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1. 发明专利

TW457645B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW457645B
公开(公告)日：2001-10-01
申请号：TW086108500
申请日：1997-06-18
申请人：現代電子產業股份有限公司
发明人：高堯煥 , 崔珍赫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/76264 , H01L21/76281 , H01M2/0272 , H01M2/0275 , H01M6/06 , H01M6/085 , H01M2300/0014
摘要：本發明係有關一種如SOI(絕緣體上設置矽)基板上之互補金屬氧化半導體(CMOS)電晶體般之具有兩個相鄰的阱之半導體裝置，尤指一種為了除去閂鎖(Latch-up)問題,具有完全絕緣之多數個阱的半導體裝置，及其製造方法。根據本發明，可獲得防止半導體元件之閂鎖現象的效果。
简体摘要：本发明系有关一种如SOI(绝缘体上设置硅)基板上之互补金属氧化半导体(CMOS)晶体管般之具有两个相邻的阱之半导体设备，尤指一种为了除去闩锁(Latch-up)问题,具有完全绝缘之多数个阱的半导体设备，及其制造方法。根据本发明，可获得防止半导体组件之闩锁现象的效果。

2. 发明专利

TW522599B 電池失效
简体标题：电池
公开(公告)号：TW522599B
公开(公告)日：2003-03-01
申请号：TW090119061
申请日：2001-08-03
申请人：吉列公司
发明人：凡賽斯王 , 印諾王 , 菲利浦全能 , 癸維
IPC分类号： H01M
CPC分类号： H01M6/085 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/52 , H01M4/621 , H01M6/08 , Y10T29/49108
摘要：一種鹼性電池，具有包括氧基氫氧化鎳的陰極。
简体摘要：一种碱性电池，具有包括氧基氢氧化镍的阴极。

3. 发明专利

TW431010B 具有增加陽極對陰極介面區域的電化學電池失效
简体标题：具有增加阳极对阴极界面区域的电化学电池
公开(公告)号：TW431010B
公开(公告)日：2001-04-21
申请号：TW088110655
申请日：1999-06-24
申请人：永備電池公司
发明人：羅姆拉斯P.傑卡
IPC分类号： H01M
CPC分类号： H01M6/085 , H01M2/145 , H01M2/1653 , H01M2/18 , H01M6/06 , H01M6/08 , H01M2004/025
摘要：一種電化學電池，具有廣大陽極對陰極之介面區域，而達到低電流密度，以提供高電池效能。該電化學電池包括一個含有第一電極和第二電極的罐子，這第一電極具有和罐子的內牆完全的相符的外周圍，此外在其中準備有一個非圓筒狀的洞，第二電極排列在第一電極的非圓筒狀的洞內。這第一和第二電極提供一個隨電池長度而異的介面區域，第一和第二電極間排列一隔離板，罐子的開口頂端是由一蓋和封口組合物組成。
简体摘要：一种电化学电池，具有广大阳极对阴极之界面区域，而达到低电流密度，以提供高电池性能。该电化学电池包括一个含有第一电极和第二电极的罐子，这第一电极具有和罐子的内墙完全的相符的外周围，此外在其中准备有一个非圆筒状的洞，第二电极排列在第一电极的非圆筒状的洞内。这第一和第二电极提供一个随电池长度而异的界面区域，第一和第二电极间排列一隔离板，罐子的开口顶端是由一盖和封口组合物组成。

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