/0277 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F1/301 , H03F1/565 , H03F3/45179 , H03F3/45645 , H03F3/72 , H03F2200/135 , H03F2200/144 , H03F2200/156 , H03F2200/159 , H03F2200/165 , H03F2200/181 , H03F2200/222 , H03F2200/294 , H03F2200/39 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2203/45154 , H03F2203/45194 , H03F2203/45196 , H03F2203/45286 , H03F2203/45386 , H03F2203/45394 , H03F2203/45396 , H03F2203/45424 , H03F2203/45434 , H03F2203/45528 , H03F2203/45534 , H03F2203/45536 , H03F2203/45554 , H03F2203/45576 , H03F2203/45596 , H03F2203/45618 , H03F2203/45628 , H03F2203/45641 , H03F2203/45652 , H03F2203/45682 , H03F2203/45692 , H03F2203/45704 , H03F2203/7203 , H03F2203/7209 , H03F2203/7233 , H03F2203/7236
摘要：本發明的實施例乃關於可組態的射頻積體電路(RF IC)。於實施例,提供的是可組態的射頻積體電路(RF IC),其包括一或更多個可組態的低雜訊放大器電路,該一或更多個可組態的低雜訊放大器電路的每一者係可組態於以下之間:內部輸入阻抗匹配拓樸,其中個別的低雜訊放大器電路包括一或更多個內部輸入阻抗匹配構件,其適於把個別低雜訊放大器的輸入阻抗匹配於給定的輸入,而該一或更多個內部輸入阻抗匹配構件係位在個別低雜訊放大器電路的內部;以及不同於該內部輸入阻抗匹配拓樸的拓樸。
简体摘要：本发明的实施例乃关于可组态的射频集成电路(RF IC)。于实施例,提供的是可组态的射频集成电路(RF IC),其包括一或更多个可组态的低噪声放大器电路,该一或更多个可组态的低噪声放大器电路的每一者系可组态于以下之间:内部输入阻抗匹配拓朴,其中个别的低噪声放大器电路包括一或更多个内部输入阻抗匹配构件,其适于把个别低噪声放大器的输入阻抗匹配于给定的输入,而该一或更多个内部输入阻抗匹配构件系位在个别低噪声放大器电路的内部;以及不同于该内部输入阻抗匹配拓朴的拓朴。

2. 发明专利

TW583826B 具有晶片上電感器之放大器電路有权
简体标题：具有芯片上电感器之放大器电路
公开(公告)号：TW583826B
公开(公告)日：2004-04-11
申请号：TW091107299
申请日：2002-04-11
申请人：特洛普蘭公司 TROPIAN, INC.
发明人：占姆士G 朱奇士 JAMES G. JUDKINS
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F3/602 , H03F3/191 , H03F2200/39
摘要：本發明揭示之在單一半導體基體上形成之放大器電路包含：第一放大器，具有至少一級用以放大在第一頻帶中之信號；第二放大器，具有至少一級用以放大在第二頻帶中之信號；及一分接線圈具有一終端和第一放大器之一級耦合及一接頭和第二放大器之一級耦合。該放大器電路可為射頻放大器電路，分接線圈之第一部分做為第一放大器該級之射頻扼流圈，及分接線圈之第二部分做為第二放大器該級之射頻扼流圈。在多頻帶放大器間共用分接線圈可增加集積密度。
简体摘要：本发明揭示之在单一半导体基体上形成之放大器电路包含：第一放大器，具有至少一级用以放大在第一频带中之信号；第二放大器，具有至少一级用以放大在第二频带中之信号；及一分接线圈具有一终端和第一放大器之一级耦合及一接头和第二放大器之一级耦合。该放大器电路可为射频放大器电路，分接线圈之第一部分做为第一放大器该级之射频扼流圈，及分接线圈之第二部分做为第二放大器该级之射频扼流圈。在多频带放大器间共享分接线圈可增加集积密度。

3. 发明专利

TW201301749A 放大器审中-公开
公开(公告)号：TW201301749A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101117327
申请日：2012-05-16
申请人：瑞薩通信技術公司 , RENESAS MOBILE CORPORATION
发明人：海肯尼傑瑞喬漢尼斯 , HEIKKINEN, JARI JOHANNES , 瑞奇喬尼猶漢尼 , RIEKKI, JONNE JUHANI , 可克浮瑞猷尼克里斯提恩 , KAUKOVUORI, JOUNI KRISTIAN
IPC分类号： H03F1/26
CPC分类号： H03F3/195 , H03F1/0277 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F1/301 , H03F1/565 , H03F3/45179 , H03F3/45188 , H03F3/45645 , H03F3/72 , H03F2200/135 , H03F2200/144 , H03F2200/156 , H03F2200/159 , H03F2200/165 , H03F2200/294 , H03F2200/39 , H03F2203/45306 , H03F2203/45318 , H03F2203/45386
摘要：本發明係關於可配置的低雜訊放大器電路，其係被配置於第一拓樸與第二拓樸之間，在第一拓樸中，低雜訊放大器電路包含退化電感，藉此低雜訊放大器電路係充當感應退化低雜訊放大器，且在第二拓樸中，低雜訊放大器電路包含反饋電阻，藉此低雜訊放大器電路係充當電阻反饋低雜訊放大器。
简体摘要：本发明系关于可配置的低噪声放大器电路，其系被配置于第一拓朴与第二拓朴之间，在第一拓朴中，低噪声放大器电路包含退化电感，借此低噪声放大器电路系充当感应退化低噪声放大器，且在第二拓朴中，低噪声放大器电路包含反馈电阻，借此低噪声放大器电路系充当电阻反馈低噪声放大器。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式